CMOS图像传感器集成电路中的金属连线结构及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种ＣＭＯＳ图像传感器集成电路中的金属连线结构。该金属连线结构包括由金属阻挡层和金属钨构成的第一层金属连线层，以及与栅层及硅衬底有源区互连的接触孔。该金属连线层通过刻蚀覆盖在晶体管栅极层上的层间介质膜，形成沟槽和接触孔，并在沟槽中填入金属阻挡层和金属钨形成。在层间介质膜底部加入刻蚀停止层来实现第一层金属连线层与栅层及硅衬底有源区的电学绝缘隔离。本发明专利技术还公开了上述ＣＭＯＳ图像传感器集成电路中的金属连线结构的制作方法。本发明专利技术可以用相对简单的工艺步骤来完成金属连线和接触孔结构，能降低层间介质膜厚度并能降低制造成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种CMOS (互补金属氧化物半导体)图像传感器集成电 路，尤其涉及一种CMOS图像传感器集成电路中的金属连线结构；此外， 本专利技术还涉及该CMOS图像传感器集成电路中的金属连线结构的制作方 法。
技术介绍
近年来，CMOS图像传感器(有源像素)技术迅速发展。CMOS图像传 感器的制造工艺与信号处理芯片的CMOS电路制造工艺完全兼容，因此可 以很方便的将图像传感器与信号处理集成在同一芯片上，不仅降低了系统 成本，而且使系统的功耗降低，系统集成方案更加简单，并更加微型化。在CM0S图像传感器集成电路中，后道工序的金属互连结构对图像传 感器的性能有重要的影响。主要体现在金属互连的层间绝缘材料层的总厚 度对入射光的吸收造成对图像传感器的光响应性能的影响。集成度的不断 提高有时需要增加金属连线的层数，光电二极管上面的介质层厚度随之增 加，使得图像传感器的光响应性能显著降低。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种CMOS图像传感器集成电路中的 金属连线结构，它能显著降低层间介质膜厚度并能降低制造成本。为此， 本专利技术还要提供该CMOS图像传感器集成电路中的金属连线本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＣＭＯＳ图像传感器集成电路中的金属连线结构，其特征在于，包括由金属阻挡层和金属钨构成的第一层金属连线层，以及与栅层和硅衬底有源区互连的接触孔。

【技术特征摘要】
1、一种CMOS图像传感器集成电路中的金属连线结构，其特征在于，包括由金属阻挡层和金属钨构成的第一层金属连线层，以及与栅层和硅衬底有源区互连的接触孔。2、 如权利要求1所述的CMOS图像传感器集成电路中的金属连线结构， 其特征在于，所述的第一层金属连线层和接触孔是通过刻蚀覆盖在晶体管 栅极上的层间介质膜，形成沟槽和接触孔，并在沟槽中填入金属阻挡层和 金属钩形成。3 、如权利要求2所述的CMOS图像传感器集成电路中的金属连线结构， 其特征在于，在所述的层间介质膜底部加入刻蚀停止层来实现所述的第一 层金属连线层与栅层和硅衬底有源区的电学绝缘隔离。4、一种如权利要求1-3任一项所述的CMOS图像传感器集成电路中的 金属连线结构的制作方法，包括如下步骤步骤l，在硅片上完成MOS晶体管、二极管元器件制作的前道工序；步骤2，在硅片上淀积刻蚀停止层；步骤3,在硅片上淀积层间介质膜，并用CMP方法减薄其厚度并使之 表面平坦化；步骤4，用光刻和刻蚀方法，在层间介质膜中分别形成沟槽和接触孔 结构；步骤5，在硅片上淀积金属阻挡层和金属與；步骤6，用CMP方法磨掉或反刻方法刻掉硅片表面的金属阻挡层和金 属钨...

【专利技术属性】
技术研发人员：李文强，赵立新，李杰，
申请(专利权)人：格科微电子上海有限公司，格科微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]