双沟道薄膜晶体管制造技术

一种应用于薄膜晶体管液晶显示器（ＴＦＴ－ＬＣＤ）的双沟道薄膜晶体管，其包含有基板、栅极、源极与漏极，此漏极还包括两个漏极电极，且这些漏极电极与源极形成双沟道，以及，一个沟道层位于该源极与该漏极和该栅极之间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种薄膜晶体管，尤指一种具有双沟道的薄膜晶体管。
技术介绍
一般而言，薄膜晶体管液晶显示器(thin film transistor-liquid crystal display, TFT-LCD)主要由彩色滤光片基板与位于两基板之间的液晶层所构 成，其中薄膜晶体管阵列基板具有多个薄膜晶体管，并且薄膜晶体管是以矩 阵的方式排列，且每个薄膜晶体管都有与其电性连接的像素电极，形成像素 单元。薄膜晶体管是用来作为液晶显示单元的开关元件。其中，每一个薄膜 晶体管是在绝缘基板上依序制作栅极、沟道层、源极/漏极。请参考图1,图1为公知技术的薄膜晶体管的结构示意图。如上所述， 公知技术的液晶显示器具有多个排列整齐的阵列式像素单元(未显示)。该 像素单元主要由像素电极lll和薄膜晶体管100所构成。其中薄膜晶体管100 包含有基板(未显示)、栅极106、沟道层112和源极/漏极108/110层，其中 源极/漏极108/110之间又具有沟道114。且栅极106与扫瞄线105电性连接， 而源极/漏极108/110分别与数据线102以及像素电极111电性连接。但是，在薄膜晶体管的制作过程中，常会因为沟道回蚀刻(backchannel etch，BCE)工艺残留以及漏极与源极沟道(SD channel)工艺残留等问题， 使得一些金属微粒或者是导电的污染物在完成蚀刻及清洗工艺后，仍残留在 薄膜晶体管的沟道处，产生点缺陷，造成薄膜晶体管中源极和漏极之间的沟 道发生短路情况，破坏薄膜晶体管控制开关的作用。请参考图2至图3，图2至3为公知技术修补薄膜晶体管沟道点缺陷的 示意图。图2和3的条件延续图1的条件，不同的是，位于漏极110和源极 108之间的沟道114却都发生了点缺陷202的情况，使得沟道114的功用被 破坏，造成薄膜晶体管IOO无法正常开启或关闭来驱动相对应的像素单元(未 显示)。在公知技术中，修补薄膜晶体管沟道点缺陷的方法主要有两种，第 一种如同图2所示，利用点银胶等方式，形成导线204以直接将漏极110和数据线102电连接起来，因此不论扫瞄线(未显示)有无电压信号传入，薄膜 晶体管100所对应的像素单元(未显示)内的像素电极和共同电极之间一直 存在有电位差，亦即使此像素单元(未显示)内液晶分子直接随数据线102 的所有数据信号偏转，维持呈现亮点的状态。另外一种修补薄膜晶体管沟道 点缺陷的方法，则如同图3所示，利用激光等切割方法将漏极110局部切断， 形成切口 206,让漏极110和源极108无法电连结，使得其所对应的像素单 元(未显示)无法接受数据线102的数据信号而产生电位差，液晶分子不会 偏转，也就一直维持暗点的状态。虽然，公知技术可以利用直接连接漏极和数据线的方式，使发生点缺陷 的像素单元一直维持亮点，或者切断漏极使得发生点缺陷的像素单元始终保 持暗点等方式，去修补发生点缺陷的像素单元，但是，无论哪一种修补方式， 都无法正常驱动发生点缺陷的像素单元。因此如何研发出一种修补方法，使 得发生点缺陷的薄膜晶体管仍能正常维持像素单元内的作动与功能，实为该 领域的重要课题。
技术实现思路
本专利技术提供一种双沟道薄膜晶体管，以解决上述问题。 本专利技术的 一优选实施例中，提供一种应用于薄膜晶体管液晶显示器 (TFT-LCD)的双沟道薄膜晶体管，其包含有栅极、源极与漏极，此漏极还包 括两个漏极电极，且这些漏极电极与源极形成双沟道，以及，沟道层位于该 源才及与该漏极和该冲册才及之间。由于本专利技术的薄膜晶体管的漏极具有两个漏极电极，而这些漏极电极各 自和源极之间均可形成独立沟道，以构成一个双沟道薄膜晶体管结构。因此， 当其中一个沟道因为点缺陷而被破坏时，便可通过切断部分漏极电极的方 式，终止该异常沟道的运作，并利用其他功能完好的沟道继续作用，以维持 像素单元内的薄膜晶体管依旧可以维持正常作动的功能。附图说明图1为公知技术的薄膜晶体管的结构示意图。图2至3为公知技术修补薄膜晶体管沟道点缺陷之示意图。图4为本专利技术薄膜晶体管的一优选实施例的结构示意图。图5为本专利技术修补薄膜晶体管沟道点缺陷的一优选实施例的示意图。图6为本专利技术薄膜晶体管的另一优选实施例的结构示意图。图7为本专利技术修补薄膜晶体管沟道点缺陷的一优选实施例的示意图。附图标记说明100、500、700薄膜晶体管102、502、702数据线105、505、705扫瞄线106、506、706栅极108、508、708源极110、510、710漏极111、521、721像素电极112、512、712沟道层114、512a、512b、 712a、 7]202、602、802点缺陷204导线206、604、804切口510a、 510b、 710a、 710b漏极电极具体实施例方式请参考图4，图4为本专利技术薄膜晶体管的一优选实施例的结构示意图。 本专利技术的薄膜晶体管结构可应用在薄膜晶体管液晶显示器或者是发光二极 体显示器(organic light-emitting diode, OLED),此实施例中以应用于薄膜晶体 管液晶显示器为例。如图4所示，薄膜晶体管液晶显示器包含有多个像素单 元(未显示)，而每个像素单元皆由一个薄膜晶体管500来控制其相对应的 像素单元内的液晶分子是否偏转。其中，各薄膜晶体管500均具有基板(未 显示)，栅极506设置于基板上，栅极绝缘层(未显示)覆盖于栅极506和 基板上，以及沟道层512设置于栅极绝缘层上，并位于该栅极506上方。另 外，各薄膜晶体管500均具有和扫瞄线505相连的^f册极506， 一个I型的源 极508和一个C型的漏极510。此外，C型的漏极510又包含两条L型的漏 极电极510a、 510b，而I型的源极508则卡合于C型的漏极510的缺口中，并且与两条L型的漏才及电极510a、510b分别在沟道层512中形成沟道512a、 512b，其中栅极506和沟道层512之间又具有槺极绝缘层(未显示)。其中， 源极508与数据线502电性连接，而漏极电极510a、 510b与该像素电极521 电性连接。所以，当^f象素单元(未显示)内的对册才及506受扫瞄线505的电压 信号开启时，位于源极508、漏极电极510a、 510b之间的沟道层512便会因 启始电压的反转作用而产生沟道(channel) 512a、 512b,以让源极508和漏 极电极510a、 510b形成电性连接，进而让数据线502的数据信号得以通过 源极508传入漏极电极510a、 510b，而使漏极510电性连接的像素电极521 和相对应的共同电极(未显示)产生电位差，使得像素单元(未显示)内的 液晶分子产生偏转。如前所述，在薄膜晶体管的制作过程中，常会因为沟道回蚀刻(BCE) 工艺残留以及漏极电极与源极沟道(SD channel)工艺残留等问题，使得一 些金属微粒或者是导电的污染物残留在薄膜晶体管的沟道处，产生点缺陷， 造成薄膜晶体管中源极和漏极电极之间的沟道发生短路情况，破坏薄膜晶体 管控制开关的作用。请参考图5，图5为本专利技术修补薄膜晶体管沟道点缺陷的一优选实施例 的示意图。图5延续图4的条件，并说明当图4的薄膜晶体管500发生点缺 陷602时的修补方式。如图5所示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双沟道薄膜晶体管，包含有：基板；栅极，设置于所述基板上；栅极绝缘层，覆盖于所述栅极与所述基板；沟道层，设置于所述栅极绝缘层上，并位于所述栅极上方；以及源极与漏极，所述漏极还包括两漏极电极，且所述漏 极电极与所述源极形成所述双沟道。

【技术特征摘要】
1.一种双沟道薄膜晶体管，包含有基板；栅极，设置于所述基板上；栅极绝缘层，覆盖于所述栅极与所述基板；沟道层，设置于所述栅极绝缘层上，并位于所述栅极上方；以及源极与漏极，所述漏极还包括两漏极电极，且所述漏极电极与所述源极形成所述双沟道。2. 如权利要求1的双沟道薄膜晶体管，应用于有机发光二极体显示器中。3. 如权利要求1的双沟道薄膜晶体管，其中所述薄膜晶体管应用于薄膜 晶体管液晶显示器之中。4. 如权利要求3的双沟道薄膜晶体管，其中所述薄膜晶体管液晶显示器 包含有多个像素单元。5. 如权利要求4的双沟道薄膜晶体管，其中所述薄膜晶体管液晶显示器 在各所述像素单元内具有液晶分子。6. 如权利要求3的双沟道薄膜晶体管，其中所述源极与所述薄膜晶体管 液晶显示器的数据线电性连接。7. 如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈晋升，刘志鸿，洪建兴，黄坤源，
申请(专利权)人：中华映管股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]