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一种在集成电路装置的输出端具有增加的耐电压力的静电放电（ＥＳＤ）结构具有与较厚的栅极氧化物层ＭＯＳ装置串联耦合的薄栅极氧化物层金属氧化物半导体（ＭＯＳ）装置。所述薄栅极氧化物层ＭＯＳ装置可由所述集成电路的低电压控制电路控制。所述较厚栅极氧化...
该专利属于密克罗奇普技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过密克罗奇普技术公司授权不得商用。

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