【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体热电材料及其制备方法,具体说,是关于一种原位复合 Mg-Si-Sn基热电材料及其制备方法。技术背景热电材料是一种通过载流子(电子或空穴)的运动实现电能和热能直接相 互转换的半导体材料。当热电材料两端存在温差时,热电材料能将热能转化为 电能输出;或反之在热电材料中通以电流时,热电材料能将电能转化为热能, 一端放热而另一端吸热。热电材料在制冷或发电等方面有广泛的应用背景。用 热电材料制造的发电装置可作为深层空间航天器、野外作业、海洋灯塔、游牧 人群使用的电源,或用于工业余热、废热发电。用热电材料制造的制冷装置体 积小、不需要化学介质,可应用于小型冷藏箱、计算机芯片和激光探测器等的 局部冷却、医用便携式超低温冰箱等方面,更广泛的潜在应用领域将包括家 用冰箱、冷却,车用或家用空调装置等。用热电材料制造的装置具有无机械运 动部件、无噪声、无磨损、结构简单、体积形状可按需要设计等突出优点。热 电材料的性能用热电优值Z表征Z = ( V//C)。这里是材料的热电势系数, O是电导率,K是热导率。 一种好的热电材料应具有接近晶体的电导率和类似玻 璃的热导 ...
【技术保护点】
一种原位复合Mg-Si-Sn基热电材料,其特征在于该材料的化学组成为Mg↓[2-y]La↓[y]Si↓[0.5+x]Sn↓[0.5-x],x=0~0.08,y=0~0.1,结构为材料中的富Si晶粒被原位生成的富Sn薄层包覆。
【技术特征摘要】
1.一种原位复合Mg-Si-Sn基热电材料,其特征在于该材料的化学组成为Mg2-yLaySi0.5+xSn0.5-x,x=0~0.08,y=0~0.1,结构为材料中的富Si晶粒被原位生成的富Sn薄层包覆。2. 根据权利要求1所述的原位复合Mg-Si-Sn基热电材料,其特征在于所 述的富Sn薄层的Si:Sn原子含量比为0.30~0.40:0.60 0.70。3. 根据权利要求1所述的原位复合Mg-Si-Sn基热电材料,其特征在于所 述的富Si晶粒的Si:Sn原子含量比为0.60 0.70:0.40~0.30。4. 根据权利要求1所述的原位复合Mg-S...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵新兵,张倩,贺健,张胜楠,朱铁军,TM崔特,
申请(专利权)人:浙江大学,
类型:发明
国别省市:86[中国|杭州]
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