【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种射频LDMOS器件中金属源衬通路的实现方法。
技术介绍
LDMOS是目前RF射频工艺中的常用器件之一。基于LDMOS可以形成低成本,高性能高集成度的RFLDMOS器件,被应用于高频通信领域以及其他对于速度要求很高的应用领域。普通的RFLDMOS结构如图1所示。为了提高器件的响应频率,如何提高工作频率,降低源衬通路电阻是一个很难的问题,要么是通过注入加推阱的方法,这需要进行高能量和高剂量的注入,并且高温推阱后,载流子横向扩散增加了尺寸,并且工艺控制精度很难把握,而对于用掺杂的多晶,虽然电阻也能降低但没有金属低。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种金属源衬通路的实现方法,其能实现低阻的金属源衬通路。为解决上述技术问题,本专利技术的金属源衬通路的实现方法,在形成栅极后的器件上淀积第一层绝缘层之后,包括如下步骤:1)采用光刻工艺定义出源衬接触通孔的位置,之后刻蚀该位置处的第一层绝缘层至栅氧,去除光刻胶;2)接着进一步刻蚀外延层至衬底,形成源衬接触通孔;3)之后采用光刻工艺定义出有源区和第一层金属之间的接触孔的位置,刻蚀第一层绝缘层形成接触孔;4)淀积金属,以完全填充源衬接触通孔和接触孔;5)采用CMP工艺去除第一层绝缘层上的金属。本专利技术的实现方法,通过自对准进行源衬接触通孔的刻蚀,可以大大降低接触通孔的宽度,提高器件的密度,增加器件的增益。由于以金 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种射频LDM0S器件中金属源衬通路的实现方法,其特征在于,在形成
栅极后的器件上淀积第一层绝缘层之后,包括如下步骤:
1)采用光刻工艺定义出源衬接触通孔的位置,之后刻蚀该位置处的第一
层绝缘层至栅氧,去除光刻胶;
2)接着进一步刻蚀外延层至衬底,形成源衬接触通孔;
3)之后采用光刻工艺定义出有源区和第一层金属之间的接触孔的位置,
刻蚀所述第一层绝缘层形成接触孔;
4)淀积金属,以完全填充所...
【专利技术属性】
技术研发人员:王海军,陈俭,
申请(专利权)人:上海华虹NEC电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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