一种半导体封装制造技术

本实用新型专利技术涉及一种半导体封装。根据本实用新型专利技术的一实施例，一种半导体封装包括：半导体裸片，第一介电层及第二介电层。所述半导体裸片具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面以及将所述第一表面连接到所述第二表面的侧壁。所述第一介电层，邻近所述半导体裸片的所述侧壁设置。所述第二介电层，邻近所述半导体裸片的所述第二表面设置。所述半导体封装具有裸片边缘保护层，从而可以免受撞裂或金属扩散的风险。扩散的风险。扩散的风险。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体封装


[0001]本公开大体上涉及半导体封装领域，且更具体来说，涉及一种半导体封装。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的发展和集成度的不断提高，器件单元数量急剧增加且尺寸不断缩小，使得制造过程中产生的颗粒污染物对封装制造的不利影响日益凸显。特别地，在半导体封装过程中，切片工艺通常会产生很多颗粒，这些颗粒会停留在切割道的切口区域，并在堆叠裸片时由黏胶膜上拿取单颗裸片(die ejection)的过程中发生松动。一方面，颗粒可能落在邻近裸片的保护层(例如暴露的非导电膜(NCF))表面上，并随机移动，划伤或切断导电材料，导致产品良率降低和可靠性故障。另一方面，颗粒还可能在半导体封装过程中撞击裸片而形成微裂纹，不利地影响到内部电路层，进而导致可靠性问题。此外，在裸片的边缘缺乏必要保护的情况下，诸如铜的金属污染物会通过硅扩散进入电路，引起可靠性问题。
[0003]现有的切片工艺容易产生较多颗粒，并且会损坏裸片的边缘；而形成的裸片边缘通常是缺乏保护的，容易遭受裂纹或金属扩散。另外，现有的切片工艺通常需要较大宽度的切割道来进行裸片分离，例如具有数十微米甚至一百微米宽度的切割道，这消耗了大量的晶圆面积，降低了晶圆的有效利用率。
[0004]鉴于此，本领域迫切需要提供改进方案以解决上述问题。

技术实现思路

[0005]鉴于此，本公开提供了一种半导体封装，该半导体封装中的半导体裸片具有边缘保护层，从而可以免受撞裂或金属扩散的风险。
[0006]根据本技术的一实施例，一种半导体封装包括：半导体裸片，第一介电层及第二介电层。所述半导体裸片具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面以及将所述第一表面连接到所述第二表面的侧壁。所述第一介电层，邻近所述半导体裸片的所述侧壁设置。所述第二介电层，邻近所述半导体裸片的所述第二表面设置。
[0007]根据本技术的又一实施例，所述第一介电层与所述第二介电层接触。
[0008]根据本技术的另一实施例，所述第一介电层与所述第二介电层一体形成。
[0009]根据本技术的另一实施例，所述第一介电层围绕所述第二介电层。
[0010]根据本技术的另一实施例，所述第一介电层具有与所述半导体裸片的所述第一表面共面的第一表面。
[0011]根据本技术的另一实施例，所述第一介电层具有与所述第一介电层的所述第一表面相对并且与所述第二介电层的表面共面的第二表面。
[0012]根据本技术的另一实施例，所述半导体封装还包括从所述半导体裸片的所述第二表面突出的至少一个导电通孔。
[0013]根据本技术的另一实施例，所述第二介电层围绕所述导体通孔。
[0014]根据本技术的另一实施例，所述第二介电层的厚度与所述第一介电层的厚度
基本相同。
[0015]根据本技术的另一实施例，所述第一介电层具有粗糙的表面。
[0016]根据本技术的另一实施例，所述半导体裸片的所述第一表面是有源表面。
[0017]根据本技术的另一实施例，所述半导体封装还包括：金属层，邻近所述第一介电层设置。
[0018]根据本技术的另一实施例，所述半导体封装还包括：第三介电层，邻近所述金属层设置。
[0019]根据本技术的另一实施例，所述金属层和所述第三介电层具有与所述半导体裸片的所述第一表面共面的第一表面。
[0020]根据本技术的另一实施例，所述金属层和所述第三介电层具有与所述金属层和所述第三介电层的第一表面相对并且与所述第二介电层的所述表面共面的第二表面。
[0021]本技术的额外层面及优点将部分地在后续说明中描述、显示、或是经由本技术实施例的实施而阐释。
附图说明
[0022]图1A为颗粒污染物附着在半导体裸片的表面上的示意图。
[0023]图1B为颗粒污染物影响键合的示意图。
[0024]图2A示出了根据本技术一实施例的半导体封装。
[0025]图2B为根据本技术一实施例的半导体封装的裸片边缘的示意图。
[0026]图3示出了根据本技术一实施例的半导体封装。
[0027]图4A至图4J示出了制备图2A所示的半导体封装的方法。
[0028]图5A至图5K示出了制备图3所示的半导体封装的方法。
[0029]根据惯例，图示中所说明的各种特征可能并非按比例绘制。因此，为了清晰起见，可任意扩大或减小各种特征的尺寸。图示中所说明的各部件的形状仅为示例性形状，并非限定部件的实际形状。另外，为了清楚起见，可简化图示中所说明的实施方案。因此，图示可能并未说明给定设备或装置的全部组件。最后，可贯穿说明书和图示使用相同参考标号来表示相同特征。
具体实施方式
[0030]为更好的理解本技术的精神，以下结合本技术的部分优选实施例对其作进一步说明。
[0031]以下揭示内容提供了多种实施方式或例示，其能用以实现本揭示内容的不同特征。下文所述之组件与配置的具体例子系用以简化本揭示内容。当可想见，这些叙述仅为例示，其本意并非用于限制本揭示内容。举例来说，在下文的描述中，将一第一特征形成于一第二特征上或之上，可能包括某些实施例其中所述的第一与第二特征彼此直接接触；且也可能包括某些实施例其中还有额外的组件形成于上述第一与第二特征之间，而使得第一与第二特征可能没有直接接触。此外，本揭示内容可能会在多个实施例中重复使用组件符号和/或标号。此种重复使用乃是基于简洁与清楚的目的，且其本身不代表所讨论的不同实施例和/或组态之间的关系。
[0032]在本说明书中，除非经特别指定或限定之外，相对性的用词例如：“中央的”、“纵向的”、“侧向的”、“前方的”、“后方的”、“右方的”、“左方的”、“内部的”、“外部的”、“较低的”、“较高的”、“水平的”、“垂直的”、“高于”、“低于”、“上方的”、“下方的”、“顶部的”、“底部的”以及其衍生性的用词(例如“水平地”、“向下地”、“向上地”等等)应该解释成引用在讨论中所描述或在附图中所描示的方向。这些相对性的用词仅用于描述上的方便，且并不要求将本技术以特定的方向建构或操作。
[0033]以下详细地讨论本技术的各种实施方式。尽管讨论了具体的实施，但是应当理解，这些实施方式仅用于示出的目的。相关领域中的技术人员将认识到，在不偏离本技术的精神和保护范围的情况下，可以使用其他部件和配置。本技术的实施可不必包含说明书所描述的实施例中的所有部件或步骤，也可根据实际应用而调整各步骤的执行顺序。
[0034]图1A为颗粒污染物附着在半导体裸片的表面上的示意图。在半导体封装过程中，切片工艺会产生颗粒，例如硅的碎屑。颗粒会滞留在半导体裸片的切割道区域，或者落到邻近裸片的表面上。如图1A所示，半导体裸片100a的背表面上设置有多个凸块下金属(UBM)101a，颗粒102a附着在半导体裸片100a的背表面上并位于两个UB本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，其特征在于，所述半导体封装包括：半导体裸片，具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面以及将所述第一表面连接到所述第二表面的侧壁；第一介电层，邻近所述半导体裸片的所述侧壁设置；及第二介电层，邻近所述半导体裸片的所述第二表面设置。2.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，其中所述第一介电层与所述第二介电层接触。3.根据权利要求2所述的半导体封装，其特征在于，其中所述第一介电层与所述第二介电层一体形成。4.根据权利要求2所述的半导体封装，其特征在于，其中所述第一介电层围绕所述第二介电层。5.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，其中所述第一介电层具有与所述半导体裸片的所述第一表面共面的第一表面。6.根据权利要求5所述的半导体封装，其特征在于，其中所述第一介电层具有与所述第一介电层的所述第一表面相对并且与所述第二介电层的表面共面的第二表面。7.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，其中所述半导体封装还包括从所述半导体裸片的所述第二表面突出的至少一个导电通孔。8.根据权利要求7中...

【专利技术属性】
技术研发人员：B，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：新型
国别省市：