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在第一方面中，本发明提供一种在一基板上形成一外延薄膜的第一方法。该第一方法包含（ａ）提供一基板；（ｂ）将该基板暴露在至少一硅来源中，以在该基板的至少一部份上形成一外延薄膜；以及（ｃ）将该基板暴露在氯化氢气体和氯气中，以蚀刻该外延薄膜以及在步...
该专利属于应用材料股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料股份有限公司授权不得商用。

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