半导体封装设备和其制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体封装设备和制造半导体封装设备的方法。所述半导体封装设备包含衬底、第一电子组件、第一介电层和第一孔洞。所述衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述第一电子组件安置于所述第一表面上。所述第一介电层安置于所述第二表面上并且具有远离所述衬底的第三表面。所述第一孔洞从所述第一介电层和所述衬底延伸。所述第一孔洞与所述第一电子组件大体上对准。洞与所述第一电子组件大体上对准。洞与所述第一电子组件大体上对准。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装设备和其制造方法


[0001]本公开涉及半导体封装设备和其制造方法，并且涉及包含电子组件的半导体封装设备和其制造方法。

技术介绍

[0002]半导体封装设备可包含衬底和附接到其的多个设备。衬底可具有促进设备中的一个的外部信号接收的穿通孔。然而，由于穿通孔自身可变成设备污染的通道，因此穿通孔会限制一系列后续制造操作。在一些技术中，塑料构件可附接到衬底，具有与衬底的穿通孔对准的穿通孔以便促进外部信号接收。然而，难以识别将塑料构件恰当地附接到衬底的适当粘附剂，且技术上难以将衬底的穿通孔与塑料构件的穿通孔对准在可容许的范围内。

技术实现思路

[0003]在一些实施例中，一种半导体封装设备包含衬底、第一电子组件、第一介电层和第一孔洞。所述衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述第一电子组件安置于所述第一表面上。所述第一介电层安置于所述第二表面上并且具有远离所述衬底的第三表面。所述第一孔洞延伸穿过所述第一介电层和所述衬底。所述第一孔洞与所述第一电子组件大体上对准。
[0004]在一些实施例中，一种半导体封装设备包含衬底、第一微机电系统(MEMS)设备、第二MEMS设备、第一孔洞和第二孔洞。所述衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。第一MEMS设备安置于第一表面上。第二MEMS设备安置于第二表面上。第一孔洞包含延伸穿过衬底并且与第一MEMS设备大体上对准的第一区段。第二孔洞延伸穿过衬底并且与第二MEMS设备大体上对准。
[0005]在一些实施例中，一种制造半导体封装设备的方法包含：提供具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的衬底；在所述第二表面上形成第一介电层且所述第一介电层具有远离所述衬底的第三表面；形成从所述第三表面延伸到所述第一表面的第一孔洞；和在所述第一表面上安置第一电子组件。所述第一孔洞与所述第一电子组件大体上对准。
附图说明
[0006]当结合附图阅读时，从以下具体实施方式易于理解本公开的一些实施例的各方面。应注意，各种结构可能未按比例绘制，且出于论述清楚起见，可任意增大或减小各种结构的尺寸。
[0007]图1说明根据本公开的一些实施例的半导体封装设备的横截面视图。
[0008]图2A说明根据本公开的一些实施例的如图1中所示的虚线框B1的放大视图。
[0009]图2B说明根据本公开的一些实施例的如图1中所示的虚线框B1的放大视图。
[0010]图3说明根据本公开的一些实施例的半导体封装设备的横截面视图。
[0011]图4说明根据本公开的一些实施例的半导体封装设备的横截面视图。
[0012]图5说明根据本公开的一些实施例的半导体封装设备的横截面视图。
[0013]图6说明根据本公开的一些实施例的半导体封装设备的横截面视图。
[0014]图7说明根据本公开的一些实施例的用于制造半导体封装设备的方法的实例的一或多个阶段。
[0015]图8说明根据本公开的一些实施例的用于制造半导体封装设备的方法的实例的一或多个阶段。
[0016]图9说明根据本公开的一些实施例的用于制造半导体封装设备的方法的实例的一或多个阶段。
[0017]图10说明根据本公开的一些实施例的用于制造半导体封装设备的方法的实例的一或多个阶段。
[0018]图11说明根据本公开的一些实施例的用于制造半导体封装设备的方法的实例的一或多个阶段。
[0019]图12说明根据本公开的一些实施例的用于制造半导体封装设备的方法的实例的一或多个阶段。
[0020]图13说明根据本公开的一些实施例的用于制造半导体封装设备的方法的实例的一或多个阶段。
[0021]图14说明根据本公开的一些实施例的用于制造半导体封装设备的方法的实例的一或多个阶段。
[0022]图15说明根据本公开的一些实施例的用于制造半导体封装设备的方法的实例的一或多个阶段。
[0023]图16说明根据本公开的一些实施例的用于制造半导体封装设备的方法的实例的一或多个阶段。
[0024]图17说明根据本公开的一些实施例的用于制造半导体封装设备的方法的实例的一或多个阶段。
[0025]图18说明根据本公开的一些实施例的用于制造半导体封装设备的方法的实例的一或多个阶段。
[0026]图19说明根据本公开的一些实施例的用于制造半导体封装设备的方法的实例的一或多个阶段。
[0027]图20说明根据本公开的一些实施例的用于制造半导体封装设备的方法的实例的一或多个阶段。
[0028]图21说明根据本公开的一些实施例的用于制造半导体封装设备的方法的实例的一或多个阶段。
[0029]图22说明根据本公开的一些实施例的用于制造半导体封装设备的方法的实例的一或多个阶段。
[0030]图23说明根据本公开的一些实施例的用于制造半导体封装设备的方法的实例的一或多个阶段。
[0031]图24说明根据本公开的一些实施例的用于制造半导体封装设备的方法的实例的一或多个阶段。
[0032]图25说明根据本公开的一些实施例的用于制造半导体封装设备的方法的实例的
一或多个阶段。
[0033]图26说明根据本公开的一些实施例的用于制造半导体封装设备的方法的实例的一或多个阶段。
具体实施方式
[0034]贯穿附图和详细描述使用共用参考标号来指示相同或类似组件。根据以下结合附图作出的详细描述将容易理解本公开的实施例。
[0035]以下公开内容提供用于实施所提供标的物的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件和布置的具体实例以解释本公开的某些方面。当然，这些只是实例且并不意欲为限制性的。举例来说，在以下描述中，第一特征在第二特征上方或上的形成可包含第一特征和第二特征直接接触地形成或安置的实施例，且还可包含额外特征可在第一特征与第二特征之间形成或安置使得第一特征和第二特征可不直接接触的实施例。此外，本公开可在各种实例中重复参考标号和/或字母。这种重复是出于简化和清楚的目的且本身并不规定所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。
[0036]本公开提供一种半导体封装设备，其包含衬底、安置于衬底的表面上的第一电子组件和安置于衬底的另一表面上的介电层。第一孔洞延伸穿过衬底和介电层并且与第一电子组件大体对准，从而允许第一电子组件有效地接收穿过其的至少一个信号。反射层可沿着第一孔洞的侧壁安置以减小在物理信号传递期间的反射损耗。此外，为增强半导体封装设备的稳健性，介电层可牢固地固持安置于衬底上的一或多个相对小的设备。因此，可达成相对小的包装大小。此外，可经由相对便宜的工艺(例如机械钻孔或激光烧蚀)形成第一孔洞。
[0037]另外，半导体封装设备可包含与介电层安置于衬底的同一侧部上的第二电子组件。第二孔洞延伸穿过衬底并且与第二电子组件基本对准。第二电子组件可有效地接收穿过第二孔洞的至少一个物理信号。通过这类布置，第一电子组件和第二电子组件可个别地接收彼此不同的至少一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装设备，其包括：衬底，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；第一电子组件，其安置于所述第一表面上；第一介电层，其安置于所述第二表面上并且具有远离所述衬底的第三表面；和第一孔洞，其延伸穿过所述第一介电层和所述衬底；其中所述第一孔洞与所述第一电子组件大体上对准。2.根据权利要求1所述的半导体封装设备，其另外包括：第二电子组件，其安置于所述第一表面上；和第二孔洞，其从所述第三表面延伸到所述第一表面，其中所述第二孔洞与所述第二电子组件大体上对准。3.根据权利要求1所述的半导体封装设备，所述第一孔洞具有两端，一端与所述第一介电层的侧面相邻且另一端与所述第一表面相邻。4.根据权利要求1所述的半导体封装设备，其另外包括安置于所述第一表面上的第二介电层，其中所述第一电子组件被所述第二介电层覆盖。5.根据权利要求1所述的半导体封装设备，其另外包括通过接合线电连接到所述衬底的半导体裸片，其中所述半导体裸片和所述接合线被所述第一介电层覆盖。6.根据权利要求1所述的半导体封装设备，其另外包括所述第一介电层中的多个导通孔，其中所述多个导通孔电连接到所述衬底。7.根据权利要求1所述的半导体封装设备，其另外包括沿着所述第一孔洞的侧壁安置的反射层。8.根据权利要求1所述的半导体封装设备，其中所述第一孔洞具有楔形轮廓。9.根据权利要求1所述的半导体封装设备，其中所述第一孔洞具有大体上垂直于所述第三表面的侧壁。10.根据权利要求1所述的半导体封装设备，其中所述第一电子组件是微机电系统MEMS设备。11.一种半导体封装设备，其包括：衬底，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；第一MEMS设备，其安置于所述第一表面上；第二MEMS设备，其安置于所述第二表面上；第一孔洞，其包含延伸穿过所述衬底并且与所述第一MEMS设备大体上对准的第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭彦成，杨韶纶，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：