具有温度传感装置的MOSFET制造方法及图纸

一种晶体管（１），具有集成在晶体管中的ＦＥＴ（２）和温度传感二极管（４）。栅极驱动电路（１２）被设置成断开ＦＥＴ（２），因而在这种情形下偏置电路（１４）驱动恒电流流过二极管（４）。通过电压传感器（１５）测量二极管（４）两端的电压，提供对ＦＥＴ温度值的测量。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及场效应晶体管(FET)，尤其涉及具有传感装置的FET。技术背景为保护器件或电路免出故障，场效应晶体管(FET)如金属氧化物半 导体FET (MOSFET)可包含温度传感元件以检测温度波动。可将这种温度传感元件集成在公共衬底以便更快速地检测 MOSFET的波动。实事上可集成元件构成MOSFET。例如，US 2003/0210507描述了一种MOS电路结构的温度传感器，实现成MOS晶 体管的栅极，其中晶体管的栅极配置成具有栅极输入和栅极输出的两端 网络，通过测量栅极两端的压降能够原位确定温度。此外，使用半导体二极管作为热耦合的温度传感元件是已知技术。 US-A-5，100,829描述一种包含衬底温度传感元件的MOSFET器件。通过 在(栅极)介电区上构成PN结，可在仍与衬底电隔离的同时提高对衬底温 度变化的热响应。然而，这种附加的温度传感端会使MOSFET难以集成在现有的电 路中。这种MOSFET需要附加电路。
技术实现思路
按照本专利技术的第一方面，提供一种晶体管电路，包括具有源极、栅极和漏极的场效应晶体管器件； 连接在FET的栅极和源极之间的温度传感二极管，二极管阴极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体管器件（１），包括：衬底（３）上的具有源极、栅极和漏极的场效应晶体管（ＦＥＴ）（２）；衬底第一主表面（７）上的栅极键合焊盘（５）；以及栅极键合焊盘（５）下面的至少一个温度传感二极管（４），所述温度传感二极管（ ４）电连接在ＦＥＴ（２）的栅极和源极之间，该温度传感二极管（４）或每一个温度传感二极管（４）取向成二极管阴极与ＦＥＴ的栅极连接和二极管阳极与ＦＥＴ的源极连接。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】EP 2005-3-15 05102032.91.一种晶体管器件(1)，包括衬底(3)上的具有源极、栅极和漏极的场效应晶体管(FET)(2)；衬底第一主表面(7)上的栅极键合焊盘(5)；以及栅极键合焊盘(5)下面的至少一个温度传感二极管(4)，所述温度传感二极管(4)电连接在FET(2)的栅极和源极之间，该温度传感二极管(4)或每一个温度传感二极管(4)取向成二极管阴极与FET的栅极连接和二极管阳极与FET的源极连接。2. 根据权利要求1的晶体管器件，其中所述温度传感二极管(4)是齐 纳二极管。3. 根据权利要求1或2的晶体管器件，其中栅极键合焊盘(5)位于由 FET(2)围绕的第一主表面(7)的区域内。4. 一种晶体管电路，包括晶体管器件(l)，包含具有源极、栅极和漏极的场效应晶体管(FET) (2) 和连接在FET的栅极和源极之间的温度传感二极管(4)， 二极管(4)阴极 与FET的栅极连接，二极管阳极与FET的源极连接；偏置电路(14)，被设置成当FET(2)断开时对FET栅极施加负偏置；以及连接在FET(2)的栅极和源极之间的传感器(21)，测量表示FET(2) 的温度的参数。5. 根据权利要求4的晶体管电路，其中栅极驱动电路(12)包括恒 电流源，并且传感器是电压传感器。6. 根据权利要求4或5的晶体管电路，其中温度传感二极管(4)在 FET(2)的栅极键合焊盘(5)下面。7. 根据权利要求4至6中任一项的晶体管电路，包...

【专利技术属性】
技术研发人员：基思赫彭斯托尔，亚当布朗，艾德里安高，伊恩肯尼迪，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]