白光发光二极管的制造系统与方法技术方案

一种垂直型发光二极管（ＬＥＤ）包含：金属基板（７０）；连接于该金属基板的ｐ型电极（７２）；连接于该ｐ型电极的ｐ型接点（面）（７４）；连接于该ｐ型电极的ｐ型ＧａＮ部分（７６）；连接于该ｐ型ＧａＮ部分的活性区域（７８）；连接于该活性区域的ｎ型ＧａＮ部分（８２）；以及连接于该ｎ型ＧａＮ的荧光体层（９６）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及发光二极管(LED)及其制造方法。
技术介绍
发光二极管(light emitting diode, LED)技术的进步己使得LEDs具有 ^f只小、龍轻、效率高和絲长辦性。这些LEDs在各式单色光输出(例 如红光、蓝光和绿光)已可见相当大的进步，单色LED能作为一种特殊显 示器的背光，例如手机和液晶显示器(LCDs)。驗，已多方尝试利用LED来制造白光光源。因为LEDs具有偏好的 Mf光i魏产生单色光，故制造白光光源必须将红(R)、绿(G)、蓝(B) 三种发光组件相互紧密地排列在一起，同时传播并混合由其所发出的光波。 当以此排列来产生白光时，因为发光组件的色调、亮度和其它因素上的变 化，故存在着如下问题，亦即无法产生出f給要求色调的白光；并且，当 发光组件由不同材料构成时，驱动所需的电能也随发光二极管而有所不同， 故须对不同发光组件施以不同电压，这样会导致复杂的驱动电路。再者， 因为该发光组件为半导体发光组件，色调易因,特性的差异、时序改变 及操作环境而产生变化；或是因无法均匀地混合由发光组件所产生的光波 而造成色彩不均匀。虽然目前为止尚未存在能够利用发光组件而发本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种垂直型发光二极管，包含：　　　　金属基板；　　　　ｐ型电极，连接于该金属基板；　　　　ｐ型接点（面），连接于该ｐ型电极；　　　　ｐ型ＧａＮ部分，连接于该ｐ型电极；　　　　活性区域，连接于该ｐ型ＧａＮ部分；　　　　ｎ型ＧａＮ部分，连接于该活性区域；以及　　　　荧光体层，连接于该ｎ型ＧａＮ部分。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-1-11 11/032,8531. 一种垂直型发光二极管，包含金属基板；p型电极，连接于该金属基板；p型接点(面)，连接于该p型电极；p型GaN部分，连接于该p型电极；活性区域，连接于该p型GaN部分；n型GaN部分，连接于该活性区域；以及荧光体层，连接于该n型GaN部分。2. 如权利要求1所述的垂直型发光二极管，其中，该金属基板使 用下列方法之一来沉积电化学电镀、无电化学镀、溅镀、化学气相 沉积、电子束蒸镀、热喷涂法。3. 如权利要求1所述的垂直型发光二极管，其中，该金属基板为 金属或包含铜、镍及铝其中之一的金属合金。4. 如权利要求1所述的垂直型发光二极管，其中，该p型接点(面) 包含反光器。5. 如权利要求1所述的垂直型发光二极管，其中，将该荧光体层 旋转涂布。6. 如权利要求5所述的垂直型发光二极管，包含形成要被旋转涂 布的荧光体粉末。7. 如权利要求5所述的垂直型发光二极管，其中，该荧光体颗粒 与一种或多种有机化学物混合。8，如权利要求1所述的垂直型发光二极管，其中，该荧光体层被 图案化。9. 如权利要求1所述的垂直型发光二极管，其中，该荧光体层被 干式蚀刻。10. 如权利要求1所述的垂直型发光二极管，包含金属焊垫，其 连接于该荧光体层。11. 如权利要求1所述的垂直型发光二极管，其中，该荧光体层 接触该LED的该n型GaN的表面。12.—种荧光体n型GaN在上LED晶圆的制造方法，包含 设置承载基板；在该承载基板上方沉积n型GaN部分； 在该n型GaN部分上方沉积活性层； 在该活性层上方沉积p型GaN部分； 沉积一个或多个金属层； 施加掩膜层；蚀刻该金属层、p型GaN层、...

【专利技术属性】
技术研发人员：段忠，陈长安，
申请(专利权)人：美商旭明国际股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]