化学机械研磨用组合物及研磨方法技术

本发明专利技术提供一种化学机械研磨用组合物及研磨方法，可对具有氧化硅膜的被研磨面以高速进行研磨，并且可减少研磨后的表面缺陷的产生，且可抑制起泡的产生。本发明专利技术的化学机械研磨用组合物是含有(A)二氧化硅粒子、(B)选自由有机酸、硝酸、硫酸及磷酸所组成的群组中的至少一种、以及(C)液状介质的化学机械研磨用组合物，其中，所述(A)二氧化硅粒子具有下述(a)～(d)的特征。(a)平均一次粒径为35nm以上。(b)每1g二氧化硅粒子中含有1000质量ppm以上的烷氧基。(c)当量圆直径未满20nm的二氧化硅粒子数量的比例未满15％。(d)每1g二氧化硅粒子中含有5μmol以上的一级胺。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种化学机械研磨用组合物及使用其的研磨方法。

技术介绍

1、随着半导体的制造技术的提高，对半导体元件要求高集成化、高速运行。伴随于此，在半导体元件中的微细电路的制造步骤中所要求的半导体基板表面的平坦性日益严格，化学机械研磨(chemical mechanical polishing：cmp)成为半导体元件的制造步骤中必不可少的技术。

2、cmp例如有效用于多层配线形成步骤中的层间绝缘膜的平坦化、金属插塞(plug)形成、埋入配线(镶嵌配线)形成中。为了实现在此种步骤中取得了平衡的研磨特性，提出了各种研磨用组合物(浆料)(例如，参照专利文献1～专利文献2)。

3、[现有技术文献]

4、[专利文献]

5、[专利文献1]日本专利特开2008-235652号公报

6、[专利文献2]国际公开第2017/57155号

技术实现思路

1、[专利技术所要解决的问题]

2、为了进一步提高半导体生产性，要求如下的化学机械研磨用组合物、及化学机械本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种化学机械研磨用组合物，含有：

2.根据权利要求1所述的化学机械研磨用组合物，其中，所述(A)成分的真比重为1.95g/cm3以上。

3.根据权利要求1或2所述的化学机械研磨用组合物，其中，所述(A)成分的缔合比为1.2以上。

4.根据权利要求1或2所述的化学机械研磨用组合物，其中，当将所述(A)成分的含量设为MA质量％、将所述(B)成分的含量设为MB质量％时，MA/MB＝0.1～600。

5.根据权利要求1或2所述的化学机械研磨用组合物，其中，所述(B)成分为羧酸或羧酸的盐。

6.根据权利要求1或2所述的化学机械研磨用组...

【技术特征摘要】

1.一种化学机械研磨用组合物，含有：

2.根据权利要求1所述的化学机械研磨用组合物，其中，所述(a)成分的真比重为1.95g/cm3以上。

3.根据权利要求1或2所述的化学机械研磨用组合物，其中，所述(a)成分的缔合比为1.2以上。

4.根据权利要求1或2所述的化学机械研磨用组合物，其中，当将所述(a)成分的含量设为ma质量％、将所述(b)成分的含量设为mb质量％时，ma/mb＝0.1～600。

5.根据权利要求1或2所述的化学机械研磨用组合物，其中，所述(b)成分为羧酸或羧酸的盐。

6.根据权利要求1或2所述的化学机械研磨用组合物，其中，ph为1以上且7...

【专利技术属性】
技术研发人员：西村康平，龟井康孝，福与翼，
申请(专利权)人：JSR株式会社，
类型：发明
国别省市：