【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种包括使用晶体管形成的电路的显示装置。特别地,本专利技术涉及一种使用光电元件,诸如使用液晶元件、发光元件等 的显示装置,以及其操作方法。
技术介绍
近些年,随着大显示装置、诸如液晶电视的增加,已经对显示 装置进行了积极的开发。特别地,已经积极开发了通过使用由非晶半 导体(此后称之为非晶硅)形成的晶体管在同一绝缘衬底上形成包括 移位寄存器等的驱动器电路和像素电路等(此后称之为内部电路)的 技术,因为该技术大大促进了功耗和成本的降低。在该绝缘衬底上形成的内部电路通过FPC (扰性印制电路)等连接至控制器IC等(此后称之为外部电路),并且其操作受控。在前述内部电路中,已经设计出了使用由非晶半导体形成的晶体管(此后称之为非晶硅晶体管)的移位寄存器。图100A所示为在 常规移位寄存器中包括的触发器的结构(参考文献l:日本专利申请 JP2004- 157508)。图100A中的该触发器包括晶体管11 (自举晶体 管)、晶体管12、晶体管13、晶体管14、晶体管15、晶体管16和 晶体管17,并且其连接着信号线21、信号线22、布线23、信号线24、 电源线2 ...
【技术保护点】
一种显示装置,包括:像素;和驱动器电路,其中上述驱动器电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管和第八晶体管;上述第一晶体管的第一电极电连接至第四布线,并且上述第一晶体管的第二电极电连接至第三布线;上述第二晶体管的第一电极电连接至第六布线,并且上述第二晶体管的第二电极电连接至第三布线;上述第三晶体管的第一电极电连接至第五布线,上述第三晶体管的第二电极电连接至上述第二晶体管的栅电极;并且上述第三晶体管的栅电极电连接至上述第五布线;上述第四晶体管的第一电极电连接至上述第六布线,上述第四晶体管的第二电极电连接至上述第二晶体管的栅电极 ...
【技术特征摘要】
JP 2006-9-29 2006-2699051、一种显示装置,包括像素;和驱动器电路,其中上述驱动器电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管和第八晶体管;上述第一晶体管的第一电极电连接至第四布线,并且上述第一晶体管的第二电极电连接至第三布线;上述第二晶体管的第一电极电连接至第六布线,并且上述第二晶体管的第二电极电连接至第三布线;上述第三晶体管的第一电极电连接至第五布线,上述第三晶体管的第二电极电连接至上述第二晶体管的栅电极;并且上述第三晶体管的栅电极电连接至上述第五布线;上述第四晶体管的第一电极电连接至上述第六布线,上述第四晶体管的第二电极电连接至上述第二晶体管的栅电极,并且上述第四晶体管的栅电极电连接至上述第一晶体管的栅电极;上述第五晶体管的第一电极电连接至上述第五布线,上述第五晶体管的第二电极电连接至上述第一晶体管的栅电极,并且上述第五晶体管的栅电极电连接至第一布线;上述第六晶体管的第一电极电连接至上述第六布线,上述第六晶体管的第二电极电连接至上述第一晶体管的栅电极,并且上述第六晶体管的栅电极电连接至上述第二晶体管的栅电极;上述第七晶体管的第一电极电连接至上述第六布线,上述第七晶体管的第二电极电连接至上述第一晶体管的栅电极,并且上述第七晶体管的栅电极电连接至第二布线;并且上述第八晶体管的第一电极电连接至上述第六布线,上述第八晶体管的第二电极电连接至上述第二晶体管的栅电极,并且上述第八晶体管的栅电极电连接至上述第一布线。2、 根据权利要求1的显示装置,其中上述第一晶体管的沟道宽 度W与沟道长度L的比值W/L在上述第一至第八晶体管的W/L值 中最高。3、 根据权利要求1的显示装置,其中上述第一晶体管的沟道宽 度W与沟道长度L的比值W/L比上述第五晶体管的W/L值高二至 五倍。4、 根据权利要求1的显示装置,其中上述第三晶体管的沟道长 度L大于上述第四晶体管的沟道长度L。5、 根据权利要求1的显示装置,其中在上述第一晶体管的第二 电极与栅电极之间设置电容器。6、 根据权利要求1的显示装置,其中上述第一至第八晶体管是 n沟道晶体管。7、 根据权利要求1的显示装置,其中上述第一至第八晶体管中 的每一个都包含非晶硅层。8、 根据权利要求1的显示装置,其中上述显示装置是液晶显示 装置和EL显示装置其中之一。9、 根据权利要求1的显示装置,其中上述显示装置被结合在从 下列装置组成的组中所选择的一个中相机、计算机、图像再现装置、 护目型显示器以及游戏机。10、 一种显示装置,包括 像素;笫一驱动器电路;和 第二驱动器电路,其中上述第一驱动器电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶 体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管和第八晶 体管;上述第一晶体管的第一电极电连接至第四布线,并且上述第一晶体管的第二电极电连接至第三布线;上述第二晶体管的第一电极电连接至第六布线,并且上述第二晶体管的第二电极电连接至第三布线;上述第三晶体管的第一电极电连接至第五布线,上述第三晶体管 的第二电极电连接至上述第二晶体管的栅电极;并且上述第三晶体管 的栅电极电连接至上述第五布线;上述第四晶体管的第一电极电连接至上述第六布线,上述第四晶 体管的第二电极电连接至上述第二晶体管的栅电极,并且上述第四晶体管的栅电极电连接至上述第一晶体管的栅电极;上述第五晶体管的第一电极电连接至上述第五布线,上述第五晶 体管的第二电极电连接至上述第一晶体管的栅电极,并且上述第五晶 体管的栅电极电连接至第一布线;上述第六晶体管的第一电极电连接至上述第六布线,上述第六晶 体管的第二电极电连接至上述第一晶体管的栅电极,并且上述第六晶体管的栅电极电连接至上述第二晶体管的栅电极;上述第七晶体管的第一电极电连接至上述第六布线,上述第七...
【专利技术属性】
技术研发人员:梅崎敦司,三宅博之,
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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