浸润式光刻系统用的洁净膜清洗片、成分、用法及其应用技术方案

一种原位清洗半导体机台的物镜的方法。在进行清洗工艺时，仅需将具有洁净膜的清洗片放置在扫瞄支座上，通过溶剂溶解洁净膜中的洁净成分，使洁净成分与物镜上的污染物反应，再由浸润式光刻系统中的液体（水）冲洗物镜，即可将物镜清洗干净。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种半导体机台的清洗方法与装置，且特别是有关于浸 润式光刻系统的曝光机台、曝光机台的物镜用的清洗片、使用该清洗片原位 清洗的方法、该清洗片的清洗涂层用组合物。
技术介绍
在半导体产业中想缩小晶圓上的电路，最常见的方法包括缩短光波波 长，使机器能在晶圆上投射出较小的电路。但是，光刻技术设备的制造商在制作最新一代可投射157纳米波长机台的过程中，遇到许多的困难。这是因 为要从一代光刻技术升级到新一代，必须采用全新的激光、光罩、可缩小影 像与曝光位置的透镜，还有光阻剂等。但是在157纳米之下，仪器制造商无 法以氟化4丐琢磨出合适的透镜，不是缺陷太多，就是像差太大，因而无法在 晶圓上清楚成像。2002年浸润式光刻技术，'(immersion mhography)的发表 使得半导体技术人员可以在现有的技术上做延伸，而不必再发展新的157纳 米的技术。浸润式光刻技术，是在193纳米波长曝光机基础上，于光源与 晶圓之间加入水以使波长缩短到132纳米的光刻技术，比起目前一般干式光 刻设备，此技术可支持65纳米、45纳米，甚至到32纳米工艺。以浸润式曝光机台来进行光刻工艺时，物镜与本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体机台的物镜的清洗方法，包括：提供清洗片，该清洗片包括晶圆与洁净膜，该洁净膜包括洁净成分；提供第一溶剂，溶解部分该洁净膜的该洁净成分，并使该洁净成分与该物镜上的污染物反应；以及以第二溶剂冲洗该物镜。

【技术特征摘要】
1. 一种半导体机台的物镜的清洗方法，包括提供清洗片，该清洗片包括晶圆与洁净膜，该洁净膜包括洁净成分；提供第一溶剂，溶解部分该洁净膜的该洁净成分，并使该洁净成分与该物镜上的污染物反应；以及以第二溶剂冲洗该物镜。2. 根据权利要求1的半导体机台的物镜的清洗方法，还包括 相对移动该物镜与该清洗片；以该第一溶剂，溶解另一部分的该洁净膜的该洁净成分，以使该洁净成 分与该物镜上的污染物反应；以该第二溶剂沖洗该物镜；以及重复上述步骤，直至该物镜完全洗净。3. 根据权利要求1的半导体机台的物镜的清洗方法，其中该清洗片是 采用形成光阻层的工艺来形成的。4. 根据权利要求3的半导体机台的物镜的清洗方法，其中该形成光阻 层的工艺包括提供组合物，该组合物包含该洁净成分； 将该组合物涂布在该晶圓上，以形成涂层；以及 煤烤该涂层，以形成该洁净膜。5. 根据权利要求3的半导体机台的物镜的清洗方法，其中该组合物包括5-20%重量的至少 一表面活性剂作为该洁净成分；5-25%重量的成形剂；选择性包括1-5%重量的添加剂；以及至少一第三溶剂，该第三溶剂、该表面活性剂、该成形剂以及选择性包 括的该添加剂的总和为100%重量。6. 根据权利要求5的半导体机台的物镜的清洗方法，其中该表面活性 剂包括两性表面活性剂。7. 根据权利要求5的半导体机台的物镜的清洗方法，其中该溶剂选自 异丙醇与丙二醇曱醚乙酸酉旨(propylene glycol monomethylethyl acetate,PGMEA)及其组合。8. 根据权利要求5的半导体机台的物镜的清洗方法，其中该添加剂包 括除藻剂或抑菌剂。9. 根据权利要求5的半导体机台的物镜的清洗方法，其中该成形剂选 自酚趁清漆树脂(novolac resin)、聚羟基笨乙烯树脂(polyhydroxy styrene resin)、丙烯酸酉旨(aerylate)、曱基丙烯酸酯(methacrylate)、环烯烃(cyclic olefin)、 交替型共聚物(alternating copolymer)、混合型聚合物(hybrid polymer)以及环 状聚合物(cyclo polymer)及其组合。10. 根据权利要求1的半导体机台的物镜的清洗方法，其中该第一溶剂 与该第二溶剂包括水或经过超声波振荡的水。11. 一种原位清洗浸润式光刻系统的曝光装置的物镜的方法，包括 在该曝光装置的扫瞄支座上提供清洗片，该清洗片包括晶圓与洁净膜，该洁净膜包括洁净成分；在该曝光装置的该扫瞄支座上方的浸润腔室中持续通入第 一溶剂，以溶 解部分该洁净膜的该洁净成分，使该洁净成分与该物镜上的污染物反应；以 及于该浸润室中通入第二溶剂，以冲洗该物镜。12. 根据权利要求11的原位清洗光刻系统的曝光装置的物镜的方法， 还包括相对移动该曝光装置与该清洗片；在该曝光装置的该浸润腔室中再提供该第一溶剂，溶解另一部分的该洁 净膜的该洁净成分，使该洁净成分与该物镜上的污染物反应； 以该第二溶剂冲洗该物镜；以及重复上述步骤，直至该物镜完全洗净。13. 根据权利要求11的原位清洗光刻系统的曝光装置的物镜的方法， 其中该清洗片是采用形成光阻层的工艺来形成的。14. 根据权利要求13的原位清洗光刻系统的曝光装置的物镜的方法， 其中该形成光阻层的工艺包括提供组合物，该组合物包含该洁净成分； 将该组合物涂布在该晶圆上，以形成涂层；以及 烘烤该涂层，以形成该洁净膜。15. 根据权利要求14的原位清洗光刻系统的曝光装置的物镜的方法， 其中该组合物包括5-20%重量的至少一表面活性剂作为该洁净成分；5-25%重量的成形剂；选择性包括1 -5%重量的添加剂；以及至少一第三溶剂，该第三溶剂、该表面活性剂、该成形剂以及选择性包 括的该添加剂的总和为100%重量。16. 根据权利要求15的原位清洗光刻系统的曝光装置的物镜的方法， 其中该表面活性剂包括两性表面活性剂。17. 根据权利要求15的半导体机台的物镜的清洗方法，其中该第三溶 剂选自异丙醇与丙二醇甲醚乙酸酉旨(propylene glycol monomethylethyl acetate, PGMEA)及其组合。18. 根据权利要求15的半导体机台的物镜的清洗方法，其中该添加剂 包括除藻剂或抑菌剂。19. 根据权利要求15的半导体机台的物镜的清洗方法，其中该成形剂 选自酚醛清漆树脂(novolac resin)、...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄义雄，林陵杰，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]