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本发明公开了一种原位复合Ｍｇ－Ｓｉ－Ｓｎ基热电材料及其制备方法。该材料的化学组成为Ｍｇ↓［２－ｙ］Ｌａ↓［ｙ］Ｓｉ↓［０．５＋ｘ］Ｓｎ↓［０．５－ｘ］，ｘ＝０～０．０８，ｙ＝０～０．１，结构为材料中的富Ｓｉ晶粒被原位生成的富Ｓｎ薄层包覆。采...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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