本发明专利技术涉及一种放射线敏感性树脂组合物，其含有不饱和羧酸或不饱和羧酸酐与（甲基）丙烯酰氧基氧杂环丁烷的共聚物、１，２－醌二叠氮化合物和热敏性酸生成化合物。该组合物没有安全性上的问题，灵敏度、分辨率、作为溶液的保存稳定性等优良，在显影工序中即使超过最适显影时间，也可以形成良好的图案形成，具有良好的显影余量，可用于形成层间绝缘膜和微透镜。
【技术实现步骤摘要】
^t线敏感性树，^a，、层间，膜和m^的形成5 ,页域本专利技术涉皿射线敏感性树脂组合物、由该放射线敏感性树脂组合物形成的层间绝缘膜和^t镜、以及该层间绝缘膜和微it^(microlens)的形成方法。 背景狱io 在薄膜晶体管(下面记为TFT)型液晶显示元件、磁头元件、集成电路元件、固体摄像元件等电子部件中，为了^M状配置的布线之间绝缘，通常 要设置层间绝缘膜。作为形成层间绝缘膜的材料，1M获得需要的图，^b^f 需的工序数少且具有充分的平坦性的材料，因此广泛i^,线敏感性树B離 合物(参见特开2001-354822号公报和特开2001-343743号公报)。15 ，电子元件中，例如TFT型液晶显示元件JiM31在层间绝缘膜上形成透明电极膜，再在其上形成液晶取向膜的工序制造的，因此层间绝缘,透明 电丰，的形成工序中会暴ltt高温制牛下，或者暴H^形成电极图^0H^的 抗蚀剂的剥离、液中，因此必须对这些割牛有充分的耐受性。另外近年来，TFT型液晶显示元件正在向大画面化、髙亮度化、高精细20化、高速响应化、薄型化等发展，从工艺上产品成品率的要求考虑，要求形成 层间绝缘^^鄉的辐射1^性组合物是灵 高，并舰于形成的层间绝缘 膜，在低介电常数、高透光率等方面要求具有更高的性能。另一方面，作为传真机、电子复印机、固体摄像元件等晶载彩色滤光片 的成像光学系充或光纤连接器的光学材料，通常使用皿径为3 100 U m左25右的11^^其规则排列的'#^阵列。作为形成'1^it镜的方法，已知的有在形成对应^S镜的图案^bt薄膜后， 进行加热舰使其繊，直接用作纖的方法；^!t熔舰的纖形成图案作为掩模，！31T^将透镜皿转印在基底上的方法等，^J:^Sm图案的形成中，也广泛〗顿娜线敏感性树脂组糊(参见特开平6-18702号公报和特开 30 平6-136239号公报)。并且，要求形成纖图案所使用的放射线敏感性树脂组合物灵驗髙， 由其形成的^t^具有所需的曲率半径，并且具有髙耐热性、高透光率等。另外，然后将形成上述M^的元件提供给如下工序，即为了除去作为 鹏形成部分的焊接区上的各种绝缘膜，涂布平坦化膜和蚀亥佣保护膜，舰5所需的光掩模鹏娜线，显影，除去焊接区部分的鹏,微膜后，通过蚀 刻除去平坦化膜、各种绝缘膜，露出焊接区部分。因此，^t^在平坦化膜、 鹏佣保护膜的鹏形虹序和鹏IJ工序中，需要有,雌、耐热性等。另一方面，这样获得的层间绝缘膜、,镜在形成时的显影工序中，如果显影时间@31 :适时间，则显影液浸慰i屈案和繊之间，容易发生剥落， io为了避免这种il^必须严l^制显影时间，在产品成品率乃至生产率方面有问 题。进而，为了提高层间绝缘膜、mit镜的耐热性、表面硬度，提出了在作 为原料的娜线敏感性树月離糊中添加氟化锑类作为鹏性敝生齐啲方案 (参见特开2001-330953号公报)，但是这样的娜线鹏性树I離糊被指出15有锑系化，产生的毒性的问题。这样，对于用于形成层间绝缘膜、微透镜的放射线敏感性树脂组合物， 要求其灵敏叟髙，并且要求在显影工序中即使在显影时间超过规定时间的情况 下也不会发生图案的剥离，另外要求形成的层间纖膜耐热性高、,'胜高、 介电常数低、透光率高等，而形成mit镜时，除了作为自镜的良好的熔体形 20状(所需的曲率半径)，还要求耐热性髙、耐溶剂性髙、透光率高等，但目前 还没有可充分满足战各种要求，并且也没有安她问题的娜线敏感性柳旨 组溯。
技术实现思路
25 本专利技术是基于上述情况进行的，本专利技术的第一个目的在于提供一种自线敏感性树脂组糊，其没有安錄问题，灵驗、彌率、作鹏液的保存 稳定性等优良，具有良好的显影^S(現像7—、;;^),即在显影工序中即^i过 ^i显影时间也可以形成良好的图案皿。本专利技术的第二个目的在于,一种使用上述放射线敏感性树脂组合物形30織具优良的耐總帷、耐热性、透光率、密她等的层间^:膜的方法。 另外，本专利技术的第三个目的在于提供一种舰战放射线敏感性树脂组 糊形成兼具优良的耐鹏雌、耐热性、透光率、密合性等，具有良好的熔体微的^3t^的方法。本专利技术的其他目的和优点从下面说明可以明白。根据本专利技术，本专利技术的上述第一目的可以M放射线敏感性树脂组合物来实现，所^lt线敏感性树B離合物的伊征在f^有(al)选自不，羧酸和不 11^^酐中的至少一种，和 (a2)选自下式(1)<formula>formula see original document page 6</formula>(式(1)中，R ^^原子 原子数为1 4的^ , W^^原子 或碳原子数为1 4的^S, R2、 R3、 R4和R5相互独^i^^子、氟原子、 碳原子数为1 4的^、碳原子数为6 20的芳基OT原子数为1 4的^ '^S, n为l 6的皿)^的化，和下式(2)R R1 R2CH2-i-C一0-(CH2)n-+- 一R3 (2 > 0 O— 一R4R5(式(2)中，R、 R1、 R2、 R3、 R4和R5以及n与上式(1)中的定义相 同)新的化合物中的至少一种的共聚物，问1，2-醌二叠氮(i, 2 -牛乂 〉y:r^卜* )化合物，和[C]繊性酸生成化她本专利技术的战第二目的通过层间绝缘膜的形成方法实现，其特征在于以下逸i^a含下^序(I)在S^J:形成J^^线敏感性组，的,的工序；(n)向该被膜的至少一部分 线的工序； 5 (ffl)将自后的被MS影的工序；和(IV)加热显影后的敏模的工序。 本专利技术的J^第三目的通过微透镜的形成方法实现，其特征在于以下述 W^含下虹序(i)在MLh形^m^r线敏感性组，的^的工序；io (n)向该,的至少一部分,皿线的工序；(ffl)将鹏后的被麟影的工序；和 (IV)加热显影后的柳摸的工序。附图说明15 图1是M^的截面皿的示意图。具体实施方式下面详细说明本专利技术。 [A〗共聚物20 本专利技术的放射线敏感性树脂组合物中含有的[A共聚物是(al)选自不饱 和羧酸和不顿啦酸酐中的至少一种(下面称为不饱和化溯(al))和(a2) 选自上式(1)表示的化合物和上式(2) ^的化合物中的至少一种(下面称 为不柳化糊(a2))的共聚物。作为不船H化，(al),可列辨咖一元羧酸化，、二元羧酸化^i、25 二元羧酸酐、多元羧酸的单[(甲萄丙烯酰flS^基酯、在两糊具有羧辭口羟 基的聚合物的钩甲基)丙烯,等。作为战一元羧酸化働，可列辦ij如丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、2-丙烯酰氧基乙基琥珀酸酯、2-甲基丙烯酰 乙基琥珀酸酯、2-丙烯酰縫乙 基7^苯二甲酸酯、2-甲基丙烯StflS乙基7^二甲酸SI^;30 作为战二元羧酸化合物，可列举例如马来酸、富马酸、柠康酸、中康酸、衣康酸等；作为，二元羧酸酐，可歹l，铷i^二元羧酸化，的酸酐条 作为Jl^多元羧酸的单[(甲萄丙烯酰^S烷基酯，可列辨咖琥珀酸单(2-丙烯酰氧基乙基)酯、琥珀酸辨2-甲基丙烯m^乙基)酯、苯二甲酸辨2-丙5烯SmS乙基)酯、苯二甲酸辨2-甲基丙烯酰flS乙基)酯等；作为，在两末端具有羧凝嗨基的聚糊的辨甲萄丙烯酸酯，可列举 例如o -羧 5己内酯单丙烯翻旨、co -羧8^己内酯单甲基丙烯 1等。从共聚反应性、在碱性水溶本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种放射线敏感性树脂组合物，其特征在于含有： ［Ａ］（ａ１）和（ａ２）的共聚物，其中（ａ１）为选自不饱和羧酸和不饱和羧酸酐中的至少一种 （ａ２）为选自下式（１）表示的化合物和下式（２）表示的化合物中的至少一种， ＣＨ↓［２］＝＊－＊－Ｏ－（ＣＨ↓［２］）↓［ｎ］－＊－＊－Ｒ↑［３］ （１） 式（１）中，Ｒ表示氢原子或碳原子数为１～４的烷基，Ｒ↑［１］表示氢原子或碳原子数为１～４的烷基，Ｒ↑［２］、Ｒ↑［３］、Ｒ↑［４］和Ｒ↑［５］相互独立地表示氢原子、氟原子、碳原子数为１～４的烷基、碳原子数为６～２０的芳基或碳原子数为１～４的全氟烷基，ｎ相互独立地为１～６的整数； ＣＨ↓［２］＝＊－＊－Ｏ－（ＣＨ↓［２］）↓［ｎ］－＊－＊－Ｒ↑［３］ （２） 式（２）中，Ｒ、Ｒ↑［１］、Ｒ↑［２］、Ｒ↑［３］、Ｒ↑［４］和Ｒ↑［５］以及ｎ与上式（１）中的定义相同； ［Ｂ］１，２－醌二叠氮化合物，和 ［Ｃ］热敏性酸生成化合物。
【技术特征摘要】
JP 2005-10-3 2005-2894721.一种放射线敏感性树脂组合物，其特征在于含有[A](a1)和(a2)的共聚物，其中(a1)为选自不饱和羧酸和不饱和羧酸酐中的至少一种(a2)为选自下式(1)表示的化合物和下式(2)表示的化合物中的至少一种，式(1)中，R表示氢原子或碳原子数为1～4的烷基，R1表示氢原子或碳原子数为1～4的烷基，R2、R3、R4和R5相互独立地表示氢原子、氟原子、碳原子数为1～4的烷基、碳原子数为6～20的芳基或碳原子数为1～4的全氟烷基，n相互独立地为1～6的整数；式(2)中，R、R1、R2、R3、R4和R5以及n与上式(1)中的定义相同；[B]1，2-醌二叠氮化合物，和[C]热敏性酸生成化合物。2.权利要求1所述的鹏线敏感性树B離合物，其中[A]共聚物是上述 (al)成分、(a2)成分以及(a3)的共聚物，所述(a3)为与战(al)成分 20和(a2)成分不同的其ftyt...
【专利技术属性】
技术研发人员：米田英司，滨田谦一，志保浩司，
申请(专利权)人：JSR株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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