一种晶片测试卡的过电流保护方法及相应的晶片测试系统技术方案

技术编号:3178139 阅读:213 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种晶片测试卡的过电流保护方法及具有过电流保护元件的晶片测试系统。现有的晶片测试系统存在对接点垫短路或其他故障产生的高电流缺乏防护的问题。本发明专利技术的晶片测试卡的过电流保护方法包括下列步骤:提供一晶片测试卡,所述测试卡包括数根探针,所述探针的一端通过引线连接至一测试机台;在所述探针和引线之间串联一过电流保护元件;使所述探针的另一端与一待测晶片接触,以进行晶片测试。利用本发明专利技术的过电流保护方法和晶片测试系统,可有效防止高电流损毁晶片测试卡,还能快速、清楚地指示故障出现的位置,为后续的检测工作提供了方便。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶片测试方法和测试系统,特别涉及一种晶片测试卡的过电流 保护方法及具有过电流保护元件的晶片测试系统。
技术介绍
晶片测试是对晶圆上的每个晶片进行电性特性测试的过程,以检测和淘汰 晶圆上不合格的晶片。图1是现有的晶片测试系统的结构示意图,该系统主要由晶片测试卡l、探针2、引线3及测试机台4组成。在进行晶片测试时,利用 晶片测试卡1的探针2接触晶片上的接点垫(pad)而构成电性接触,再将经由探 针2所测得的测试信号通过引线3送往测试机台4作分析和判断,从而取得晶 圆上每个晶片的电性特性测试结果。一般的晶片测试过程分为几个阶段,第一阶段主要是小电流直流检测,即 在待测晶片上施加小电压,以检测晶片上电源对地或者地对地是否存在短路情 况。当第一阶段测试完毕并排除短路情况后,再逐步提高测试电压以进行后续 的电性特性测试。然而,由于第一阶段测试中不包括电源对电源的直流检测, 使得当具有多电源接点垫的晶片出现电源对电源短路时,测试系统无法检测出 该短路状况。在后续的测试中,随着测试电压的提高,两个接点垫之间的电势 差将在探针上产生较强的电流,从而导致探针的损坏和测试卡的烧毁。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种晶片测试卡的过电流保护方法及具有过电流保 护元件的晶片测试系统,它不仅结构简单、易于实施,而且在有效防止高电流 损毁晶片测试卡的同时,能快速、清楚地指示故障出现的位置,为后续的检测 工作提供了方便。本专利技术的目的是这样实现的 一种晶片测试卡的过电流保护方法,其实质性特点在于,所述的方法包括下列步骤提供一晶片测试卡,所述测试卡包括 数根探针,所述探针的一端通过引线连接至一测试机台;在所述探针和引线之 间串联一过电流保护元件;使所述探针的另一端与一待测晶片接触,以进行晶 片测试。在上述的晶片测试卡的过电流保护方法中,当流过某一探针的电流强度大 于一阈值时,连接至该探针的过电流保护元件自动切断该探针至所述测试机台 的通路。在上述的晶片测试卡的过电流保护方法中,所述的过电流保护元件是熔断丝。在上述的晶片测试卡的过电流保护方法中,所述的过电流保护元件是限流 元件。本专利技术的另 一 方案是提供一种具有过电流保护元件的晶片测试系统,它包 括一晶片测试卡,其具有数根探针; 一测试机台,其通过数根引线连接至所述 晶片测试卡的探针的一端,所述探针的另一端与一待测晶片接触,其实质性特 点在于所述探针和《1线之间还串联有一过电流保护元件。本专利技术的晶片测试卡的过电流保护方法及具有过电流保护元件的晶片测试 系统,通过在探针和引线之间串联一熔断丝或限流元件,使得当流过探针的电 流超过一阈值时,能立即切断该通路,从而有效防止了探针及测试卡的损毁。 此外,机台控制系统根据过电流保护元件的状态可快速、准确地判断出故障所 在的位置,为后续的检测工作提供了安全保障。附图说明本专利技术的具体过电流保护方法和晶片测试系统由以下的实施例及附图给出。图l为现有的晶片测试系统的结构示意图2为本专利技术的具有过电流保护元件的晶片测试系统的结构示意图。具体实施例方式以下将对本专利技术的晶片测试卡的过电流保护方法及相应的晶片测试系统作进一步的详细描迷。如图2所示,本专利技术的晶片测试系统与现有的系统相比,在探针2和引线3 之间增加了过电流保护元件5,该保护元件5可选用熔断丝或限流元件,熔断丝 的材料、长度、截面积以及限流元件的参数值可根据探针和测试卡所能承受的 安全电流设定。在晶片测试过程中,晶片上的电流AM采针2流经测试卡1,通过 保护元件5和引线3后流入测试机台4。当晶片上的某个接点垫因短路或其他故 障造成流过探针2的电流超出了安全值,保护元件5便立即将电路断开,以防 止探针2和测试卡1被高电流烧毁。本专利技术的晶片测试系统除了具有过电流保护功能外,测试机台还可根据过 电流保护元件的状态来判断故障接点垫的位置。在得知故障所在位置后,即可 对故障进行排除,或者在后续的测试过程中,修改相应的测试程序,以避免探 针重复接触产生高电流的接点垫。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片测试卡的过电流保护方法,其特征在于,所述的方法包括下列步骤:    提供一晶片测试卡,所述测试卡包括数根探针,所述探针的一端通过引线连接至一测试机台;    在所述探针和引线之间串联一过电流保护元件;    使所述探针的另一端与一待测晶片接触,以进行晶片测试。

【技术特征摘要】
1、一种晶片测试卡的过电流保护方法,其特征在于,所述的方法包括下列步骤提供一晶片测试卡,所述测试卡包括数根探针,所述探针的一端通过引线连接至一测试机台;在所述探针和引线之间串联一过电流保护元件;使所述探针的另一端与一待测晶片接触,以进行晶片测试。2、 如权利要求1所述的晶片测试卡的过电流保护方法,其特征在于当流 过某 一探针的电流强度大于 一 阈值时,连接至该探针的过电流保护元件自动切 断该探针至所述测试机台的通路。3、 如权利要求1所述的晶片测试卡的过电流保护方法,其特征在于所述 的过电流保护元件是熔断丝。4、 如权利要求1所述的晶片测试卡的过电流保护方法,其特征在于所述 的过电流保护元件是限流元件。5...

【专利技术属性】
技术研发人员:常建光
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司
类型:发明
国别省市:31[中国|上海]

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