消除晶片及芯片上金属凸块的高度差异的方法技术

利用加压的方式或者结合研磨的方法，可一次消除整片晶圆及晶粒上所有金属凸块间的高度差异，使所有金属凸块都具有实质上相同的高度。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及消除晶圆(wafer)及晶粒(die)上金属凸块(metal bump)之间的高度差异(height difference)的方法。
技术介绍
以现今凸块的制程技术，一片晶圆或晶粒上所有金属凸块的平坦化以及高度的均匀性总是难以控制。其主要的原因在于电镀时的电流密度与电镀液的浓度均不易控制。也因为如此，无论是单一晶圆内(within wafer)，或是两晶圆之间(wafer-wafer)或晶粒间的金属凸块高度始终无法有效控制。请参考图1，晶圆或晶粒10上具有复数个金属凸块100。由于前述金属凸块制程的不均匀性，复数个金属凸块100中会具有高度最低的金属凸块101与高度最高的金属凸块102，两者的高度差异为ΔX。如图1所示ΔX的高度差异会导致效率的降低。综上所述，针对晶圆及晶粒上的金属凸块的高度差异的消除，需要能解决金属凸块的高度均匀性不佳问题的平坦化方法，以提高金属凸块高度的均匀性与产品的效率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供数种方法，以实质上消除晶圆及晶粒上复数个金属凸块之间的高度差异。在本专利技术的第一实施例中，实质上消除晶圆及晶粒上复数个金属凸块之间的高度差本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种实质上消除晶圆及晶粒上复数个金属凸块之间的高度差异的方法，加压装置具有平面压板，该方法包含下列步骤：对齐该平面压板与该晶圆及晶粒，使得该平面压板对齐该晶圆及晶粒上需要消除复数个该金属凸块之间的该高度差异的区域；经由该平面 压板加压于该金属凸块至预定高度，该预定高度系指该平面压板与该晶圆及晶粒的距离；以及分离该平面压板与该晶圆及晶粒。

【技术特征摘要】
1.一种实质上消除晶圆及晶粒上复数个金属凸块之间的高度差异的方法，加压装置具有平面压板，该方法包含下列步骤对齐该平面压板与该晶圆及晶粒，使得该平面压板对齐该晶圆及晶粒上需要消除复数个该金属凸块之间的该高度差异的区域；经由该平面压板加压于该金属凸块至预定高度，该预定高度系指该平面压板与该晶圆及晶粒的距离；以及分离该平面压板与该晶圆及晶粒。2.如权利要求1所述的方法，其中该平面压板加压于该金属凸块上的压力为1-5kg/μm2。3.如权利要求1所述的方法，其中该平面压板加压于该金属凸块上的时间间隔为5-30秒。4.如权利要求1所述的方法，进一步包含下列步骤加热该晶圆至摄氏100-250度，在该平面压板加压于该金属凸块时。5.一种实质上消除晶圆及晶粒上复数个金属凸块之间的高度差异的方法，相邻的任意两金属凸块之间具有间隙，加压装置具有平面压板，该方法包含下列步骤涂布保护层材料于该复数个金属凸块上以及各该间隙中，以形成保护层；对齐该平面压板与该晶圆及晶粒，使得该平面压板对齐该晶圆及晶粒上需要消除该复数个金属凸块之间的该高度差异的区域；经由该平面压板加压于该金属凸块及该保护层至预定高度，该预定高度系指该平面压板与该晶圆及晶粒的距离；分离该平面压板与该晶圆及晶粒；以及移除各该间隙间的该保护层材料。6.如权利要求5所述的方法，其中该平面压板加压于该金属凸块上的压力为1-5kg/μm2。7.如权利要求5所述的方法，其中该平面压板加压于该金属凸块上的时间间隔为5-30秒。8.如权利要求5所述的方法，进一步包含下列步骤加热该晶圆至摄氏100-250度，在该平面压板加压于该金属凸块时。9.如权利要求5所述的方法，其中该保护层材料为有机高分子材料。10.如权利要求5...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴非艰，
申请(专利权)人：颀邦科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]