【技术实现步骤摘要】
一种晶圆片研磨装置
[0001]本技术涉及晶圆制造加工
，特别涉及一种晶圆片研磨装置。
技术介绍
[0002]晶圆片是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。
[0003]在晶圆片制造加工的过程当中，研磨抛光是一道重要工序，通常利用化学机械研磨装置进行研磨抛光。现有的研磨装置包括单面研磨装置以及双面研磨装置，但无论是单面研磨还是双面研磨，在研磨的过程当中，抛光液与研磨垫都是影响研磨抛光效果的重要因素，尤其是抛光液，是研磨抛光过程当中最为主要的消耗材料。部分抛光液能够循环利用一定次数，但现有的研磨装置在使用的过程当中，加入装置的抛光液并不容易收集，造成浪费，增加了加工的成本，需要进行改进。
技术实现思路
[0004]针对上述问题，本技术的目的在于提供一种便于抛光液回收再利用的晶圆片研磨装置。
[0005]为了实现上述目的，本技术采用的技术方案如下：
[...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆片研磨装置，其特征在于：包括机架、位于机架顶部的下研磨盘与支撑架、位于下研磨盘正上方并活动安装在支撑架底部的上研磨盘、固设在支撑架顶部并用于带动上研磨盘升降的液压缸以及用于存储抛光液的储液罐，所述下研磨盘的顶部开设有供所述上研磨盘卡入的研磨腔，所述研磨腔的中心处设置有主动轮，侧壁面设置有第一内齿圈，所述主动轮与第一内齿圈之间啮合有多个用于放置晶圆片的游星轮，所述上研磨盘的中心处设置有可与所述主动轮相啮合的第二内齿圈，所述研磨腔的底部边缘处开设有环形集液槽，所述环形集液槽与储液罐之间相连通。2.如权利要求1所述的一种晶圆片研磨装置，其特征在于：所述环形集液槽的截面形状为半圆形。3.如权利要求1所述的一种晶圆片研磨装置，其特征在于：所述的储液罐放置于机架内部并通过若干条沿环形集液槽周向均匀分布的集液管与所述环形集液槽底部相连通。4.如权利要求3所述的一种晶圆片研磨装置，其特征在于：所述的机架内...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈峰，洪章源，
申请(专利权)人：厦门陆远科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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