防止芯片背面金属剥落的方法技术

一种防止芯片背面金属剥落的方法，其特征在于，包括：　　　　采用一预定磨数的磨片进行芯片背面减薄工艺；　　　　使用化学腐蚀液去除芯片背面的硅损伤层；　　　　对芯片进行水洗，去除残留的玷污。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造工艺中芯片背面金属化的方法，更具体地说， 涉及一种在半导体制造工艺中。
技术介绍
针对芯片背面金属化的方法有很多，磁控溅射和电子束蒸发是现今最 常用的背面金属化的途径，其工艺都得到了广泛应用。用磁控溅射方法淀积自动化程度高，但是吞吐量相对较低，是0.6iJm以下的理想工艺方法。 与之相比，采用电子束蒸发的方式具有以下优势1) 淀积膜纯度高，钠离子污染少；2) 由于蒸发源的仅在表面中心附近气化，没有坩埚的污染；3) 集成工序简单，成本低。和溅射靶材相比，使用电子束蒸发的方式 可以大大降低成本；4) 由于电子束能量可以调节，蒸发速率可控制，同时采用热隔离衬套 可以大大增加蒸发速率，提高硅片产出率.特别适合厚度大于1pm以上的 硅片背面金属淀积工艺。现有的电子束蒸发设备(比如CHA Mark50)多采用手动装卸片，同 时蒸发工艺的工艺腔体很大，并且每轮工艺完成后，需打开工艺腔体，较 易受到各种玷污及净化室内的水汽吸附，对蒸发膜的质量产生影响。另外， 由于设备故障或保养等引入的有机玷污更是对金属膜的质量(特别是金属 膜的粘附性)产生致命的影响。除了玷污以外，应力对于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1. 一种防止芯片背面金属剥落的方法，其特征在于，包括采用一预定磨数的磨片进行芯片背面减薄工艺；使用化学腐蚀液去除芯片背面的硅损伤层；对芯片进行水洗，去除残留的玷污。2. 如权利要求1所述的防止芯片背面金属剥落的方法，其特征在于， 所述使用化学腐蚀液去除芯片背面的硅损伤层包括使用多种腐蚀液与多种腐蚀时间的4荅配的腐蚀方法。3. 如权利要求2所述的防止芯片背面金属剥落的方法，其特征在于， 所述多种化学腐蚀液包括应力消除腐蚀液KK-8，所含的物质及其组分是HN03:CH3COOH:HF 为95:4:1;去污腐蚀液，所含的物质及其组分是NH4F:H202:H20为2:1:5; 緩沖氧化层腐蚀液KK-2，所含的物质及其组分是HF:NH4F为1:10。4. 如权利要求3所述的防止芯片背面金属剥落的方法，其特征在于， 所述多种腐蚀时间包括1秒、2秒以及5秒。5. 如权利要求3所述的防止芯片背面金属剥落的方法，其特征在于， 所述使用多种腐蚀液与多种腐蚀时间的搭配包括1秒的应力消除腐蚀液KK-8腐蚀；2...

【专利技术属性】
技术研发人员：金剑华，
申请(专利权)人：上海先进半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：