CMP设备的内外压力平衡结构制造技术

本发明专利技术公开了一种CMP设备的内外压力平衡结构，在所述的研磨腔室的顶部安装FFU，所述研磨腔室采用两层门板，内外形成夹层作为高气压区；从顶部FFU通过一块第一斜板与门板内层相接，研磨腔室排气管道中加装压缩空气喷头，高压气流从顶部沿门板夹层通道向下通过压缩空气喷头喷出；排气管道还具有一通道与研磨腔室内部环境相连，所述排气管道出口下方具有一第二斜板；第一斜板下方具有水帘，水从水帘喷出并沿着研磨腔室门板内壁流下并被收集引入到排气管道以及气液分离装置。所述第二斜板的背面处具有空气导管，经排气管道排出的气流通过空气导管排出，水沿第二斜板流下落入排水管道并被排出。并被排出。并被排出。

【技术实现步骤摘要】
CMP设备的内外压力平衡结构
[0001]

[0002]本专利技术涉及半导体器件制造领域，特别是指一种CMP设备的内外压力平衡结构。

技术介绍

[0003]随着半导体工艺的飞速发展，电子器件尺寸缩小，要求晶圆表面平整度达到纳米级，传统的平坦化技术仅能实现局部平坦化，当最小特征尺寸达到0.25μ m 以下时，必须进行全局平坦化。常见的传统平面化技术很多。如热流法、旋转玻璃法、回蚀法、电子环绕共振法、选择淀积、低压CVD、等离子增强 CVD、淀积
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腐蚀
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淀积法等。但它们都属于局部平面化工艺，不能做到全局平面化。90 年代兴起的化学机械抛光技术（CMP）则从加工性能和速度上同时满足硅片图形 加工的要求，其也是目前唯一可以实现全局平坦化的技术。
[0004]CMP 就是用化学腐蚀和机械力对加工过程中的硅晶圆或其它衬底材料进行 平滑处理。CMP的工作原理是将硅片固定在抛光头的最下面，将抛光垫放置在研磨盘上，抛光时，旋转的抛光头以一定的压力压在旋转的抛光垫上，由亚微米或纳米磨粒和化学溶 液组成的研磨液在硅片表面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种CMP设备的内外压力平衡结构，其特征在于：针对CMP的研磨腔室，在所述的研磨腔室的顶部安装工业用空气净化器，对进入研磨腔室的空气进行过滤；所述研磨腔室采用两层门板，内外形成夹层，从顶部工业用空气净化器通过一块第一斜板与门板内层相接，将顶部流过工业用空气净化器的部分气流引入两层门板之间的夹层通道，所述两层门板之间的夹层通道作为高气压区；研磨腔室排气管道中加装压缩空气喷头，所述排气管道位于门板夹层的下方，高压气流从顶部沿门板夹层通道向下通过压缩空气喷头喷出；所述研磨腔室排气管道还具有一通道与研磨腔室内部环境相连，所述压缩空气喷头伸出长度突出于排气管道出口，向下喷出高压空气；所述排气管道出口下方具有一第二斜板，所述第二斜板从排气管道壁向压缩空气喷头倾斜，压缩空气喷头喷出的高压空气打在第二斜板的正面然后向下方；所述第一斜板下方具有水帘，水从水帘喷出并沿着研磨腔室门板内壁流下并被收集引入到排气管道中，向下流到第二斜板的正面并被压缩空气喷头喷出的高压空气冲入下方的气液分离装置；所述气液分离装置位于排气管道出口下方，所述第二斜板的背面处具有空气导管，经排气管道排出的气流通过空气导管排出；所述第二斜板的下方的气液分离装置还具有排水管道，水沿第二斜板流下落入排水管道并被排出。2.如权利要求1所述的CMP设备的内外压力平衡结构，其特征在于：所述的在研磨腔室的内部还安装有气压感应装置，用于监测研磨腔室内部气压。3.如权利要求1所述的CMP设备的内外压力平衡结构，其特征在于：所述工业用空气净化器能加快研磨腔室内部的环境净化速度，减少研磨水雾悬浮现象,平衡内外压差，减少外部环境颗粒杂质射入速度。4.如权利要求1所述的CMP设备的内外压力平衡结构，其特征在于：所述的第一斜板通过对气流引流使两层门板之间的夹层通道区域的压力大于研磨腔室内部，保证研磨腔室内部区域的空气完全为净化空气；即便两层门板中的外层门板密封处泄露，也不会导致外部环境对内部环境的污染。5.如权利要求4所述的CMP设备的内外压力平衡结构，其特征在于：所述的第一斜板的主要目的是使夹层通道区的气压大于研磨腔室内部，也能采用直通甲板，加大夹层通道区顶部的工业用空气净化器的排风量的其他形式来实现所述目的。6.如权利要求1所述的CMP设备的内...

【专利技术属性】
技术研发人员：张守龙，倪立华，瞿治军，夏金伟，郭志田，王大帮，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：