半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于获得一种可防止污染物质混入到光电转换层、分光感度特性良好、并输出电流的偏差小的光电转换装置。在包括光电转换装置的半导体装置中，获得一种可靠性高的半导体装置。本发明专利技术提供一种半导体装置，其在绝缘表面上包括：第一电极；第二电极；在所述第一电极和第二电极之间的彩色滤光片；覆盖所述彩色滤光片的覆盖层；以及在所述覆盖层上的、包括ｐ型半导体层、ｉ型半导体层及ｎ型半导体层的光电转换层，其中所述光电转换层的一个端部与所述第一电极接触，并且所述彩色滤光片的端部位于所述光电转换层的另一个端部的内侧。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及将所接受的光输出为电信号的光电转换装置以及包括光电转换装置的半导体装置。
技术介绍
作为使用于电磁波的检测的光电转换装置，从紫外线到红外线具有感度的光电转换装置总结地被称为光传感器。其中，在波长为400nm至700nm的可见光线区域中具有感度的光电转换装置被称为可见光传感器，并且常常用于按照生活环境需要调节照度及开/关控制等的机器类(例如，参照专利文件1)。在使用单晶硅(单晶Si)制造彩色传感器的情况下，因为在单晶硅衬底的表面一侧接受光，所以彩色滤光片被设置在衬底的最外表面。此外，使用单晶硅的彩色传感器常常以使用红外线去除滤波器来防止红外线的吸收并具有所希望的分光感度的方式被制造。另外，在使用非晶硅(a-Si)制造传感器的情况下，因为可以在衬底上形成非晶硅膜，所以不但可以使光从衬底表面一侧入射，而且还可以使光从衬底一侧入射。就是说，可以使光透过衬底来使传感器受光，从而可以高效率地引入光。因此，可以在与光的入射表面不同的表面设置取出电极，以容易进行传感器的小型化。此外，非晶硅膜难以吸收红外线，所以不需要提供红外线去除滤波器。但是，在使用非晶硅膜制造彩色传感器的情况下，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：遮光层；彩色滤光片；覆盖所述彩色滤光片的覆盖层；以及包括一种导电类型的第一半导体层、第二半导体层及与所述第一半导体层相反的导电类型的第三半导体层的光电转换层，其中，所述遮光层与所述光电转换层的端部和所述彩色滤光片的端部相重叠。

【技术特征摘要】
JP 2006-3-10 2006-0656011.一种半导体装置，包括遮光层；彩色滤光片；覆盖所述彩色滤光片的覆盖层；以及包括一种导电类型的第一半导体层、第二半导体层及与所述第一半导体层相反的导电类型的第三半导体层的光电转换层，其中，所述遮光层与所述光电转换层的端部和所述彩色滤光片的端部相重叠。2.一种半导体装置，包括薄膜晶体管；彩色滤光片；覆盖所述彩色滤光片的覆盖层；电连接到所述薄膜晶体管的遮光层；以及包括一种导电类型的第一半导体层、第二半导体层及与所述第一半导体层相反的导电类型的第三半导体层的光电转换层，其中，所述遮光层与所述光电转换层的端部和所述彩色滤光片的端部相重叠。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述遮光层为导电材料，并且所述遮光层电连接到所述第一半导体层。4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述遮光层为导电材料，并且所述遮光层电连接到所述第一半导体层。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述遮光层为导电材料，并且所述遮光层由所述覆盖层与所述光电转换层隔离。6.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述遮光层为导电材料，并且所述遮光层由所述覆盖层与所述光电转换层隔离。7.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述遮光层至少部分地与所述薄膜晶体管的沟道部相重叠。8.一种半导体装置，包括遮光层；彩色滤光片；覆盖所述彩色滤光片的覆盖层；以及包括一种导电类型的第一半导体层、第二半导体层及与所述第一半导体层相反的导电类型的第三半导体层的光电转换层，该光电转换层在所述覆盖层上，其中，所述遮光层与所述光电转换层的端部、所述彩色滤光片的端部及所述覆盖层的端部相重叠。9.一种半导体装置，包括薄膜晶体管；电连接到所述薄膜晶体管的遮光层；彩色滤光片；覆盖所述彩色滤光片的覆盖层；以及包括一种导电类型的第一半导体层、第二半导体层及与所述第一半导体层相反的导电类型的第三半导体层的光电转换层，该光电转换层在所述覆盖层上，其中，所述遮光层与所述光电转换层的端部、所述彩色滤光片的端部及所述覆盖层的端部相重叠。10.根据权利要求9所述的半导体装置，还包括在所述薄膜晶体管的栅绝缘膜和所述彩色滤光片之间的钝化层。11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述钝化层为氮化硅、氧化硅、含氮的氧化硅及含氧的氮化硅中的任何一种。12.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述遮光层至少部分地与所述薄膜晶体管的沟道部相重叠。13.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述遮光层至少部分地与所述薄膜晶体管的沟道部相重叠。14.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述彩色滤光片的端部与所述光电转换层相重叠。15.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述彩色滤光片的端部与所述光电转换层相重叠。16.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述光电转换层的端部与所述覆盖层相重叠。17.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述光电转换层的端部与所述覆盖层相重叠。18.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述遮光层为导电材料，并且所述遮光层电连接到所述第一半导体层。19.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述遮光层为导电材料，并且所述遮光层电连接到所述第一半导体层。20.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述遮光层为导电材料，并且所述遮光层由所述覆盖层与所述光电转换层隔离。21.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述遮光层为导电材料，并且所述遮光层由所述覆盖层与所述光电转换层隔离。22.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述覆盖层由有机树脂绝缘材料、无机绝缘材料或有机绝缘材料和无机绝缘材料的叠层形成。23.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述覆盖层由有机树脂绝缘材料、无机绝缘材料或有机绝缘材料和无机绝缘材料的叠层形成。24.根据权利要求22所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：荒尾达也，山田大干，高桥秀和，楠本直人，西和夫，菅原裕辅，高桥宽畅，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]