【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶片测试方法和测试系统，特别涉及一种晶片测试卡的过电流 保护方法及具有过电流保护元件的晶片测试系统。
技术介绍
晶片测试是对晶圆上的每个晶片进行电性特性测试的过程，以检测和淘汰 晶圆上不合格的晶片。图1是现有的晶片测试系统的结构示意图，该系统主要由晶片测试卡l、探针2、引线3及测试机台4组成。在进行晶片测试时，利用 晶片测试卡1的探针2接触晶片上的接点垫(pad)而构成电性接触，再将经由探 针2所测得的测试信号通过引线3送往测试机台4作分析和判断，从而取得晶 圆上每个晶片的电性特性测试结果。一般的晶片测试过程分为几个阶段，第一阶段主要是小电流直流检测，即 在待测晶片上施加小电压，以检测晶片上电源对地或者地对地是否存在短路情 况。当第一阶段测试完毕并排除短路情况后，再逐步提高测试电压以进行后续 的电性特性测试。然而，由于第一阶段测试中不包括电源对电源的直流检测， 使得当具有多电源接点垫的晶片出现电源对电源短路时，测试系统无法检测出 该短路状况。在后续的测试中，随着测试电压的提高，两个接点垫之间的电势 差将在探针上产生较强的电流，从而导致探针的损坏和测...
【技术保护点】
一种晶片测试卡的过电流保护方法，其特征在于，所述的方法包括下列步骤： 提供一晶片测试卡，所述测试卡包括数根探针，所述探针的一端通过引线连接至一测试机台； 在所述探针和引线之间串联一过电流保护元件； 使所述探针的另一端与一待测晶片接触，以进行晶片测试。
【技术特征摘要】
1、一种晶片测试卡的过电流保护方法，其特征在于，所述的方法包括下列步骤提供一晶片测试卡，所述测试卡包括数根探针，所述探针的一端通过引线连接至一测试机台；在所述探针和引线之间串联一过电流保护元件；使所述探针的另一端与一待测晶片接触，以进行晶片测试。2、 如权利要求1所述的晶片测试卡的过电流保护方法，其特征在于当流 过某 一探针的电流强度大于 一 阈值时，连接至该探针的过电流保护元件自动切 断该探针至所述测试机台的通路。3、 如权利要求1所述的晶片测试卡的过电流保护方法，其特征在于所述 的过电流保护元件是熔断丝。4、 如权利要求1所述的晶片测试卡的过电流保护方法，其特征在于所述 的过电流保护元件是限流元件。5...
【专利技术属性】
技术研发人员：常建光，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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