光电转换元件及光电转换元件的制作方法技术

本发明专利技术是有关于一种光电转换元件及光电转换元件的制作方法。该光电转换元件，包括一第一半导体层、一第二半导体层以及一多孔洞层。其中第二半导体层是设置于第一半导体层上，多孔洞层是设置于第二半导体层上，其是具有相对的一第一表面与一第二表面，第一表面是面对第二半导体层，第二表面是具有复数个孔洞。该光电转换元件的制作方法，其包括下列步骤：于一半导体层之上形成一金属层；以及阳极氧化处理该金属层以形成复数个孔洞。本发明专利技术可以简化制程，且可以降低成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光电转换元件，特别是涉及一种光电转换效果佳的光电转换元件。
技术介绍
随着地球能源资源逐渐地短缺，开发新能源已成为科技业以及产业瞩目的焦点之一，替代性能源产品例如太阳电池即成为开发的标的之一。太阳电池是一种利用光伏特效应(photovoltaic effect)将光能转换成电能的光电转换元件，即利用p-n二极管吸收光能量后产生自由电子与电洞，在p-n二极管接面附近的内建电场驱使下，使自由电子向n型半导体移动，而自由电洞向p型半导体移动，进而产生电流，最后经由电极将电流引出形成可供储存的电能。太阳电池一般是以硅为主要材料，依据结晶形式不同，又可分为单晶硅太阳电池、多晶硅太阳电池以及非晶硅太阳电池，其中单晶硅太阳电池的光电转换效率最好但成本最高，而非晶硅太阳电池的光电转换效率最差但成本最低。请参阅图1所示，习知的一种太阳电池1的基本结构主要是包括一基板10、一p-n半导体11、一抗反射层12以及一金属电极对13。其中，基板10为太阳电池1的基底，p-n半导体11是设置于基板10上，作为将光能转换为电能的作用区，另外，习知的太阳电池亦可以p-n半导体11中的半导体层直本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电转换元件，其特征在于其包括：一第一半导体层；一第二半导体层，其是设置于该第一半导体层上；以及一多孔洞层，其是设置于该第二半导体层之上，该多孔洞层具有相对的一第一表面与一第二表面，该第一表面是面对该第二半导体层 ，该第二表面是具有复数个孔洞。

【技术特征摘要】
1.一种光电转换元件，其特征在于其包括一第一半导体层；一第二半导体层，其是设置于该第一半导体层上；以及一多孔洞层，其是设置于该第二半导体层之上，该多孔洞层具有相对的一第一表面与一第二表面，该第一表面是面对该第二半导体层，该第二表面是具有复数个孔洞。2.根据权利要求1所述的光电转换元件，其特征在于其中所述的多孔洞层的折射系数是介于该第二半导体层的折射系数与环境介质的折射系数之间。3.根据权利要求1所述的光电转换元件，其特征在于其中所述的孔洞的至少其中之一的孔径大小是随深度的增加而缩减。4.根据权利要求1所述的光电转换元件，其特征在于其中所述的孔洞的平均孔径范围是10nm至300nm。5.根据权利要求1所述的光电转换元件，其特征在于其中所述的孔洞的平均单胞尺寸范围是50nm至1000nm。6.根据权利要求1所述的光电转换元件，其特征在于其中所述的多孔洞层具有一基底与一孔洞结构，该孔洞结构是形成于该基底之上。7.根据权利要求1所述的光电转换元件，其特征在于其更包括一透明导电层，其是设置于该多孔洞层与该第二半导体层之间。8.根据权利要求1所述的光电转换元件，其特征在于其更包括一抗反射层，其是设置于该多孔洞层之上。9.根据权利要求1所述的光电转换元件，其特征在于其更包括一抗反射结构，其是具有复数个凸块设置于该第二半导体层与该多孔洞层之间。10.一种光电转换元件，其特征在于其包括一第一半导体层；一第二半导体层，其是设置于该第一半导体层上；以及一通孔结构层，其是设置于该第二半导体层之上，该通孔结构层具有复数个通孔。11.根据权利要求10所述的光电转换元件，其特征在于其中所述的通孔结构层的折射系数是介于该第二半导体层的折射系数与环境介质的折射系数之间。12.根据权利要求10所述的光电转换元件，其特征在于其中所述的通孔的至少其中之一的孔径大小是随深度的增加而缩减。13.根据权利要求10所述的光电转换元件，其特征在于其中所述的通孔的平均孔径范围是10nm至300nm。14.根据权利要求10所述的光电转换元件，其特征在于其中所述的通孔的平均单胞尺寸范围是50nm至1000nm。15.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈楷林，许国强，温志中，洪传献，
申请(专利权)人：新日光能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]