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本发明公开了一种CMP设备的内外压力平衡结构，在所述的研磨腔室的顶部安装FFU，所述研磨腔室采用两层门板，内外形成夹层作为高气压区；从顶部FFU通过一块第一斜板与门板内层相接，研磨腔室排气管道中加装压缩空气喷头，高压气流从顶部沿门板夹层通道...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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