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本实用新型涉及一种卫星用半导体探测器，包括电机、管壳、绝缘垫、硅片；在电极上直接联有电极引线，且所述的硅片的初始表面粗糙度为Ｍ２０－３０；本实用新型的锂附着率高、可减少半导体材料缺陷，在保护槽内作表面处理并在槽内填以绝缘物质；具有极好的长期...
该专利属于中国科学院近代物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院近代物理研究所授权不得商用。

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