【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具有ESD保护的集成电路。技术背景在集成电路(IC)的应用中，在一个设计中典型地使用不同的 电源域。例如液晶显示(LCD)驱动器、用于汽车应用的IC、电源管 理IC等等。经常在CM0S (互补金属氧化物半导体)技术中实现这些IC。这 些IC中的晶体管在不同的电压域中操作，从而必须具有不同的掺杂 浓度和不同的栅极厚度。在一个特定的电压域中，电压越高，最小晶 体管尺寸必须越大。为了保证晶体管不被电流峰值或电压峰值损坏，这种CMOS IC必 须防止静电放电(ESD)。各个晶体管的设计必须满足已知的ESD要求。关于所用的ESD 钳位器件，可以概括要求如下-每个电源域需要一个ESD保护。这意味着在两个电源轨(power rail)之间必须实现ESD通路，这在正ESD应力和负ESD应力情况下 是优选的。通常使用电源域中的一个作为基准，以及在基准电源域和 每个电源域之间构建ESD通路，从而提供整体ESD思想。通常，在 CM0SIC中，由于接地电源轨在芯片的各处都使用，所以把接地电源 轨(与衬底连接)作为基准。-进一步地，需要足够数量的钳位器件来保证电源布线 ...
【技术保护点】
一种集成电路（１０；２０；３０），包括ｎ个不同的电压轨（Ｖ↓［ｎ］到Ｖ↓［１］），其中ｎ是大于２的整数，从而定义了ｎ个不同的电源域，还包括片上ＥＳＤ保护电路，其中：所述ＥＳＤ保护电路至少包括一组（２１，２２，２３）ＥＳＤ钳位器件（Ｃ１－Ｃ４），每个这种组（２１，２２，２３）包括ｎ－１个ＥＳＤ钳位器件（Ｃ１－Ｃ４），所述ｎ－１个ＥＳＤ钳位器件（Ｃ１－Ｃ４）以梯状结构布置，所述梯状结构的特征在于所述ｎ－１个ＥＳＤ钳位器件中的一个被插入所述ｎ个电源轨（Ｖ↓［５］到Ｖ↓［１］）中的每一个和具有其次较低电压的各个电源轨之间，从而定义了所述ｎ个电源轨中的每一个和具有其次较低电压的电源轨...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】EP 2005-7-22 05106737.91.一种集成电路(10；20；30)，包括n个不同的电压轨(Vn到V1)，其中n是大于2的整数，从而定义了n个不同的电源域，还包括片上ESD保护电路，其中所述ESD保护电路至少包括一组(21，22，23)ESD钳位器件(C1-C4)，每个这种组(21，22，23)包括n-1个ESD钳位器件(C1-C4)，所述n-1个ESD钳位器件(C1-C4)以梯状结构布置，所述梯状结构的特征在于所述n-1个ESD钳位器件中的一个被插入所述n个电源轨(V5到V1)中的每一个和具有其次较低电压的各个电源轨之间，从而定义了所述n个电源轨中的每一个和具有其次较低电压的电源轨之间的ESD电流通路，并且其中在所述集成电路(10；20；30)的正常的电源操作情况下，每个所述的ESD钳位器件(C1-C4)是截止的。2. 根据权利要求1的集成电路(10; 20; 30)，其具有多组(21， 22， 23) ESD钳位器件(Cl-C4)，其中ESD钳位器件被分布在所述 集成电路(10; 20; 30)上。3. 根据权利要求1或2的集成电路(10; 20; 30)，其中在ESD 的情况下，ESD电流通路是从所述n个电源轨(Vs到Vj中的任何一 个或者流到具有其次较低电压的各个电源轨或者流到具有其次较高 电压的各个电源轨的轨道间电流通路。4. 根据权利要求1或2的集成电路(10; 20; 30)，其中在ESD 的情况下，为了防止所述集成电路(10; 20; 30)中的损坏，n个电 源轨(Vs到中的任何轨道之间的电压差被保持低于一个给定的阈 值电压。5. 根据权利要求1或2的集成电路(10; 20; 30)，其中所述钳位器件是低电压钳位器件(C1-C4)，优选地被设计为电压低于IOV。6. 根据权利要求1或2的集成电路(10; 20; 30)，其中所述 片上ESD保护电路是ESD无基准电路。7. 根据权利要求1或2的集成电路(10; 20; 30...
【专利技术属性】
技术研发人员：泽利科姆尔查利察，法布里斯勃朗，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]
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