【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种磁阻效应器件以及一种使用它的磁性随机存取存 储器，例如使用自旋注入写入方案的磁阻效应器件。
技术介绍
近年来，已经提出信息基于新原理而记录于其上的许多固态存储 器。在固态存储器中，作为固态磁性存储器，使用隧道磁阻(TMR)的磁阻随机存取存储器(MRAM)是已知的。MRAM使 用发挥磁阻效应的磁阻(MR)器件作为存储单元，依赖于MR元件 的磁化状态将信息存储在存储单元中。MR元件包括具有可变磁化的层和具有固定磁化的层。当可变磁 化层的磁化方向与固定磁化层的磁化方向平行时，低阻态出现。当方 向彼此相反时，高阻态出现。阻态之间的差异用来存储信息。作为在MR元件中写入信息的方法，使用所谓电流磁场写入方 案。在该方案中，互连排列在MR元件附近，并且由在互连中流动 的电流产生的磁场改变MR元件的磁化状态。当MR元件的尺寸减 小以缩小MRAM时，MR元件的矫顽磁性He增加。由于这个原 因，在使用磁场写入方案的MRAM中，随着缩小的进展，写入所需 的电流趋向于增加。结果，超过256Mbit的大容量的单元尺寸的缩 小与低电流配置不容易兼容。提出使用自旋动量转移(...
【技术保护点】
一种磁阻效应元件，其特征在于包括：具有基本上固定的磁化方向的磁化固定层；磁化可变层，其具有可变的磁化方向，由具有ＢＣＣ结构并由Ｆｅ↓［１－ｘ－ｙ］Ｃｏ↓［ｘ］Ｎｉ↓［ｙ］（０≤ｘ＋ｙ≤１，０≤ｘ≤１，０≤ｙ≤１）表示的磁性合金形成，并且包含在０＜ａ≤２０ａｔ％（ａ是含量）范围内的Ｖ、Ｃｒ和Ｍｎ中的至少一种添加元素；以及置于所述磁化固定层和所述磁化可变层之间并且由非磁性材料形成的中间层，其中由经过所述磁化固定层、所述中间层和所述磁化可变层的双向电流翻转所述磁化可变层的磁化方向。
【技术特征摘要】
JP 2006-9-29 2006-2695171.一种磁阻效应元件，其特征在于包括具有基本上固定的磁化方向的磁化固定层；磁化可变层，其具有可变的磁化方向，由具有BCC结构并由Fe1-x-yCoxNiy(0≤x+y≤1，0≤x≤1，0≤y≤1)表示的磁性合金形成，并且包含在0＜a≤20 at％(a是含量)范围内的V、Cr和Mn中的至少一种添加元素；以及置于所述磁化固定层和所述磁化可变层之间并且由非磁性材料形成的中间层，其中由经过所述磁化固定层、所述中间层和所述磁化可变层的双向电流翻转所述磁化可变层的磁化方向。2. 根据权利要求l的元件，其特征在于在所述磁化可变层中的位置处的所述添加元素的量随着该位置接 近所述中间层而减少。3. 根据权利要求l的元件，其特征在于所述磁化可变层和所述磁化固定层分别具有与其薄膜平面垂直的 磁化。4. 一种磁阻效应元件，其特征在于包括 具有基本上固定的磁化方向的磁化固定层；磁化可变层，其具有可变的磁化方向，由具有BCC结构并由 Fe—COxNiy ( 0￡x+y￡l ， 0￡xSl， 0￡ySl )表示的磁性合金形成，并 且包含在0<a^5 at% ( a是含量)范围内的Si、 Ge和Ga中的至少一 种添加元素的；以及置于所述磁化固定层和所述磁化可变层之间并且由非磁性材料形 成的中间层，其中由经过所述磁化固定层、所述中间层和所述磁化可变层的双 向电流翻转所述磁化可变层的磁化方向。5. 根据权利要求4的元件，其特征在于在所述磁化可变层中的位置处的所述添加元素的量随着该位置接 近所述中间层而减少。6. 根据权利要求4的元件，其特征在于所述磁化可变层和所述磁化固定层分别具有与其薄膜平面垂直的 磁化。7. —种磁阻效应元件，其特征在于包括 具有基本上固定的磁化方向的磁化固定层；磁化可变层，其具有可变的磁化方向，由具有BCC结构并由 Fe^-yCOxNiy ( O^x+y^l ， 0^1, 0￡y$l )表示的磁性合金形成，并 且包含在0<a$10 at% (a是含量)范围内的Sr、 Ti、 Y、 Zr、 Nb、 Mo、 Tc、 Hf、 Ta、 W和Re中的至少一种添加元素；以及置于所述磁化固定层和所述磁化可变层之间并且由非磁性材料形 成的中间层，其中由经过所述磁化固定层、所述中间层和所述磁化可变层的双 向电流翻转所述磁化可变层的磁化方向。8. 根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：吉川将寿，甲斐正，永濑俊彦，北川英二，岸达也，与田博明，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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