高光电转换率,多层超薄膜P-N节太阳能电池工艺制造技术

本项发明专利技术属于新的太阳能电池结构和工艺。本项发明专利技术使用溅射（ＰＶＤ）方法在不锈钢薄片上形成多层超薄膜Ｐ－Ｎ节。太阳能电池光电转换效率可以高达５０％。

【技术实现步骤摘要】

本项专利技术属新的太阳能电池结构和工艺。(二)
技术介绍
本项专利技术用溅射(PVD sputtering)方法在抛光的不锈钢薄片上形成P-型半导体薄 膜，然后再在其上又用溅射方法形成N-型半导体薄膜，从而形成超薄膜P-N节太阳能电 池的基本结构。(三)
技术实现思路

技术实现思路
分工艺和结构两部分A) 高光电转换率，多层超薄膜P-N节太阳能电池工艺说明书第l步分别用P-型半导体(SiB， GeB)， N-型半导体(SiP， GeP)和导电玻璃(ITO)做溅 射(PVD)靶材3个。第2步用溅射(PVD)方法在抛光的不锈钢薄片上形成P-型半导体薄膜，然后再在其 上又用溅射方法形成N-型半导体薄膜，从而形成超薄膜P-N节。其厚度在几个原子层左右。 第3步在超薄膜P-N节上用溅射方法形成一层导电玻璃薄膜，然后再用第2步中所描 述的方法形成第2层超薄膜P-N节。第4步重复用第2， 3步中所描述的方法形成多层超薄膜P-N节。超薄膜P-N节层数取 决于光的穿透能力和半导体薄膜，导电玻璃薄膜的总厚度。光电转换效率可以高达50%。B) 高光电转换率，多层超薄膜P-N节太阳能电池结构说明书附图1是工艺说明中第2步后所形成的单层超薄膜P-N节。附图2是工艺说明中第3步后所形成的双层超薄膜P-N节，多层超薄膜P-N节与此类似。(四) 附图说明参见高光电转换率，多层超薄膜PN节太阳能电池结构(五) 具体实施方试a) 购买溅射(PVD Sputtering)设备。b) 购买溅射(PVD)靶材，SiB, GeB， SiP, GeP, ITO,c) 参照高光电转换率,多层超薄膜P-N节太阳能电池工艺说明书制造多层超薄膜P-N节。本文档来自技高网...

【技术保护点】
Ｐ－型半导体和Ｎ－型半导体做溅射靶材。

【技术特征摘要】
1. P-型半导体和N-型半导体做溅射靶材。2. 用溅射方法在不锈钢膜片上形成P-型半导体薄膜，然后再在 其上又用溅射方法形成N-型半导体薄膜，从而形成超薄膜P-N节。3. 在超薄膜P...

【专利技术属性】
技术研发人员：王在昕，康优梅，
申请(专利权)人：康优梅，王在昕，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]