卫星用半导体探测器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种卫星用半导体探测器，包括电机、管壳、绝缘垫、硅片；在电极上直接联有电极引线，且所述的硅片的初始表面粗糙度为Ｍ２０－３０；本实用新型专利技术的锂附着率高、可减少半导体材料缺陷，在保护槽内作表面处理并在槽内填以绝缘物质；具有极好的长期稳定性、抗振动、抗干扰能力。（*该技术在2009年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体应用技术，尤其是一种卫星用半导体探测器。现有的卫星用半导体探测器因其初始表面的粗糙度较低，表面较光洁，因而在作锂补偿时，锂的附着率较低，电阻率较低的半导体材料的缺陷受主完全补偿。另其电极上无电极引线，采用压接触法，其抗振动能力差。另现有的探测器的保护槽表面未作处理，且槽内未填以绝缘物质；因而其稳定性差和噪声大。本技术的目的在于提供一种采用锂补偿时的锂附着率高、在较低温度下扩散可减少半导体材料缺陷，具有极好的长期稳定性、抗振动、抗干扰能力的卫星用半导体探测器。本技术的目的可通过如下措施来实现一种卫星用半导体探测器，包括电极、管壳、绝缘垫、硅片；在电极上直接联有电极引线，且所述的硅片的初始表面粗糙度为M20-30。另在保护槽内作腐蚀处理，并在保护槽内填以绝缘物质。本技术相比现有技术具有如下优点1、本技术的硅片的初始表面较粗糙，因而有利于提高锂的附着率，可使在采用锂补偿时达到足够的浓度，扩散之后将多余的锂去掉，去除表面氧化物，可减少可能造成的缺陷，从而可提高探测器的电特性。2、本技术在电极上采用特定工艺，直接联接电极引线可提高探测器的抗振动能力。3、本技术在封装前本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种卫星用半导体探测器，包括电极（１）、管壳（３）、绝缘垫（４）、硅片（５）；其特征在于在电极（１）上直接联有电极引线（２），且所述的硅片（５）的初始表面粗糙度为Ｍ２０－３０。

【技术特征摘要】
1.一种卫星用半导体探测器，包括电极(1)、管壳(3)、绝缘垫(4)、硅片(5)；其特征在于在电极(1)上直接联有电极引线(2)，且所述的硅片(5)...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭继廉，李存璠，卢子伟，张金霞，王柱生，
申请(专利权)人：中国科学院近代物理研究所，
类型：实用新型
国别省市：62[中国|甘肃]