高分子化合物及使用该高分子化合物的元件制造技术

一种高分子化合物，其特征在于，其在同一分子内具有共轭系高分子（Ａ）的结构和具有一个以上三齿配位基且中心金属原子序号为２１的金属配位化合物（Ｂ）的结构。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种高分子化合物及使用它的元件。技术背景作为用于高分子发光元件(高分子LED)的材料，同一分子内具有共 轭系高分子结构和金属配位化合物结构的高分子化合物是众所周知的。(Jounal of AmericanChemical Society 、 Vol.125 、 p636(2003); WO03/102109A1)上述高分子化合物所具有的金属配位化合物的结构中，其配位基为苯 基吡啶等二齿配位基，中心金属为铱(原子序号77)，使用该高分子化合 物的高分子LED由于发光效率不充分等原因，在实用上，其性能还不能 令人十分满意。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种金属配位化合物及高分子化合物，其为在 同一分子内具有共轭系高分子结构和金属配位化合物结构的高分子化合 物，将其用于发光元件时，可以提供效率高、能以低电压驱动等实用性优 良的发光元件。艮口，本专利技术提供一种高分子化合物，其中在同一分子内具有共轭系高 分子(A)的结构、和具有一个以上3齿配位基且中心金属的原子序号为 21以上的金属配位化合物(B)的结构。具体实施方式本专利技术的高分子化合物，在同一分子内本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高分子化合物，其特征在于，在同一分子内具有共轭系高分子（Ａ）的结构、和具有１个以上３齿配位基且中心金属的原子序号为２１以上的金属配位化合物（Ｂ）的结构。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2004-12-28 378519/2004;JP 2005-1-14 007565/20051.一种高分子化合物，其特征在于，在同一分子内具有共轭系高分子(A)的结构、和具有1个以上3齿配位基且中心金属的原子序号为21以上的金属配位化合物(B)的结构。2. 根据权利要求1所述的高分子化合物，其特征在于，共轭系高分子(A) 的主链上具有所述金属配位化合物(B)的结构。3. 根据权利要求1所述的高分子化合物，其特征在于，共轭系高分子(A) 的侧链上具有所述金属配位化合物(B)的结构。4. 根据权利要求1所述的高分子化合物，其特征在于，共轭系高分子(A) 的末端具有所述金属配位化合物(B)的结构。5. 根据权利要求1~4中的任何一项所述的高分子化合物，其特征在于，共 轭系高分子(A)为主链上含有芳香环的化合物。6. 根据权利要求1 5中的任何一项所述的高分子化合物，其特征在于，聚 苯乙烯换算的数均分子量为103~108。7. —种金属配位化合物(B')，其特征在于，所述金属配位化合物具有从第 4和第5周期的过渡金属和W、 Os、 Ir、 Au及镧系元素中选择的金属、单 齿配位基、和含1个以上芳香环且环结构内含有3个配位原子的3齿配位 基，所述金属配位化合物在1(TC以上于可见光范围显示发光。8. —种金属配位化合物(B〃)，其特征在于，具有从第4和第5周期的过 渡金属和W、 Os、 Ir、 Au及镧系元素中选择的金属、具有芳香环的单齿 配位基、和含1个以上芳香环且环结构内含有3个配位原子的3齿配位基。9. 根据权利要求7或8所述的金属配位化合物，其特征在于，具有芳香环 中的配位原子为碳原子或氮原子的单齿配位基。10. 根据权利要求9所述的金属配位化合物，其特征在于，单齿配位基为下 式所示的结构(S-l)， 所述式(S-l)中，*表示配位于金属的原子，R分别独立地表示氢原 子、烷基、烷氧基 烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷 氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、 取代甲硅垸基、卤原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、 1价杂环基、羧基、取代羧基或氰基。11. 根据权利要求7或8所述的金属配位化合物，其特征在于，单齿配位基 所具有的芳香环为稠环。12. 根据权利要求11所述的金属配位化合物，其特征在于，单齿配位基为 下式所示的结构(S-2)，所述式(S-2)中，*表示配位于金属的原子，R分别独立地表示氢原 子、垸基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷 氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅垸基、 取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、 1价杂环基、羧基、取代羧基或氰基。13. 根据权利要求7~12中的任何一项所述的金属配位化合物，其特征在于， 中心金属为W、 Os、 Ir、 Au。14. 根据权利要求13所述的金属配位化合物，其特征在于，中心金属为W、15.根据权利要求7~14中的任何一项所述的金属配位化合物，其特征在于， 具有下述通式(B'-l)、 (B'-2)、或(B'-3)所示的结构和单齿配位基，式中M表示从第4和第5周期的过渡金属和W、 Os、 Ir、 Au及镧系 元素中选择的金属，H环、I环及J环分别独立地表示芳香环，各环结构 内存在的Xp Y,和Z,分别独立地表示配位于金属M的配位原子，Jl和 J2分别独立地表示碳原子数为1~6的亚烷基、碳原子数为2~6的亚烯基或 碳原子数为2~6的亚炔基，该亚垸基、该亚烯基和该亚炔基的碳原子可以 分别被氧原子或硫原子取代，jl和j2分别独立地表示0或1;式中M表示从第4和第5周期的过渡金属和W、 Os、 Ir、 Au及镧系 元素中选择的金属，K环和L环分别独立地表示芳香环，各环结构内存在 的X2、 Y2、和Z2分别独立地表示配位于金属M的配位原子，J3表示碳原 子数为1 6的亚烷基、碳原子数为2~6的亚烯基、碳原子数为2~6的亚炔 基，该亚烷基、该亚烯基、和该亚炔基的碳原子可以分别被氧原子或硫原 子取代，j3表示0或1;<formula>formula see original document page 5</formula>式中M表示从第4和第5周期的过渡金属和W、 Os、 Ir、 Au及镧系 元素中选择的金属，O环表示芳香环，环结构内存在的X3、 Ys和Z3分别 独立地表示配位于金属M的配位原子。16. ...

【专利技术属性】
技术研发人员：白泽信彦，秋野喜彦，中谷智也，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]