【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电子元器件的生产制造工艺,具体与发光二极管的封装方法有关。
技术介绍
发光二极管已经成为电子工业上最重要的原器件,而大功率发光二极管更具有广泛的用途,可用在手电、矿灯、台灯、户外广告、大型电子显示装置、太阳能路灯、背光系统等。其结构形式是在碗形支架内装设晶片、金线、反射盖等,在组装过程中,晶片与支架之间采用的是银胶连接,即先在支架内层上涂布一层银胶,然后再将晶片利用银胶的粘性与支架内层连接。由于银胶的热阻高,导热性较差,因此采用此种方法组装的发光二极管其散热不佳,当二极管的功率提升时,往往会因产品过热而导致产品极易损坏,即使使用高导热银胶也无法解决大功率高超亮度发光二极管的散热问题;另外,采用银胶的发光二极管容易引起漏电,也容易缩短大功率发光二极管的寿命。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种新的发光二极管的封装方法,以提高大功率发光二极管的散热性能、发光效率和使用寿命。为了实现上述目的,本专利技术采用的技术方案是,其特征在于包括如下步骤A、在碗形支架的内层中底部镀上导电优良的金属层;B、将发光晶片的底部与碗形支架内层底部的金属层通过共晶键合(Eutectic Bonding)的方式压焊结合;C、将晶片的正负极通过金线与基板的正负极相连接;D、填充胶水封装并烘干。更优的,步骤B中采用加热管对碗形支架进行加热,并使用压力对支架上的金属镀层与晶片间进行共晶键合连接,使两个接触面融为一体。由于采用了共晶键合的方式对晶片与金属镀层进行连接并融为一体,且具有高导热及导电的特性,使发光二极管的结构接触良好,热阻值可以降到14°/W,相比于采用银胶 ...
【技术保护点】
一种大功率发光二极管的封装方法,其特征在于包括如下步骤:A、在碗形支架的内层中底部镀上导电优良的金属层;B、将发光晶片的底部与碗形支架内层底部的金属层通过共晶键合(EutecticBonding)的方式压焊结合; C、将晶片的正负极通过金线与基板的正负极相连接;D、填充胶水封装并烘干。
【技术特征摘要】
1.一种大功率发光二极管的封装方法,其特征在于包括如下步骤A、在碗形支架的内层中底部镀上导电优良的金属层;B、将发光晶片的底部与碗形支架内层底部的金属层通过共晶键合(Eutectic Bonding)的方式压焊结合;C、将晶片的正负极通过金线与基板的正负极相连接;D、填充胶水...
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