芯片封装体、芯片结构及其制造方法技术

一种芯片结构，其包括一集成电路元件、多个凸块以及至少一间隙物。集成电路元件具有多个接点。凸块位于这些接点上。间隙物位于集成电路的表面上，并且位于两相邻凸块之间，其中间隙物的最大厚度小于或等于凸块的厚度。经由间隙物的配置，本发明专利技术可以使这两个相邻的凸块维持在良好的电性绝缘状态。此外，本发明专利技术更提出此芯片结构的工艺以及具有此芯片结构的芯片封装体。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体元件及其制造方法，且特别是涉及一种芯片封装 体、芯片结构及芯片结构的制造方法。
技术介绍
随着封装技术不断地演进，芯片-薄膜(Chip On Film， COF辨合技术已 成为目前主要的封装技术之一。 一般而言，芯片-薄膜接合技术的应用范围 相当的广泛，如液晶面板(liquid crystal panel)与驱动芯片(drive IC)之间的电连 接就是芯片-薄膜接合技术的 一种应用。以液晶面板与驱动芯片的接合工艺为例，此技术是先提供一可挠性基 板，其中可挠性基板的一表面具有一线路层，并且线路层具有多条内引脚。 之后提供一驱动芯片，其中驱动芯片的一有源表面上具有多个金凸块。接着 将驱动芯片配置于可挠性基板上，以使得金凸块与相对应的内引脚接合。然 后，将一底胶(Underfill)填入驱动芯片与可挠性基板之间。接着，进行一 沖切步骤，以将配置有芯片的可挠性基板分割为多个独立的芯片封装体。之 后，将芯片封装体与液晶面板接合，以形成一液晶显示模块，其中驱动芯片 是经由可挠性基板来与液晶面板电连接。由于藉由芯片-薄膜接合技术进行封装后的封装体具有体积小、重量轻 的优点，液晶显示模块的厚度能够薄化。另外，由于芯片封装体本身具有可 折弯(flexible)的特性，因此这样的技术还可以使得芯片封装体在与液晶面板 接合后，能够轻易地折弯至液晶面板的背面。但是，值得注意的是在进行底胶的填充前，由于驱动芯片的有源表面容 易受到化学物质或是杂质颗粒的污染。因此，在现有技术将一底胶填入驱动 芯片与可挠性基板之间后，底胶通常无法紧密地与驱动芯片的有源表面贴 合。也就是说，底胶与驱动芯片之间往往会具有多个间隙。如此一来，当液 晶显示模块运作时，在电场、污染物以及水气的作用下，部分的金就容易从 金凸块向外生长，并且沿着驱动芯片与可挠性基板之间的间隙延伸。当向外生长的金与其它的凸块电接触时，就容易造成金凸块之间的短路，进而造成 液晶显示模块的显示异常。
技术实现思路
本专利技术的目的就是在提供一种芯片结构及其工艺，其中芯片结构的凸块 之间具有良好的绝缘性。本专利技术的再一目的是提供一种芯片封装体，其中此芯片封装体在运作上 具有4交高的可靠性。本专利技术提出一种芯片结构的制造方法，其至少包括下述步骤。提供一晶 片。此晶片具有多个集成电路元件，并且每一个集成电路元件具有多个接点。 接着于接点上形成凸块。然后于集成电路元件的表面上并且于两相邻的凸块 之间形成至少一间隙物，其中间隙物的材料为介电材料，并且间隙物的最大 厚度小于或等于这些凸块的厚度。之后对晶片进行切割，以形成多个芯片结 构。依照本专利技术的优选实施例所述的芯片结构的制造方法，在形成凸块之 前，还包括于晶片上形成至少一金属层。以及在形成凸块之后并且在形成间 隙物之前，对金属层进行图案化以形成多个球底金属层，其中每一个球底金 属层是位于与的相对应的凸块与接点之间。此外，形成凸块的方法例如是电镀。依照本专利技术的优选实施例所述的芯片结构的制造方法，其中形成这些间 隙物的方法包括先在晶片上以及凸块上形成一层介电层。之后缩减介电层的 厚度，并且使介电层的最大厚度小于或等于这些凸块的厚度，以暴露出这些 凸块。本专利技术提出另一种芯片结构的制造方法，其包括下列步骤。首先提供一 晶片。此晶片具有多个集成电路元件，并且每一个集成电路元件具有多个接 点。之后于集成电路元件的表面上并且于两相邻接点之间形成至少 一 间隙 物，其中间隙物的材料为介电材料。然后于集成电路元件的表面上形成多个 凸块，其中间隙物位于两相邻的凸块之间，并且间隙物的最大厚度小于或等 于凸块的厚度。之后对晶片进行切割，以形成多个芯片结构。依照本专利技术的优选实施例所述的芯片结构的制造方法，在形成间隙物之 后并且在形成凸块之前，还包括于晶片上形成至少一金属层。之后在形成凸 块之后，对金属层进行图案化以形成多个球底金属层，其中每一个球底金属 层是位于与之相对应的凸块与接点之间。此外，形成凸块的方法例如是电镀。 依照本专利技术的优选实施例所述的芯片结构的制造方法，其中形成间隙物 的方法包括下述步骤。先于晶片上形成一层介电层。之后图案化介电层，以 形成间隙物。本专利技术提出一种芯片结构，其包括一集成电路元件、多个凸块以及至少 一间隙物。集成电路元件具有多个接点。凸块是位于接点上。间隙物是位于 集成电路元件的表面上并且位于两相邻的凸块之间，其中间隙物的最大厚度 小于或等于凸块的厚度。依照本专利技术的优选实施例所述的芯片结构，其中间隙物的材料为介电材料。依照本专利技术的优选实施例所述的芯片结构，还包括多个球底金属层，并 且每一个球底金属层是位于与其相对应的凸块与接点之间。本专利技术提出一种芯片封装体，其包括一承载结构、 一芯片结构以及一底 胶。承载结构包括一基板以及一线路层，其中线路层位于基板的一表面上。 芯片结构配置于承载结构上并且与承载结构电连接。芯片结构包括一集成电 路元件、多个凸块以及至少一间隙物。集成电路元件具有多个接点。凸块位 于接点与线路层之间，并且将接点电连接至线路层。间隙物位于集成电路元件的表面上并且位于两相邻的凸块之间，其中间隙物的最大厚度小于或等于 凸块的厚度。底胶填充于芯片结构与承载结构之间，并且将凸块以及间隙物 包覆于其内。依照本专利技术的优选实施例所述的芯片封装体，其中间隙物的材料为介电材料。依照本专利技术的优选实施例所述的芯片封装体，其中基板是可挠性基板。 并且基板可以是单一一层介电层或是由多层介电层以及多层线路层交错堆 栈而成。依照本专利技术的优选实施例所述的芯片封装体，其中基板是玻璃基板。 依照本专利技术的优选实施例所述的芯片封装体，还包括多个球底金属层， 并且每一个球底金属层是位于与其相对应的凸块与接点之间。明所提出的芯片封装体在搡作上能够具有优选的可靠性。为让本专利技术的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举优 选实施例，并配合附图，作详细说明如下。附图说明图1A 图1F是本专利技术一实施例的芯片结构的制造方法的流程示意图。图2A是本专利技术 一 实施例的另 一种间隙物的外型的示意图。图2B是本专利技术 一实施例的再一种间隙物的外型的示意图。图3A 图3D是本专利技术另一实施例的芯片结构的制造方法的流程示意图。图4是本专利技术一实施例的芯片封装体的示意图。 简单符号说明50:芯片封装体100a:芯片封装体100b:芯片封装体100c:芯片封装体100d:芯片封装体110:集成电路元件112:接点120:凸块125:金属层125a:J求底金属层130:介电层132:开口135:间隙物135a:间隙物135b:间隙物135c:间隙物200:承载结构210:基板220:线路层300:底胶 W:晶片 O:开口具体实施方式本专利技术提出一种芯片结构，其主要包括一集成电路元件、多个凸块以及 至少一间隙物。集成电路元件具有多个接点。凸块位于接点上。间隙物位于 集成电路的表面上，并且位于两相邻凸块之间，其中间隙物的最大厚度小于 或等于凸块的厚度。关于芯片结构的制作方法将于下述的实施例中进行详细 的描述。图1A 图1F是本专利技术一实施例的芯片结构的制造方法的流程示意图。 请参照图1A，首先提供一晶片W。晶片W具有多个集成电路元件110，每 一个集成电路元件110具有多个接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片结构的制造方法，其步骤包括：提供晶片，其具有多个集成电路元件，每一该些集成电路元件具有多个接点；于该些接点上形成多个凸块；于该些集成电路元件的表面上并且于两相邻的该些凸块之间形成至少一间隙物，其中该间隙物的材 料为介电材料，并且该间隙物的最大厚度小于或等于该些凸块的厚度；以及切割该晶片，以形成多个芯片结构。

【技术特征摘要】
1、一种芯片结构的制造方法，其步骤包括提供晶片，其具有多个集成电路元件，每一该些集成电路元件具有多个接点；于该些接点上形成多个凸块；于该些集成电路元件的表面上并且于两相邻的该些凸块之间形成至少一间隙物，其中该间隙物的材料为介电材料，并且该间隙物的最大厚度小于或等于该些凸块的厚度；以及切割该晶片，以形成多个芯片结构。2、 如权利要求1所述的芯片结构的制造方法，还包括 在形成该些凸块之前，于该晶片上形成金属层；以及在形成该些凸块之后并且在形成该些间隙物之前，对该金属层进行图案 化以形成多个球底金属层，其中每一该些球底金属层是位于与的相对应的该 凸块与该接点之间。3、 如权利要求2所述的芯片结构的制造方法，其中形成该些凸块的方 法是电镀。4、 如权利要求1所述的芯片结构的制造方法，其中形成该些间隙物的 方法包括于该晶片上以及该些凸块上形成一层介电层；缩减该介电层的厚度，并且使该介电层的最大厚度小于或等于该些凸块 的厚度，以暴露出该些凸块。5、 一种芯片结构的制造方法，其步骤包括提供晶片，其具有多个集成电路元件，每一该些集成电路元件具有多个 接点；于该些集成电路元件的表面上并且于两相邻接点之间形成至少一间隙 物，其中该些间隙物的材料为介电材料；于该些集成电路元件的表面上形成多个凸块，其中该间隙物位于两相邻 的该些凸块之间，并且该间隙物的最大厚度小于或等于该些凸块的厚度；以 及切割该晶片，以形成多个芯片结构。6、 如权利要求5所述的芯片结构的制造方法，还包括在形成该些间隙物之后并且在形成该些凸块之前，于该晶片上形成至少一金属层；以及在形成该些凸块之后，对该金属层进行图案化以形成多个球底金属层， 其中每一该些球底金属层是位于与的相对应的该凸块与该接点之间。7、 如权利要求6所述的芯片结构的制造方法，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：林瑞昌，张大鹏，
申请(专利权)人：联詠科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]