一种半导体封装制造技术

本实用新型专利技术涉及一种半导体封装。根据本实用新型专利技术的一实施例，一种半导体封装包含：衬底，其具有第一表面；半导体裸片，其耦合至所述衬底的所述第一表面；第一绝缘材料，其覆盖所述半导体裸片以及所述衬底的至少一部分所述第一表面，其中所述第一绝缘材料包含位于所述半导体裸片上方的第一凹槽；以及第二绝缘材料，其位于所述第一凹槽中，其中所述第二绝缘材料的弹性模量低于所述第一绝缘材料的弹性模量。的弹性模量低于所述第一绝缘材料的弹性模量。的弹性模量低于所述第一绝缘材料的弹性模量。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体封装


[0001]本技术大体涉及半导体封装技术，尤其涉及包含混合模量区块的半导体封装。

技术介绍

[0002]在现有技术中，半导体封装在装配至PCB板之前通常要经历各种测试以验证是否满足设计和制造要求，其中包括封装应变测试。随着封装尺寸的不断减小，对于小尺寸封装的封装应变测试日趋严苛。例如，在一些类型的半导体封装中，本领域通常期望裸片上模塑料厚度(top mold clearance)小于130μm。然而，裸片上模塑料厚度越小，就意味着所允许的最小应变(Minimum Strain)越小，因而通过封装应变测试的难度也就越大。因此，当要求裸片上模塑料厚度小于130μm时，现有的单一组分模塑封装均无法满足严苛的最小应变要求(例如，最小应变值不得低于7000με)。
[0003]鉴于封装应变与模塑料的弹性模量(下文简称“模量”)以及断裂韧性强相关，有些现有技术提出了通过调整模塑料的模量和断裂韧性来改善封装应变(例如降低模量和增加断裂韧性)的技术方案。然而，调整模塑料的模量和断裂韧性可能间接导致封装无法满足其他方面的产品要求，例如衬底翘曲、可制造性以及板级可靠性(Board level reliability，BLR)等。换言之，采用单一模塑料来实施半导体封装并不能同时满足各方面要求，往往顾此失彼。
[0004]有鉴于此，本领域迫切需要提供改进方案以解决上述问题。

技术实现思路

[0005]本公开提供了一种半导体封装，该半导体封装结构包含高模量区块及低模量区块。
[0006]根据本技术的一实施例，提供了一种半导体封装，其特征在于包含：衬底，其具有第一表面；半导体裸片，其耦合至所述衬底的所述第一表面；第一绝缘材料，其覆盖所述半导体裸片以及所述衬底的至少一部分所述第一表面，其中所述第一绝缘材料包含位于所述半导体裸片上方的第一凹槽；以及第二绝缘材料，其位于所述第一凹槽中，其中所述第二绝缘材料的弹性模量低于所述第一绝缘材料的弹性模量。
[0007]根据本技术的另一实施例，半导体封装中的所述第二绝缘材料位于所述第一绝缘材料的顶部中央。
[0008]根据本技术的另一实施例，半导体封装中的所述第一绝缘材料的顶部表面与所述第二绝缘材料的顶部表面共面。
[0009]根据本技术的另一实施例，半导体封装中的所述第一凹槽具有一或多个圆化边角。
[0010]根据本技术的另一实施例，半导体封装中的所述第一绝缘材料包含位于所述半导体裸片上方并与所述第一凹槽分离的第二凹槽。
[0011]根据本技术的另一实施例，半导体封装中的所述第一绝缘材料包含位于所述半导体裸片上方并与所述第一凹槽和所述第二凹槽分离的第三凹槽，其中所述第二凹槽和所述第三凹槽分别位于所述第一凹槽的两侧。
[0012]根据本技术的另一实施例，半导体封装中的所述第二凹槽和所述第三凹槽相对所述第一凹槽对称。
[0013]根据本技术的另一实施例，半导体封装中的所述第一绝缘材料和所述第二绝缘材料的每一者均包含树脂、硬化剂以及填料。
[0014]根据本技术的另一实施例，半导体封装中的所述第一绝缘材料与所述第二绝缘材料包含相同的所述树脂和相同的所述硬化剂。
[0015]根据本技术的另一实施例，半导体封装中的所述第一绝缘材料的所述填料的含量高于所述第二绝缘材料的所述填料的含量。
[0016]本技术实施例的额外层面及优点将部分地在后续说明中描述、显示、或是经由本技术实施例的实施而阐释。
附图说明
[0017]图1显示现有技术中的半导体封装结构示意图。
[0018]图2显示现有技术中对半导体封装执行封装应变测试的示意图。
[0019]图3显示了根据本技术一实施例的半导体封装结构示意图。
[0020]图4A显示了图3所示的半导体封装结构的俯视图。
[0021]图4B显示与图4A类似的半导体封装结构的俯视图。
[0022]图5显示了根据本技术另一实施例的半导体封装结构示意图。
[0023]图6A显示了图5所示的半导体封装结构的俯视图。
[0024]图6B显示与图6A类似的半导体封装结构的俯视图。
[0025]图7显示了根据本技术一实施例的半导体封装的具体结构示意图。
[0026]图8显示了根据本技术另一实施例的半导体封装的具体结构示意图。
[0027]图9A至9D显示了根据本技术一实施例形成如图3所示的半导体封装结构的方法步骤。
具体实施方式
[0028]为更好的理解本技术的精神，以下结合本技术的部分优选实施例对其作进一步说明。
[0029]以下揭示内容提供了多种实施方式或例示，其能用以实现本揭示内容的不同特征。下文所述之组件与配置的具体例子系用以简化本揭示内容。当可想见，这些叙述仅为例示，其本意并非用于限制本揭示内容。举例来说，在下文的描述中，将一第一特征形成于一第二特征上或之上，可能包括某些实施例其中所述的第一与第二特征彼此直接接触；且也可能包括某些实施例其中还有额外的组件形成于上述第一与第二特征之间，而使得第一与第二特征可能没有直接接触。此外，本揭示内容可能会在多个实施例中重复使用组件符号和/或标号。此种重复使用乃是基于简洁与清楚的目的，且其本身不代表所讨论的不同实施例和/或组态之间的关系。
[0030]在本说明书中，除非经特别指定或限定之外，相对性的用词例如：“中央的”、“纵向的”、“侧向的”、“前方的”、“后方的”、“右方的”、“左方的”、“内部的”、“外部的”、“较低的”、“较高的”、“水平的”、“垂直的”、“高于”、“低于”、“上方的”、“下方的”、“顶部的”、“底部的”以及其衍生性的用词(例如“水平地”、“向下地”、“向上地”等等)应该解释成引用在讨论中所描述或在附图中所描示的方向。这些相对性的用词仅用于描述上的方便，且并不要求将本技术以特定的方向建构或操作。
[0031]以下详细地讨论本技术的各种实施方式。尽管讨论了具体的实施，但是应当理解，这些实施方式仅用于示出的目的。相关领域中的技术人员将认识到，在不偏离本技术的精神和保护范围的情况下，可以使用其他部件和配置。
[0032]图1显示现有技术中的半导体封装结构示意图。如图1所示，在半导体封装(10)中，半导体裸片(101)形成在衬底(100)上方并耦合至衬底(100)的上表面。应可理解，半导体裸片(101)可包含裸片堆叠且可经由若干导线引线键合至衬底(100)的上表面(未示出)。模塑材料(102)位于衬底(100)上方包封半导体裸片(101)及导线(未示出)，并覆盖衬底(100)的部分上表面。作为一实施例，可在衬底(100)的下表面进一步形成若干导电焊球(103)以实现半导体封装(10)与外部器件的电连接。图1所示的模塑材料(102)具有单一组分，当半导体裸片(101)上方的模塑材料厚度减少时，无论怎样调整其组分，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，其特征在于，其包含：衬底，其具有第一表面；半导体裸片，其耦合至所述衬底的所述第一表面；第一绝缘材料，其覆盖所述半导体裸片以及所述衬底的至少一部分所述第一表面，其中所述第一绝缘材料包含位于所述半导体裸片上方的第一凹槽；以及第二绝缘材料，其位于所述第一凹槽中，其中所述第二绝缘材料的弹性模量低于所述第一绝缘材料的弹性模量。2.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述第二绝缘材料位于所述第一绝缘材料的顶部中央。3.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述第一绝缘材料的顶部表面与所述第二绝缘材料的顶部表面共面。4.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述第一凹槽具有一或多个圆化边角。5.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述第一绝缘材料包含位于所述半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖世雄，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：新型
国别省市：