本发明专利技术构思提供了一种基板处理装置及基板处理方法。具体地，提供了一种用于通过使用超临界流体处理基板的装置和方法。在一实施方案中，该装置可以包括：工艺腔室，该工艺腔室提供处理空间并且包括增加处理空间的内部温度的腔室加热器；基板支承件，该基板支承件提供在处理空间中并且支承基板；以及基板加热构件，该基板加热构件在接触基板的下表面的情况下加热基板的下表面。下加热基板的下表面。下加热基板的下表面。
【技术实现步骤摘要】
基板处理装置及基板处理方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年7月10日提交韩国知识局的、申请号为10
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2020
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0085276的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。
[0003]在本文中描述的本专利技术构思的实施方案涉及一种基板处理装置及基板处理方法。
技术介绍
[0004]随着集成电路设备的设计规则的降低，半导体设备的临界尺寸约为20nm或30nm或更小，因此，需要用于形成具有约5以上的相对高深宽比(aspect ratio)的深且窄的图案的工艺，以及随后的清洁和干燥工艺。已经提出了当在具有高深宽比的结构的基板上执行特定处理工艺(例如蚀刻、清洁和干燥)时使用超临界流体的方法。
[0005]在使用超临界流体的干燥方法中，当工艺腔室的内部满足高温和高压条件时，可以实现异丙醇(IPA)和二氧化碳(CO2)的单相，在基板(例如，晶片)上形成液膜的IPA从该液膜的表面开始逐渐反应并且被干燥。
[0006]根据常规技术，在热量没有被直接施加至基板的情况下，随着高温的CO2被注入，基板的温度升高，然后基板上的所有IPA可能不会被替换并且部分被留下，使得在反应时间不足或供应的CO2量不足时，可能出现干燥错误。
[0007]再者，根据常规技术，通过使用常温的IPA在基板上形成液膜之后，基板被引入至工艺腔室中。然后，当将引入至工艺腔室中的基板安置在支承基板的支承件上之后、关闭工艺腔室以开始工艺时，基板可以原样位于支承件上、或者可以安置在结构的销上，该结构的销安装在工艺腔室的下部。基板与工艺腔室的上侧以及与安装在工艺腔室的下部的结构的上表面间隔开，以保持基板处于不直接从热源接收热量的状态。为了使IPA和CO2的混合流体处于单相，温度必须为80℃以上和压力必须为108bar以上，并且由于IPA不直接接收热量，因此将具有液膜的基板上形成的、室温的IPA的温度升高需要花费很多时间。
技术实现思路
[0008]本专利技术构思的实施方案提供一种基板处理装置及基板处理方法，该基板处理装置可以有效地处理基板。
[0009]本专利技术构思的实施方案提供一种基板处理装置及基板处理方法，该基板处理装置可以进一步改善干燥基板时的倾斜现象。
[0010]本专利技术构思的实施方案提供了一种基板处理装置及基板处理方法，该基板处理装置可以更迅速地增加防干燥液体的温度、以减少用于基板达到超临界相的时间段，并且当通过超临界流体处理基板时、可以改善每小时每台机器的产量(unit per equipment hour,UPEH)。
[0011]本专利技术构思的实施方案提供一种基板处理装置及基板处理方法，当基板具有高深
宽比的图案时、该基板处理装置可以更有效地去除防干燥液体。
[0012]本专利技术构思的方面不限于此，本领域技术人员可以从以下描述中清楚地理解本专利技术的其他未提及的方面。
[0013]本专利技术构思提供了一种用于通过使用超临界流体处理基板的装置。在一实施方案中，该装置可以包括：工艺腔室，该工艺腔室提供处理空间并包括增加处理空间的内部温度的腔室加热器；基板支承件，该基板支承件提供在处理空间中并且支承基板；以及基板加热构件，该基板加热构件在接触基板的下表面的情况下加热基板的下表面。
[0014]在一实施方案中，可以用防干燥液体(drying preventing liquid)在通过使用超临界流体处理的基板上形成液膜。
[0015]在一实施方案中，基板加热构件可以将基板加热到防干燥液体与基板的表面反应时表现出莱顿弗罗斯特效应(Leidenfrost effect)的温度。
[0016]在一实施方案中，基板加热构件可以将基板加热至防干燥液体的过渡沸点(transition boiling point)以上。
[0017]在一实施方案中，基板加热构件可以将基板加热至110℃以上。
[0018]在一实施方案中，腔室加热器和基板加热构件可以被独立地控制。
[0019]在一实施方案中，基板加热构件可以具有对应于基板的整个表面的区域。
[0020]在一个实施例中，工艺腔室可以通过上腔室和下腔室的结合形成，该下腔室根据相对于上腔室的向上/向下移动而耦合至上腔室、并且通过与上腔室耦合而形成密封空间，以及基板支承件可以被耦合至上腔室，并且基板加热构件可以被耦合至下腔室。
[0021]在一实施方案中，该装置还可以包括第一供应端口，该第一供应端口连接到第一供应管路(supply line)，该第一供应管路将处理液体供应到工艺腔室的处理空间的、位于基板的下部的部分，基板加热构件可以被设置在第一供应端口与基板支承件之间，并且可以阻止(interrupt)超临界流体从第一供应端口直接喷射到基板。
[0022]在一实施方案中，基板加热器可以被嵌入基板加热构件的内部，并且可以用由基板加热构件产生的热量加热基板。
[0023]在一实施方案中，基板加热器可以被提供在下腔室的内部，该基板加热器加热基板加热构件，并且基板加热构件可以接收由基板加热器产生的热量并且加热基板。
[0024]在一实施方案中，下腔室可以由不锈钢材料形成。
[0025]在一实施方案中，下腔室和基板加热构件可以通过具有设定导热率以上的材料而彼此连接。
[0026]在一实施方案中，基板加热构件可以由不锈钢材料形成。
[0027]根据本专利技术构思的另一方面，一种用于通过使用超临界流体处理基板的装置，该装置可以包括：工艺腔室，该工艺腔室提供处理空间并且包括增加处理空间的内部温度的腔室加热器；基板支承件，该基板支承件提供在处理空间中并且支承基板；以及升降销，该升降销从基板支承件升高和降低基板，使得基板支承件接触基板、或者使得基板支承件与基板彼此间隔开；以及基板加热构件，该基板加热构件将接触基板支承件的基板加热。
[0028]在一实施方案中，可以用防干燥液体在通过使用超临界流体处理的基板上形成液膜，并且基板加热构件可以将基板加热到防干燥液体与基板的表面反应时表现出莱顿弗罗斯特效应的温度。
[0029]在一实施方案中，腔室加热器和基板加热构件可以被独立地控制。
[0030]在一实施方案中，基板加热构件可以由不锈钢材料形成。
[0031]本专利技术构思提供了一种用于通过使用超临界流体处理基板的方法。在一实施方案中，该方法可以包括：将基板运送至处理空间的内部，在该基板上形成有防干燥液体的液膜；将基板加热到防干燥液体与基板的表面反应时表现出莱顿弗罗斯特效应的温度；以及将超临界流体供应至基板并且干燥超临界流体。
[0032]在一实施方案中，当处理空间的内部处于超临界压力以下时，可以执行基板的加热。
附图说明
[0033]参照以下附图，上述和其他目的及特征将从以下描述中变得显而易见，其中除非另有说明，否则贯穿各个附图，相同的附图标记指代相同的部件，且其中：<本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于通过使用超临界流体处理基板的装置，所述装置包括：工艺腔室，所述工艺腔室配置为提供处理空间、并且包括配置为增加所述处理空间的内部温度的腔室加热器；基板支承件，所述基板支承件提供在所述处理空间中、并且配置为支承所述基板；以及基板加热构件，所述基板加热构件配置为在接触所述基板的下表面的情况下加热所述基板的所述下表面。2.根据权利要求1所述的装置，其中，用防干燥液体在通过使用所述超临界流体处理的所述基板上形成液膜。3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述基板加热构件将所述基板加热到所述防干燥液体与所述基板的表面反应时表现出莱顿弗罗斯特效应的温度。4.根据权利要求2所述的装置，其中，所述基板加热构件将所述基板加热至所述防干燥液体的过渡沸点以上。5.根据权利要求2所述的装置，其中，所述基板加热构件将所述基板加热至110℃以上。6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述腔室加热器和所述基板加热构件被独立地控制。7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述基板加热构件具有对应于所述基板的整个表面的区域。8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述工艺腔室通过上腔室和下腔室的结合形成，所述下腔室根据相对于所述上腔室的向上/向下移动而耦合至所述上腔室、并且通过与所述上腔室耦合而形成密封空间，以及其中，所述基板支承件被耦合至上腔室，并且所述基板加热构件被耦合至下腔室。9.根据权利要求1所述的装置，所述装置还包括：第一供应端口，所述第一供应端口连接到第一供应管路，所述第一供应管路配置为将处理液体供应到所述工艺腔室的所述处理空间的、位于所述基板的下部的部分，其中，所述基板加热构件被设置在所述第一供应端口与所述基板支承件之间，并且阻止所述超临界流体从所述第一供应端口直接喷射到所述基板。10.根据权利要求9所述的装置，其中，基板加热器被嵌入所述基板加热构件的内部，并且用由所述基板加热构件产生的热量加热所述基板。11.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴美昭，李龙熙，尹堵铉，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：
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