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本发明涉及薄膜半导体器件、薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法。横向双极晶体管（１００）包括在形成在绝缘基片（１０１）上的半导体薄膜（１０５）中形成的发射极（１０２）、基极（１０３）和集电极（１０４），在该横向双极晶体管（１００）中，半导体薄...该专利属于株式会社液晶先端技术开发中心所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社液晶先端技术开发中心授权不得商用。
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本发明涉及薄膜半导体器件、薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法。横向双极晶体管（１００）包括在形成在绝缘基片（１０１）上的半导体薄膜（１０５）中形成的发射极（１０２）、基极（１０３）和集电极（１０４），在该横向双极晶体管（１００）中，半导体薄...