具有不同厚度栅极氧化物的ESD结构制造技术

一种在集成电路装置的输出端具有增加的耐电压力的静电放电（ＥＳＤ）结构具有与较厚的栅极氧化物层ＭＯＳ装置串联耦合的薄栅极氧化物层金属氧化物半导体（ＭＯＳ）装置。所述薄栅极氧化物层ＭＯＳ装置可由所述集成电路的低电压控制电路控制。所述较厚栅极氧化物层ＭＯＳ装置可耦合到所述集成电路装置的输出，或者双极晶体管可耦合在所述集成电路装置的输出与所述较厚栅极氧化物层ＭＯＳ装置之间。所述薄栅极氧化物层与较厚的栅极氧化物层ＭＯＳ装置可串联耦合。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有不同厚度栅极氧化物的ESD结构相关专利申请案本申请案主张Randy L. Yach禾tl Philippe Deval在2005年7月7日申请的题为 Mixed-Thickness Oxide ESD Structure的第60/697,187号共同拥有的美国临时专利申请 案的优先权，所述美国临时专利申请案以引用的方式并入本文以用于所有目的。
根据一个实施例，本专利技术涉及电子电路的静电放电(ESD)保护，更特定来说，涉 及可能必须承受比正常集成电路逻辑电压高的操作电压的输入输出(I/O)电路的ESD 保护。技术背景在(例如但不限于)交通工具中用于控制和感测各种功能的多个电路正被交通工具 中每个机电控制装置/传感器处的总线接口装置取代。具有总线接口，例如局域互连网络 (LIN)、控制器区域网络(CAN)等，极大地简化了交通工具布线，并改进了交通工具 子系统和操作组件的诊断故障检修。
技术实现思路
然而，关于任何类型的机电接口，必须通过保护总线接口的电子输入输出(I/O)部 分来处理电压尖脉冲、过电压以及极性改变。另外，由于交通工具中电气附件的使用增 加，交通工具电气系统正经历本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在集成电路的输出端具有增加的耐电压力的静电放电（ＥＳＤ）结构，其包括：至少一个第一金属氧化物半导体（ＭＯＳ）装置，其具有薄栅极氧化物层，其中所述至少一个第一ＭＯＳ装置由低电压控制；至少一个第二ＭＯＳ装置，其与所述至少一个第一ＭＯＳ装置的所述薄栅极氧化物层相比具有较厚的栅极氧化物层；集成电路的输出端，其中所述至少一个第二ＭＯＳ装置耦合在所述至少一个第一ＭＯＳ装置与所述集成电路的所述输出端之间；其中所述至少一个第一和第二ＭＯＳ装置相互交叉，以形成用于所述输出端处的静电放电保护的寄生双极晶体管。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-7-7 60/697,187;US 2005-8-30 11/215,7751.一种在集成电路的输出端具有增加的耐电压力的静电放电(ESD)结构，其包括至少一个第一金属氧化物半导体(MOS)装置，其具有薄栅极氧化物层，其中所述至少一个第一MOS装置由低电压控制；至少一个第二MOS装置，其与所述至少一个第一MOS装置的所述薄栅极氧化物层相比具有较厚的栅极氧化物层；集成电路的输出端，其中所述至少一个第二MOS装置耦合在所述至少一个第一MOS装置与所述集成电路的所述输出端之间；其中所述至少一个第一和第二MOS装置相互交叉，以形成用于所述输出端处的静电放电保护的寄生双极晶体管。2. 根据权利要求1所述的ESD结构，其中所述至少一个第一 MOS装置是多个第一 MOS装置，所述至少一个第二装置是多个第二MOS装置，所述多个第一MOS装 置中的每一者并联连接，且所述多个第二MOS装置中的每一者并联连接。3. 根据权利要求2所述的ESD结构，其中所述多个第一和第二MOS装置相互交叉， 以形成用于所述输出端处的静电放电保护的寄生双极晶体管。4. 根据权利要求1所述的ESD结构，其中所述至少一个第一 MOS装置与所述至少一 个第二MOS装置串联连接。5. 根据权利要求1所述的ESD结构，其中所述至少一个第一和第二 MOS装置形成在 所述集成电路的衬底上。6. 根据权利要求1所述的ESD结构，其进一步包括耦合在所述输出端与所述至少一 个第二 MOS装置之间的双极晶体管。7. 根据权利要求6所述的ESD结构，其中所述至少一个第一和第二 MOS装置与所述 双极晶体管形成在所述集成电路的衬底上。8. 根据权利要求6所述的ESD结构，其中所述双极晶体管是PNP双极晶体管。9. 根据权利要求1所述的ESD结构，其中所述至少一个第一和第二 MOS装置是P 沟道MOS装置。10. 根据权利要求1所述的ESD结构，其中所述至少一个第一和第二 MOS装置是N 沟道MOS装置。11. 根据权利要求1所述的ESD结构，其中所述至少一个第一和第二 MOS装置是增强 模式MOS装置。12. 根据权利要求13所述的ESD结构，其中所述至少一个第一和第二MOS装置是耗 尽模式MOS装置。13. 根据权利要求1所述的ESD结构，其中所述低电压控制电路为3伏或3伏以下。14. 一种集成电路，其具有至少一个输出端，其在所述输出端拥有具有增加的耐电压力 的静电放电(ESD)结构，其包括双极晶体管，其耦合到集成电路的输出端；至少一个第一金属氧化物半导体(MOS)装置，其具有薄栅极氧化物层，其中 所述至少一个第一 MOS装置由低电压控制；至少一个第二 MOS装置，其与所述至少一个第一 MOS装置的所述薄栅极氧化 物层相比具有较厚的栅极氧化物层，其中所述至少一个第二MOS装置耦合在所述 至少一个第一 MOS装置与所述双极晶体管之间；其中所述至少一个第一和第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：兰迪亚奇，菲利普德瓦尔，
申请(专利权)人：密克罗奇普技术公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]