【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶片测试方法和测试系统,特别涉及一种晶片测试卡的过电流 保护方法及具有过电流保护元件的晶片测试系统。
技术介绍
晶片测试是对晶圆上的每个晶片进行电性特性测试的过程,以检测和淘汰 晶圆上不合格的晶片。图1是现有的晶片测试系统的结构示意图,该系统主要由晶片测试卡l、探针2、引线3及测试机台4组成。在进行晶片测试时,利用 晶片测试卡1的探针2接触晶片上的接点垫(pad)而构成电性接触,再将经由探 针2所测得的测试信号通过引线3送往测试机台4作分析和判断,从而取得晶 圆上每个晶片的电性特性测试结果。一般的晶片测试过程分为几个阶段,第一阶段主要是小电流直流检测,即 在待测晶片上施加小电压,以检测晶片上电源对地或者地对地是否存在短路情 况。当第一阶段测试完毕并排除短路情况后,再逐步提高测试电压以进行后续 的电性特性测试。然而,由于第一阶段测试中不包括电源对电源的直流检测, 使得当具有多电源接点垫的晶片出现电源对电源短路时,测试系统无法检测出 该短路状况。在后续的测试中,随着测试电压的提高,两个接点垫之间的电势 差将在探针上产生较强的电流,从而导致探针的损坏和测试卡的烧毁。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种晶片测试卡的过电流保护方法及具有过电流保 护元件的晶片测试系统,它不仅结构简单、易于实施,而且在有效防止高电流 损毁晶片测试卡的同时,能快速、清楚地指示故障出现的位置,为后续的检测 工作提供了方便。本专利技术的目的是这样实现的 一种晶片测试卡的过电流保护方法,其实质性特点在于,所述的方法包括下列步骤提供一晶片测试卡,所述测试卡包括 数根探针,所述 ...
【技术保护点】
一种晶片测试卡的过电流保护方法,其特征在于,所述的方法包括下列步骤: 提供一晶片测试卡,所述测试卡包括数根探针,所述探针的一端通过引线连接至一测试机台; 在所述探针和引线之间串联一过电流保护元件; 使所述探针的另一端与一待测晶片接触,以进行晶片测试。
【技术特征摘要】
1、一种晶片测试卡的过电流保护方法,其特征在于,所述的方法包括下列步骤提供一晶片测试卡,所述测试卡包括数根探针,所述探针的一端通过引线连接至一测试机台;在所述探针和引线之间串联一过电流保护元件;使所述探针的另一端与一待测晶片接触,以进行晶片测试。2、 如权利要求1所述的晶片测试卡的过电流保护方法,其特征在于当流 过某 一探针的电流强度大于 一 阈值时,连接至该探针的过电流保护元件自动切 断该探针至所述测试机台的通路。3、 如权利要求1所述的晶片测试卡的过电流保护方法,其特征在于所述 的过电流保护元件是熔断丝。4、 如权利要求1所述的晶片测试卡的过电流保护方法,其特征在于所述 的过电流保护元件是限流元件。5...
【专利技术属性】
技术研发人员:常建光,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,
类型:发明
国别省市:31[中国|上海]
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