半导体光电探测器芯片结构制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体光电探测器芯片结构，包括衬底、层叠于衬底上的吸收层及层叠于衬底下的Ｎ型电极，部分的吸收层上形成有Ｐ型重掺杂层，Ｐ型重掺杂层上设置有Ｐ型电极，且Ｐ型重掺杂层上还形成有一入射光窗口，其中，Ｐ型重掺杂层的四周填充有绝缘材料层，且Ｐ型电极延伸至绝缘材料层的表面，并覆盖在绝缘材料层的表面上。本发明专利技术能有效降低器件的电容、具有良好的稳定性且工艺简单。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电子器件领域，尤其涉及一种半导体光电探测器芯片结构。
技术介绍
现今国内外光纤通信正朝着髙速率、网络化和集成化的方向发展。针对将来的髙度信息化社会的需求，继传输容量为2.5Gb/s系统的实用后， 10Gb/s系统也巳经投入商用。目前40Gb/s系统也开始提上议程。与此相应， 作为光通信系统所必要的超髙速、高灵敏度的光光电探测器件也有了显著 的进展。光纤通信中最常用的半导体光电探测器主耍是光电二极管(PIN)和雪 崩光电二极管(APD)，两种结构各有其自身的特点和优势。其屮PIN结构 简单，工艺实现上容易，而且稳定性髙，而APD结构则由于其内部会发生 碰撞电离形成内增益，它比传统的光电二极管(PIN)的灵敏度要优8 — 9dBm，因此APD也被广泛的应用在高速的光纤通信系统中。从传统光通信的2.5Gbil/s的传输速率，到目前40Gbit/s传输速率提上 课题，髙速光通信系统对光电探测器的要求越来越髙。围绕着对器件高带 宽、低噪声等性能要求，研究人员从各方面对髙性能光电探测器芯片的设 计展开了广泛的研究。与传统的PN结光电二极管相比，PIN二极管引入了 掺杂少的本征层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体光电探测器芯片结构，包括衬底、层叠于衬底上的吸收层及层叠于衬底下的Ｎ型电极，部分的吸收层上形成有Ｐ型重掺杂层，Ｐ型重掺杂层上设置有Ｐ型电极，且Ｐ型重掺杂层上还形成有一入射光窗口，其特征在于：Ｐ型重掺杂层的四周填充有绝缘材料层，且Ｐ型电极延伸至绝缘材料层的表面，并覆盖在绝缘材料层的表面上。

【技术特征摘要】
1、一种半导体光电探测器芯片结构，包括衬底、层叠于衬底上的吸收层及层叠于衬底下的N型电极，部分的吸收层上形成有P型重掺杂层，P型重掺杂层上设置有P型电极，且P型重掺杂层上还形成有一入射光窗口，其特征在于P型重掺杂层的四周填充有绝缘材料层，且P型电极延伸至绝缘材料层的表面，并覆盖在绝缘材料层的表面上。2、 如权利要求1所述的半导体光电探测器芯片结构，其特征在于P 型重掺杂层与部分的吸收层之间还形成有一倍增层。3、 如权利要求1所述的半导体光电探测器芯片结构，其特征在于 绝缘材料层与吸收层之间还形成有一本征层。4、 如权利要求1所述的半导体光电探测器芯片结构，其特征在于:. 衬底与吸收层之间形成有布拉格反射层。5、 如权利要求4所述的半导体光电探测器芯片结构，其特征在于布拉格反射层的光学厚度为;i/4,人为入射光的波长。6、 如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：王钢，陈诗育，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：发明
国别省市：81[中国|广州]