薄膜晶体管阵列基板及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，该薄膜晶体管阵列基板包括在一透明基板上形成的栅极及与栅极电气连接的栅极引线；一栅绝缘层，覆盖栅极与栅极引线；一半导体层，形成在所述栅绝缘层上；源／漏极及与源极电气连接的源极引线；形成在源／漏极层上的中间绝缘膜；其中所述中间绝缘膜上覆盖有第二绝缘膜，所述第二绝缘膜上形成平坦化的像素电极；该结构的阵列基板改善了液晶显示画质。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种阵列基板及其制造方法，特别是涉及一种用于液晶显示装 置的。
技术介绍
液晶显示装置具有低功能、外型薄、重量轻等特点，目前广泛应用于显示 器、电视、笔记本电脑等。液晶显示装置的电路结构如图1所示，在有源阵列基板上形成栅极引线l、数据线2、薄膜晶体管3、存储电容4和像素电极6， 薄膜晶体管(TFT) 3的栅极与栅极引线l相连，用来提供扫描信号，从而可以 将栅极信号输入到栅极，控制TFT3的开关。TFT3的源极与源极引线2相连，用 来提供数据信号，从而当TFT3打开时，可以通过TFT3将数据信号输入到相应 的像素电极6。栅极引线1和源极引线2在靠近像素电极6的地方穿行，排列成 矩阵，相互交叉在一起。TFT3的漏极与像素电极6和存储电容4,液晶电容5 分别相连。存储电容4和液晶电容5的另一极与公共电极(Vcom)相连。存储 电容4用来保持液晶层上施加的电压，与液晶电容5并联，液晶电容5包括一 有源矩阵基板上的像素电极6、另一基板上的相应公共电极及介于它们之间的液 晶层。图2为传统薄膜晶体管阵列基板的截面结构示意图。栅极引线1及与栅极 引线1相连的栅极11形成在透明基板10上，栅绝缘层12包覆在栅极11上。 半导体层31形成在栅绝缘层12上，从而通过栅绝缘层12覆盖在栅极11上。 N+Si (掺杂非晶硅)层32作为半导体层31和金属层20的连接层。中间绝缘膜 41覆盖在TFT3、栅极引线1和数据线2上。透明导电层(ITO)形成在中间绝 缘膜上，以构成像素电极6。透明导电层与金属层20相连，透明导电层通过一接触孔51与TFT3的漏极相连，接触孔51穿过中间绝缘膜41。当通过CVD(化 学气相沉积)形成SiNx、 Si02等的中间绝缘膜41时，中间绝缘膜41的表面直 接反映了有源矩阵的表面形状。所以，当在中间绝缘膜41上形成像素电极6时， 由于中间绝缘膜41上具有台阶，最终在像素电极6上也会形成台阶，从而使液 晶分子的取向出现扰动，影响液晶显示装置的显示画质。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种具有平坦化像素电极结构的薄膜晶体 管阵列基板，以提高液晶显示装置的显示画质。本专利技术另一解决的技术问题是提供一种可获得平坦化像素电极的薄膜晶体 管阵列基板的制造方法。为实现上述目的，本专利技术提供了一种薄膜晶体管阵列基板，包括在一透明 基板上形成的栅极及与栅极电气连接的栅极引线； 一栅绝缘层，覆盖栅极与栅 极引线； 一半导体层，形成在所述栅绝缘层上；源/漏极及与源极电气连接的源 极引线；形成在源/漏极层上的中间绝缘膜；其中所述中间绝缘膜上覆盖有第二 绝缘膜；所述第二绝缘膜上形成平坦化的像素电极。本专利技术还提供了一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括如下步骤在 一透明基板上形成栅极及与栅极电气连接的栅极引线；在所述透明基板上形成 栅绝缘层，覆盖栅极与栅极引线；在所述栅绝缘层上形成半导体层；形成源/漏 极及与源极电气连接的源极引线；在源/漏极层上形成第一绝缘膜，在第一绝缘 膜上涂覆一层透明光敏绝缘膜，将光敏绝缘层作为掩膜材料刻蚀第一绝缘膜， 并保留光敏绝缘膜作为第二绝缘膜；在所述第二绝缘膜上形成平坦化的像素电极。所述光敏绝缘膜可以为负性光刻胶。基于上述构思，本专利技术的薄膜晶体管阵列基板，由于在中间绝缘膜上增加 了一层表面平坦的第二绝缘膜，从而形成平坦化的像素电极，改善了液晶显示 画质；本专利技术的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，由于将光敏绝缘层作为掩膜 材料刻蚀第一绝缘膜，并保留光敏绝缘膜作为第二绝缘膜，可形成平坦化的像 素电极，有利于提高液晶显示画质，且无需釆用额外的光罩，可以减少传统制 造方法去除光刻胶的工艺步骤，降低制造成本，同时，光敏绝缘层又有利于提 高光的透过率，可提高液晶显示亮度。为了更进一步了解本专利技术的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细 说明与附图。然而附图仅供参考与辅助说明用，不构成对本专利技术的限制。附图说明图1为液晶显示装置的电路结构图；图2为传统薄膜晶体管阵列基板的截面结构示意图；图3A到图3D示出了按照本专利技术实施方式的薄膜晶体管阵列基板的逐步制造 方法截面图。附图标号说明1、栅极引线 2、源极引线3、薄膜晶体管(TFT)4、存储电容5、液晶电容 6、像素电极10:透明基板 11、栅极12、栅绝缘层20:金属层31、半导体层 32、 N+Si层41、第一绝缘膜(中间绝缘膜) 42、第二绝缘膜51、接触孔具体实施方式下面结合附图及典型实施例对本专利技术作进一步说明。 图3A到图3D示出了按照本专利技术实施方式的薄膜晶体管阵列基板的逐步制 造方法截面图。参照图3A,在洗净的透明基板10表面溅射上一层金属膜，透明基板10可 以为玻璃基板或塑胶基板，金属膜如铝(Al)或铝合金(AlNd)，或多层金属膜 (AlM/MoNb)作为栅极材料，然后在该金属膜上涂布光刻胶并图形化后，通过刻 蚀制成栅极ll。随后在栅极11上通过PECVD (等离子增强化学气相沉积)工艺 沉积一层栅绝缘层12,栅绝缘层12可由SiNx或Si02材料制成，如图3B所示。接着在栅绝缘层12上通过CVD (化学气相沉积)工艺，继续沉积半导体材 料a-Si和N+Si薄膜层，然后溅射第二层金属层20，例如Cr或Al及其合金材 料。通过GTM (Gray Tone Mask;灰阶光罩)技术，经曝光和刻蚀后，分别定义 出源、漏极、a-Si半导体层31和N + Si层32图形，形成TFT开关元件。如图 3C所示，通过PECVD技术在半导体层31和源、漏极上形成一层SiNx保护膜(第 一绝缘膜41)后，在透明基板10上涂覆一层透明的光敏绝缘膜，如负性光刻胶 或光敏聚酰乙胺等；然后进行曝光，得到接触孔51的图案，再利用该光敏绝缘 膜作为掩膜材料，釆用干法刻蚀第一绝缘膜41。同时该工艺后，将光刻胶保留 下来，作为第二绝缘膜42，得到具有平坦化的平面的接触孔51。最后在第一绝缘膜41和第二绝缘膜42上溅射一层透明导电层，如IT0 (氧 化铟锡)或IZ0 (氧化铟锌)，然后进行图形化等工序后获得表面平坦的像素电极6,如图3D所示，这样就完成有源阵列基板的制造。釆用本专利技术实施例方法获得的薄膜晶体管阵列基板，将可以获得高品质的 液晶显示效果。且该制造方法无需采用额外的光罩，可以减少传统制造方法去 除光刻胶的工艺步骤，降低制造成本，同时，光敏绝缘层又有利于提高光的透 过率，可提高液晶显示亮度。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列基板，包括在一透明基板上形成的栅极及与栅极电气连接的栅极引线；一栅绝缘层，覆盖栅极与栅极引线；一半导体层，形成在所述栅绝缘层上；源／漏极及与源极电气连接的源极引线；形成在源／漏极层上的中间绝缘膜；其特征在于所述中间绝缘膜上覆盖有第二绝缘膜；所述第二绝缘膜上形成平坦化的像素电极。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管阵列基板，包括在一透明基板上形成的栅极及与栅极电气连接的栅极引线；一栅绝缘层，覆盖栅极与栅极引线；一半导体层，形成在所述栅绝缘层上；源/漏极及与源极电气连接的源极引线；形成在源/漏极层上的中间绝缘膜；其特征在于所述中间绝缘膜上覆盖有第二绝缘膜；所述第二绝缘膜上形成平坦化的像素电极。2. 根据权利要求l所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于所述的第二绝缘膜为光敏绝缘膜。3. 根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于所述的光敏绝缘膜为负性...

【专利技术属性】
技术研发人员：高孝裕，
申请(专利权)人：上海广电光电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[]