芯片密封环制造技术

本发明专利技术提供了一种芯片密封环，包括：第一金属层至第N金属层，依次形成在基底上，N层金属层之间通过介质层隔离开，每层金属层均包括第一金属条至第N金属条，同层金属层中的第一金属条至第N金属条依次围绕于芯片从内到外依次形成N个非闭合的环状结构，每个金属条均具有第一开口，每层金属层的每个金属条均连通到相邻层的一个金属条上，并且同层金属层的金属条不能连通到同一金属条上；多个电性测试键，用以测试金属层的电性，每个金属条上均具有两个电性测试键。通过测试电性测试键的信号以获得与电性测试键连通的金属层的电性参数。得与电性测试键连通的金属层的电性参数。得与电性测试键连通的金属层的电性参数。

【技术实现步骤摘要】
芯片密封环


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其是涉及一种芯片密封环。

技术介绍

[0002]在晶圆封装工艺中，需要对芯片进行切割。为了保护芯片，一般会在芯片和切割道之间，配置芯片密封环(seal ring)。芯片密封环可以防止任何裂痕侵入芯片内部，芯片密封环的部分结构为层间介质层(IMD)。
[0003]半导体业界，想单位晶圆上获得更多的芯片是一直研究的方向。现有技术一般采用的方法为，缩小切割道宽度或者省略芯片密封环结构，减少芯片之外的部位的面积，从而使得有更多的面积形成芯片，以提高晶圆上的芯片的数量。但是因为切割道上要放置足够的电性测试键，甚至一些工艺中的电性测试键全部位于切割道上，电性测试键可以用来测试多种电性，例如用来测试金属层之间的漏电流。因此，如果一味的减少切割道的宽度，可能导致电性测试键无法放置或者影响电性测试键的功能。而如果省去芯片密封环，则可能会带来后续切割崩坏的风险。无论是先进的28nm工艺还是普通的0.18μm工艺，发生过多起芯片裂开的案例，失效分析的结果一般都为在切割道进行切割时，产生的机械力冲破芯片密封环的保护，使得芯片密封环产生裂缝，并且裂缝延伸到芯片的内部，导致芯片内部的线路的断路及损坏，因此，芯片密封环缺一不可。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种芯片密封环，在切割晶圆形成独立芯片时，可以保护芯片不会受到切割产生的机械力的影响，同时，还可以对电性进行测试，减少切割道上的电性测试键，从而减少切割道的宽度，以在晶圆上形成更多的芯片。r/>[0005]为了达到上述目的，本专利技术提供了一种芯片密封环，包括：
[0006]基底，围绕于芯片形成闭合的环状结构；
[0007]第一金属层至第N金属层，依次形成在所述基底上，N层所述金属层之间通过介质层隔离开，每层所述金属层均包括第一金属条至第N金属条，同层所述金属层中的所述第一金属条至第N金属条依次围绕于所述芯片从内到外依次形成N个非闭合的环状结构，每个所述金属条均具有第一开口，每层所述金属层的每个金属条均连通到相邻层的一个金属条上，并且同层所述金属层的金属条不能连通到同一金属条上；以及
[0008]多个电性测试键，用以测试所述金属层的电性，每个所述金属条上具有两个所述电性测试键，两个所述电性测试键分别位于所述第一开口处的金属条的两个端部上。
[0009]可选的，在所述的芯片密封环中，每层所述金属层的N个金属条中除了条数与当层所述金属层的层数相同的金属条，其余N
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1个金属条还具有第二开口，所述第一开口和第二开口在所述金属条相对的两个方向。
[0010]可选的，在所述的芯片密封环中，同层所述金属层上的金属条之间的距离为1μm。
[0011]可选的，在所述的芯片密封环中，所述电性测试键包括pad。
[0012]可选的，在所述的芯片密封环中，所述pad和相邻的金属条的距离为1μm。
[0013]可选的，在所述的芯片密封环中，所述pad为正方形，所述pad的边长为5μm。
[0014]可选的，在所述的芯片密封环中，每层所述金属层的每个金属条均通过连接件连通到相邻层的一个金属条。
[0015]可选的，在所述的芯片密封环中，所述基底和所述第一金属层之间通过介质层隔开，所述第一金属层通过连接件连接到所述基底的表面。
[0016]可选的，在所述的芯片密封环中，N为四，四层金属层分别为第一金属层、第二金属层、第三金属层和第四金属层；所述第一金属层位于所述基底上，并且通过介质层和所述基底隔开，所述第一金属层还通过连接件与所述基底的表面连通；所述第二金属层位于所述第一金属层上，并且通过介质层与所述第一金属层隔开；所述第三金属层位于所述第二金属层上，并且通过介质层与所述第二金属层隔开；所述第四金属层位于所述第三金属层上，并且通过介质层与所述第三金属层隔开。
[0017]可选的，在所述的芯片密封环中，每层所述金属层包括四个金属条，分别为第一金属条、第二金属条、第三金属条和第四金属条；所述第一金属条围绕于所述芯片形成非闭合的环状结构；所述第二金属条围绕于所述第一金属条形成非闭合的环状结构；所述第三金属条围绕于所述第二金属条形成非闭合的环状结构；所述第四金属条围绕于所述第三金属条形成非闭合的环状结构。
[0018]在本专利技术提供的芯片密封环中，通过电性测试键的信号以获得与电性测试键连通的金属条的电性参数，而金属层包括金属条，所以能通过电性测试键的信号测试金属层的电性参数，因此，本专利技术的芯片密封环不但可以在切割晶圆形成独立芯片时，保护芯片不会受到切割产生的机械力的影响，同时，还可以对电性进行测试，减少切割道上的电性测试键，从而减少切割道的宽度，以在晶圆上形成更多的芯片。
附图说明
[0019]图1是本专利技术实施例的芯片密封环的示意图；
[0020]图2是本专利技术实施例的第四层金属层的示意图；
[0021]图3是本专利技术实施例的第三层金属层的示意图；
[0022]图4是本专利技术实施例的第二层金属层的示意图；
[0023]图5是本专利技术实施例的第一层金属层的示意图；
[0024]图6是本专利技术实施例的四层金属层连通的示意图；
[0025]图中：1
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芯片密封环、100
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第一金属层、110
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第一金属条、120
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第二金属条、130
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第三金属条、140
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第四金属条、200
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第二金属层、210
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第一金属条、220
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第二金属条、230
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第三金属条、240
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第四金属条、300
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第三金属层、310
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第一金属条、320
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第二金属条、330
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第三金属条、340
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第四金属条、400
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第四金属层、410
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第一金属条、420
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第二金属条、430
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第三金属条、440
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第四金属条、510
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电性测试键、600
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连接件。
具体实施方式
[0026]下面将结合示意图对本专利技术的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准
的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。
[0027]在下文中，术语“第一”“第二”等用于在类似要素之间进行区分，且未必是用于描述特定次序或时间顺序。要理解，在适当情况下，如此使用的这些术语可替换。类似的，如果本文所述的方法包括一系列步骤，且本文所呈现的这些步骤的顺序并非必须是可执行这些步骤的唯一顺序，且一些所述的步骤可被省略和/或一些本文未描述的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片密封环，其特征在于，包括：基底，围绕于芯片形成闭合的环状结构；第一金属层至第N金属层，依次形成在所述基底上，N层所述金属层之间通过介质层隔离开，每层所述金属层均包括第一金属条至第N金属条，同层所述金属层中的所述第一金属条至第N金属条依次围绕于所述芯片从内到外依次形成N个非闭合的环状结构，每个所述金属条均具有第一开口，每层所述金属层的每个金属条均连通到相邻层的一个金属条上，并且同层所述金属层的金属条不能连通到同一金属条上；以及多个电性测试键，用以测试所述金属层的电性，每个所述金属条上具有两个所述电性测试键，两个所述电性测试键分别位于所述第一开口处的金属条的两个端部上。2.如权利要求1所述的芯片密封环，其特征在于，每层所述金属层的N个金属条中除了条数与当层所述金属层的层数相同的金属条，其余N
‑
1个金属条还具有第二开口，所述第一开口和第二开口在所述金属条相对的两个方向。3.如权利要求1所述的芯片密封环，其特征在于，同层所述金属层上的金属条之间的距离为1μm。4.如权利要求1所述的芯片密封环，其特征在于，所述电性测试键包括pad。5.如权利要求4所述的芯片密封环，其特征在于，所述pad为正方形，所述pad的边长为5μm。6.如权利要求1所述的芯片密封环，其特征在于，每层所述金属层的每个金属条均通过...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹秉霞，郭伟，
申请(专利权)人：广州粤芯半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：