薄膜半导体器件、薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法技术

本发明专利技术涉及薄膜半导体器件、薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法。横向双极晶体管（１００）包括在形成在绝缘基片（１０１）上的半导体薄膜（１０５）中形成的发射极（１０２）、基极（１０３）和集电极（１０４），在该横向双极晶体管（１００）中，半导体薄膜（１０５）是在预定方向上晶化的半导体薄膜。而且，ＭＯＳ－双极混合晶体管（２００）在形成在绝缘基片上的半导体薄膜中形成，在该ＭＯＳ－双极混合晶体管（２００）中，半导体薄膜（２０５）是在预定方向上晶化的半导体薄膜。

【技术实现步骤摘要】

技术介绍
本专利技术涉及一种形成在绝缘基板上的薄膜晶体管。作为显示图像信息和文字信息的显示器，例如0A装置，已知有 使用薄膜晶体管(TFT)的有源矩阵型平板显示器。近年来，随着多 媒体通信技术的发展，作为下一代显示器，人们关注于功能集成型显 示器，称为系统化面板的显示器。这种功能集成型显示器设计用 于个人使用，具有小尺寸和轻的重量，并且具有高分辨率和高图象质 量。此外，与图像显示有关的外围功能，例如驱动电路、存储电路、 DA转换器和图像处理电路集成在显示面板上。传统地，属于场效应晶体管的MOS (金属氧化物半导体)晶体管 主要用作形成在显示玻璃基板上的TFT。由于MOS晶体管可以方便地 构成数字电路，例如移位寄存器和显示器的显示像素开关，所以它被 广泛地使用。近年来，人们致力于通过在显示器基板上集成除了显示功能之外 的各种功能，来提高显示器的附加值。例如，日本专利申请KOKAI公 开文本No. 2005 —18088公开了一种液晶显示器，通过在各个像素中 提供光电转换元件，该液晶显示器具有利用来自例如光笔等的光的输 入功能。在上述例子的情况下，需要检测和放大光电电流的功能。但是， 在由本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜半导体器件，包括：　　　　至少一个ＭＯＳ晶体管，所述ＭＯＳ晶体管包括在形成在绝缘基板上的半导体薄膜中形成的源区、沟道区和漏区，还包括通过绝缘膜形成在所述沟道区表面上的栅电极；和　　　　至少一个横向双极晶体管，所述横向双极晶体管包括在与所述ＭＯＳ晶体管相同的绝缘基板上形成的半导体薄膜中形成的发射极、基极和集电极。

【技术特征摘要】
JP 2006-6-26 175473/20061、一种薄膜半导体器件，包括至少一个MOS晶体管，所述MOS晶体管包括在形成在绝缘基板上的半导体薄膜中形成的源区、沟道区和漏区，还包括通过绝缘膜形成在所述沟道区表面上的栅电极；和至少一个横向双极晶体管，所述横向双极晶体管包括在与所述MOS晶体管相同的绝缘基板上形成的半导体薄膜中形成的发射极、基极和集电极。2、 一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于包括 在绝缘基板上形成非单晶半导体薄膜的步骤； 在非单晶半导体薄膜上照射具有反转波峰图案形状的脉冲激光束，从而形成晶化区的步骤；以及在所述晶化区内形成横向双极薄膜晶体管和MOS薄膜晶体管中 的至少一种。3、 一种横向双极晶体管，该横向双极晶体管包括在形成在绝缘 基板上的半导体薄膜中形成的发射极、基极和集电极，所述半导体薄 膜是在预定方向上晶化的半导体薄膜。4、 根据权利要求3所述的横向双极薄膜晶体管，其特征在于在 所述横向双极晶体管中的载流子流动方向平行于所述半导体薄膜的 晶化方向。5、 根据权利要求4所述的横向双极薄膜晶体管，其特征在于所 述集电极设置在所述晶化半导体薄膜的晶体生长起点侧，所述发射极 设置在所述晶化半导体薄膜的晶体生长终点侧。6、 一种M0S—双极混合薄膜晶体管，所述MOS —双极...

【专利技术属性】
技术研发人员：河内玄士朗，
申请(专利权)人：株式会社液晶先端技术开发中心，
类型：发明
国别省市：JP[日本]