像素结构的制作方法技术

本发明专利技术提供一种像素结构及其制作方法，该方法包括：提供基板；在基板上形成栅极与像素电极；依序在基板上形成覆盖于该基板上的介电层以及半导体层；图案化介电层以及半导体层，以在栅极上形成图案化介电层与图案化半导体层；在基板上形成导电层；利用光掩模进行第一光刻工艺以图案化导电层，而在半导体层上形成源极与漏极，其中漏极电性连接于像素电极；在基板上形成保护层；利用该光掩模进行第二光刻工艺，以形成图案化保护层，该图案化保护层覆盖源极、漏极以及半导体层，并暴露出部分像素电极。本发明专利技术使用同一光掩模进行两次光刻工艺，分别定义出源极／漏极以及保护层的图案，因此可减少光掩模数量、有效提高产能与产品品质并降低工艺成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术提供一种，特别提供一种利用单一光掩模 进行两次光刻工艺以定义不同图案的。
技术介绍
随着科技发展，平面显示器己普遍应用于各种信息产品中，其中尤以薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)的发展最为成熟，因其具有外型轻薄、耗 电量少以及无辐射污染等特性，所以被广泛地应用在笔记本型电脑、个人数 字助理(personal digital assistant, PDA)等便携式信息产品上，甚至己逐渐 取代传统阴极射线管显示器。排列成阵列状的像素结构为TFT-LCD的主要 元件，其包括薄膜晶体管、电容、接垫(pad)等电子元件，以驱动液晶像素 从而产生丰富亮丽的影像。传统TFT-LCD的像素结构的工艺共需进行五次光刻工艺，亦即使用五 张光掩模以定义出薄膜晶体管等元件的图案。然而，由于光掩模成本对于显 示面板工艺成本的影响极大，因此为了降低工艺成本，目前在显示面板工艺 中，已研究使用包含有半色调式光掩模(half-tone mask)或灰色调式光掩模 的四张光掩模来完成像素结构的制作。请参考图1至图6，图1至图6为传统使用四张光掩模制作像素阵列的 工艺示意图。如图1所示，首先在透明基板I本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构的制造方法，包含以下步骤：提供基板；在该基板上形成栅极与像素电极；依序形成覆盖于该基板上的介电层以及半导体层；图案化该介电层以及该半导体层，以在该栅极上形成图案化介电层以及图案化半导体层；在该基板上形成导电层；提供光掩模，并利用该光掩模进行第一光刻工艺以图案化该导电层，而在该图案化半导体层上形成源极与漏极，其中该漏极电性连接于该像素电极；在该基板上形成保护层；以及利用该光掩模进行第二光刻工艺，以形成图案化保护层，该图案化保护层覆盖该源极、该漏极以及该半导体层，并暴露出部分该像素电极。

【技术特征摘要】
1.一种像素结构的制造方法，包含以下步骤提供基板；在该基板上形成栅极与像素电极；依序形成覆盖于该基板上的介电层以及半导体层；图案化该介电层以及该半导体层，以在该栅极上形成图案化介电层以及图案化半导体层；在该基板上形成导电层；提供光掩模，并利用该光掩模进行第一光刻工艺以图案化该导电层，而在该图案化半导体层上形成源极与漏极，其中该漏极电性连接于该像素电极；在该基板上形成保护层；以及利用该光掩模进行第二光刻工艺，以形成图案化保护层，该图案化保护层覆盖该源极、该漏极以及该半导体层，并暴露出部分该像素电极。2. 如权利要求1所述的制造方法，其中该图案化保护层覆盖该源极与该 漏极的侧壁表面。3. 如权利要求1所述的制造方法，其中该图案化保护层比该源极或该漏 极的边缘至少宽0.5微米。4. 如权利要求1所述的制造方法，其中利用该第二光刻工艺形成该图案 化保护层的步骤包含以下步骤在该保护层上形成光致抗蚀剂层；利用该光掩模图案化该光致抗蚀剂层，其中通过调整工艺参数以使得图 案化的该光致抗蚀剂层具有比该源极与该漏极更宽的图案；以图案化的该光致抗蚀剂层为掩模对该保护层进行蚀刻工艺，以除去未 被该光致抗蚀剂层所覆盖的部分该保护层；以及除去剩余的该光致抗蚀剂层。5. 如权利要求4所述的制造方法，其中该工艺参数包含总曝光量、该光 致抗蚀剂层的预烘烤温度以及显影时间。6. 如权利要求1所述的制造方法，其中该保护层包含感光材料，且利用 该第二光刻工艺形成该图案化保护层的步骤包含以下步骤 利用该光掩模在该保护层上定义出该光掩模的图案；以及 进行显影工艺，以除去该保护层上不具有该光掩模的图案的部分。7. 如权利要求6所述的制造方法，还包括使得具有该光掩模图案的该保护层部分再流动。8. 如权利要求1所述的制造方法，其中在该基板上形成该栅极与该像素 电极的步骤包含以下步骤在该基板上形成透明导电层； 在该透明导电层上形成金属层；以及图案化该透明导电层与该金属层以形成该栅极与该像素电极，其中该栅 极包括该透明导电层与该金属层，而该像素电极包括该透明导电层。9. 如权利要求1所述的制造方法，还包含在该图案化半导体层上形成沟 道保护层。10. —种像素结构的制造方法，包含以下步骤提供基板；在该基板上依序形成透明导电层与金属层；图案化该透明导电层与该金属层，以形成栅极与像素电极叠层，其中该 栅极与该像素电极叠层分别包括该透明导电层与该金属层； 依序形成覆盖于该基板上的介电层以及半导体层；图案化该介电层以及该半导体层，以在该栅极上形成图案化介电层以及 图案化半导体层；形成覆盖于该基板上的导电层；提供光掩模，并利用该光掩模进行第一光刻工艺以图案化该导电层与该 金属层，以在该半导体层上形成源极与漏极并暴露出该像素电极叠层的部分 的该透明导电层作为像素电极；在该基板上形成保护层；以及利用该光掩模而进行第二光刻工艺，以形成图案化保护层，该图案化保 护层覆盖该源极、该漏极以及该半导体层，并暴露出部分该像素电极。11. 如权利要求IO所述的制造方法，其中该图案化保护层覆盖该源极与 该漏极的侧壁表面。12. 如权利要求IO所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹勋昌，林汉涂，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]