一种功率半导体器件封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种功率半导体器件封装结构，涉及功率半导体器件技术领域。本实用新型专利技术包括密封下盖，密封下盖的顶部安装有密封上盖，且密封上盖与密封下盖滑动连接；密封上盖的内部安装有用于功率半导体器件散热的散热机构；密封上盖与密封下盖之间通过安装机构连接；密封下盖的两侧均安装有引脚，用于与外界进行电连，密封上盖的底部固定有限位框，密封下盖的内部开设有滑动槽。本实用新型专利技术通过安装机构，使得密封上盖与密封下盖能够更快的进行安装，进而使得功率半导体器件能够便捷的进行封装，通过散热机构，能够更好的将密封上盖和密封下盖内部的热量排出，避免热量过高造成功率半导体的损坏。功率半导体的损坏。功率半导体的损坏。

【技术实现步骤摘要】
一种功率半导体器件封装结构


[0001]本技术属于功率半导体器件
，特别是涉及一种功率半导体器件封装结构。

技术介绍

[0002]随着电子信息技术的飞速发展以及人们消费水平的不断提升，单个电子设备的功能日益多元化和尺寸日益小型化，使得在电子设备的内部结构中，功率半导体及功能元器件的密集度不断增加而器件关键尺寸不断较小，这给半导体封装行业带来极大挑战；
[0003]在封装结构中存在以下问题：
[0004]1、功率半导体的封装中，不能够便捷的封装功率半导体器件，导致耗时较长不够高效；
[0005]2、位于封装结构中间的功率半导体器件，以及功率半导体之间的导线在工作过程中释放出大量的热量，这些热量如果不能及时发散出去，不仅会导致器件的翘曲变形，同时会导致器件的性能下降乃至完全失效，甚至可能引发器件短路，造成严重的生产事故；

技术实现思路

[0006]本技术的目的在于提供一种功率半导体器件封装结构，以解决现有的问题：功率半导体的封装中，不能够便捷的封装功率半导体器件，导致耗时较长不够高效。<br/>[0007]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率半导体器件封装结构，其特征在于：包括密封下盖(1)，所述密封下盖(1)的顶部安装有密封上盖(2)，且所述密封上盖(2)与密封下盖(1)滑动连接；所述密封上盖(2)的内部安装有用于功率半导体器件散热的散热机构；所述密封上盖(2)与密封下盖(1)之间通过安装机构连接；所述密封下盖(1)的两侧均安装有引脚(4)，用于与外界进行电连。2.根据权利要求1所述的一种功率半导体器件封装结构，其特征在于：所述密封上盖(2)的底部固定有限位框(5)，所述密封下盖(1)的内部开设有滑动槽，所述密封上盖(2)与密封下盖(1)之间通过限位框(5)和滑动槽的配合滑动连接；且所述限位框(5)的底部还安装有密封圈。3.根据权利要求1所述的一种功率半导体器件封装结构，其特征在于：所述安装机构包括圆形柱(6)，所述圆形柱(6)的顶部焊接有竖向柱(9)，所述竖向柱(9)的外侧滑动连接有第一移动块(8)，所述第一移动块(8)的顶部焊接有滑动杆(7)，所述滑动杆(7)的外侧与密封上盖(2)为滑动连接；所...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄昌民，
申请(专利权)人：无锡德力芯半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：