在硅外延薄膜形成时使用氯气和／或氯化氢制造技术

在第一方面中，本发明专利技术提供一种在一基板上形成一外延薄膜的第一方法。该第一方法包含（ａ）提供一基板；（ｂ）将该基板暴露在至少一硅来源中，以在该基板的至少一部份上形成一外延薄膜；以及（ｃ）将该基板暴露在氯化氢气体和氯气中，以蚀刻该外延薄膜以及在步骤（ｂ）期间形成的任何其它薄膜。本发明专利技术提供多种其它方面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施例 一般来说有关于电子制造制程及组件的领域，更明确 地说，有关于在形成电子组件时沉积含硅薄膜的方法。
技术介绍
随着制造日益缩小的晶体管，超浅源极/漏极接面的生产变得越具挑战性。 一般来说，次100纳米CMOS(互补式金属氧化物半导体)组件需要 低于30纳米的接面深度。通常使用选择性外延沉积以在该等接面中形成含 硅材料(例如硅、锗化硅和碳化硅)的外延层。 一般来说，选择性外延沉积 使外延层只成长在硅沟渠(silicon moats)上而不会成长在介电区域上。选择 性外延可用在半导体组件中，例如升高的源极/漏极、源极/漏极延伸、 接触插塞(contact plugs)或双极组件的基极层沉积。一般来说，选择性外延制程包含一沉积反应和一蚀刻反应。沉积及蚀 刻反应以相当不同的反应速率在一外延层和一多晶层上同时发生。在沉积 制程期间，外延层在一单晶表面上形成，同时一多晶层沉积在至少一第二 层上，例如既存的多晶层及/或非晶层。但是，所沉积的多晶层通常以比 该外延层快的速率蚀刻。因此，通过改变蚀刻气体浓度，净选择制程会造 成外延材料的沉积以及有限的，若有的话，多晶材料的沉积。例如本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在一基板上形成一外延薄膜的方法，其至少包含：（ａ）提供一基板；（ｂ）将该基板暴露在至少一种硅来源中，以在该基板的至少一部份上形成一外延薄膜；以及（ｃ）将该基板暴露在氯化氢气体和氯气中，以蚀刻该外延薄膜以及在步骤（ｂ）期间形成的任何其它薄膜。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2004-12-1 11/001,774;US 2005-9-14 11/227,9741.一种在一基板上形成一外延薄膜的方法，其至少包含(a)提供一基板；(b)将该基板暴露在至少一种硅来源中，以在该基板的至少一部份上形成一外延薄膜；以及(c)将该基板暴露在氯化氢气体和氯气中，以蚀刻该外延薄膜以及在步骤(b)期间形成的任何其它薄膜。2. 如权利要求1所述的方法，进一步包含重复步骤(b)和(c)至少一次。3. 如权利要求1所述的方法，进一步包含在步骤(b)期间将该基板暴露 在一额外的元素来源中。4. 如权利要求3所述的方法，其中上述的额外的元素来源包含一碳来源。5. 如权利要求3所述的方法，其中上述的额外的元素来源包含一锗来源。6. 如权利要求3所述的方法，其中上述的额外的元素来源包含一硼或 磷来源。7. 如权利要求3所述的方法，进一步包含至少在步骤(b)期间使用约 550至65(TC的基板温度。8. 如权利要求7所述的方法，进一步包含至少在步骤(b)期间使用低于约60crc的基板温度。9. 如权利要求1所述的方法，进一步包含在步骤(b)期间通入氯化氢。10. 如权利要求9所述的方法，进一步包含在步骤(b)及(c)期间使用基 本上相同的氯化氢流速。11. 如权利要求9所述的方法，进一步包含在步骤(c)期间使用约为氯 气流速的6至10倍的氯化氢流速。12. 如权利要求11所述的方法，进一步包含至少在步骤(b)期间使用 约550至650'C的基板温度。13. 如权利要求12所述的方法，进一步包含至少在步骤(b)期间使用 低于约60CTC的基板温度。14. 如权利要求1所述的方法， 气流速的6至10倍的氯化氢流速。15. 如权利要求1所述的方法，(i) 将该基板暴露在一碳来源中，(ii) 封装该含碳的硅外延薄膜。进一步包含在步骤(c)期间使用约为氯其中上述的步骤(b)包含 以形成一含碳的硅外延薄膜；以及16. 如权利要求15所述的方法，其中上述的封装该含碳的硅外延薄膜 包含将该基板暴露在没有该碳来源的硅来源中，以在该含碳的硅外延薄膜 上形成一硅外延薄膜。17. 如权利要求15所迷的方法，进一步包含至少在步骤(b)期间使用 约550至650。C的基板温度。18. 如权利要求15所述的方法，进一步包含至少在步骤(b)期间使用低于约60crc的基板温度。19. 如权利要求1所述的方法，其中上述的步骤(b)包含(i) 将该基板暴露在没有碳来源的硅来源中，以形成一第一硅外延薄膜；(ii) 将该基板暴露在具有碳来源的硅来源中，以在该第一硅外延薄膜上 形成一含碳的硅外延薄膜；以及(iii) 将该基板暴露在没有碳来源的硅来源中，以在该含碳的硅外延薄膜 上形成一第二硅外延薄膜。20. 如权利要求19所述的方法，进一步包含使用大约是步骤(ii)的制 程时间的 一半的步骤(i)和(iii)的制程时间。21. —种在一基板上形成一外延薄膜的方法，该方法至少包含(a) 提供一基板；(b) 将该基板暴露在一硅来源和一碳来源中，以形成一含碳的硅外延薄膜；(c) ...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶志渊，金以宽，李小威，阿里朱耶基，尼乔拉斯C达力鞑，唐金松，陈孝，艾卡迪V塞蒙洛夫，
申请(专利权)人：应用材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]