打磨设备、打磨盘的加工方法以及碳化硅晶片的加工方法技术

本发明专利技术公开了一种打磨设备、打磨盘的加工方法以及碳化硅晶片的加工方法，所述打磨设备包括：第一转动设备，所述第一转动设备用于安装砂轮，且能够带动所述砂轮转动，或所述第一转动设备用于支撑载体盘，且能够带动所述支撑载体盘转动；所述支撑载体盘用于安装碳化硅晶片；第二转动设备，所述第二转动设备用于放置打磨盘，能够带动所述打磨盘沿其圆心轴线转动。应用本发明专利技术提供的技术方案，通过在打磨盘表面增加非规律性几何纹理，使碳化硅晶片表面在机械研磨或抛光时，在碳化硅晶片表面达到均匀研磨，减弱特定位置出现的特定浅而宽的沟槽，提升碳化硅晶片表面品质，提高产成率。提高产成率。提高产成率。

【技术实现步骤摘要】
打磨设备、打磨盘的加工方法以及碳化硅晶片的加工方法


[0001]本专利技术涉及半导体制作
，更具体的说，涉及一种打磨设备、打磨盘的加工方法以及碳化硅晶片的加工方法。

技术介绍

[0002]随着半导体设备规模的不断扩大，对工艺复杂度的要求也越来越高。碳化硅晶片作为第三代半导体材料在散热、耐高温高压上性能优越，但是由于碳化硅硬度非常高，直至目前，碳化硅晶片的加工工艺仍不成熟。
[0003]碳化硅晶片加工一般采用机械或者化学机械研磨，但是研磨采用的研磨盘通常使用模压或车削加工而成，采用该方法生产的研磨盘的盘面表面会有一定规律的几何机械纹理残留，影响碳化硅晶片表面品质，降低生产良率。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术提供了一种打磨设备、打磨盘的加工方法以及碳化硅晶片的加工方法，可以提升碳化硅晶片表面品质，提高产成率。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
[0006]一种打磨设备，所述打磨设备包括：
[0007]第一转动设备，所述第一转动设备用于安装砂轮，且能够带动所述砂轮转动，或所述第一转动设备用于安装支撑载体盘，且能够带动所述支撑载体盘转动；所述支撑载体盘用于安装碳化硅晶片；
[0008]第二转动设备，所述第二转动设备用于放置打磨盘，能够带动所述打磨盘沿其圆心轴线转动。
[0009]优选的，在上述的打磨设备中，所述打磨设备用于在所述打磨盘背离所述第二转动设备的表面形成打磨纹理；
[0010]所述第一转动设备安装所述砂轮，使得所述砂轮与所述打磨盘的表面抵接，为所述打磨盘施加第一压力，控制所述砂轮以第一转速转动；
[0011]其中，所述第二转动设备在所述打磨盘的表面与所述砂轮抵接时，控制所述打磨盘以第二转速转动。
[0012]优选的，在上述的打磨设备中，所述打磨设备用于基于具有所述打磨纹理的打磨盘，对碳化硅晶片进行研磨；
[0013]所述第一转动设备安装所述支撑载体盘，所述支撑载体盘朝向所述打磨盘的表面固定有所述碳化硅晶片，所述第一转动设备带动所述支撑载体盘与所述打磨盘的表面抵接，为所述打磨盘施加第二压力，控制所述支撑载体盘以第三转速转动；
[0014]其中，所述第二转动设备在所述打磨盘的表面与所述碳化硅晶片抵接时，控制所述打磨盘以第四转速转动。
[0015]优选的，在上述的打磨设备中，所述第一转动设备包括：压头，所述压头具有安装
凹槽，所述安装凹槽用于安装固定所述砂轮或是所述支撑载体盘。
[0016]优选的，在上述的打磨设备中，所述砂轮包括：
[0017]砂轮底座，所述砂轮底座具有相对的第一表面和第二表面；
[0018]其中，所述第一表面具有用于安装固定在所述第一转动设备的凸起部，所述第二表面安装有多个磨砂块。
[0019]优选的，在上述的打磨设备中，所述磨砂块为圆柱体，一端固定在所述砂轮底座中，另一端露出所述砂轮底座。
[0020]优选的，在上述的打磨设备中，所述磨砂块露出所述砂轮底座的端面具有金刚石颗粒、碳化硅颗粒或是金属颗粒。
[0021]优选的，在上述的打磨设备中，所述砂轮底座为碳化硅底座、陶瓷底座或是金属底座。
[0022]优选的，在上述的打磨设备中，所述支撑载体盘具有相对的第三表面和第四表面；
[0023]其中，所述第三表面具有用于安装固定在所述第一转动设备的凸起部，所述第四表面具有至少一个安装固定碳化硅晶片的凹槽。
[0024]优选的，在上述的打磨设备中，所述打磨盘为铜打磨盘、铁打磨盘或是合金打磨盘。
[0025]本专利技术还提供一种打磨盘的加工方法，所述加工方法采用如上述任一项所述的打磨设备，所述加工方法包括：
[0026]在第一转动设备上安装砂轮，在第二转动设备上安装打磨盘；
[0027]将所述砂轮压合在所述打磨盘的表面，为所述打磨盘施加第一压力；
[0028]通过所述第一转动设备带动所述砂轮转动，通过所述第二转动装置带动所述打磨转动，以对所述打磨盘的表面进行打磨，在所述表面形成打磨纹理。
[0029]优选的，在上述的加工方法中，所述砂轮具有第一转速，所述打磨盘具有第二转速，所述第一转速与所述第二转速的比值为1.1：1至1.3：1；
[0030]所述第一压力为10Kg
‑
50Kg。
[0031]本专利技术还提供一种碳化硅晶片的加工方法，所述加工方法采用如上述任一项所述的打磨设备，所述加工方法包括：
[0032]在第一转动设备上安装支撑载体盘，所述支撑载体盘的表面安装固定有碳化硅晶片，在第二转动设备上安装具有打磨纹理的打磨盘；
[0033]将所述碳化硅晶片压合在所述打磨盘的表面，为所述打磨盘施加第二压力；
[0034]通过所述第一转动设备带动所述支撑载体盘转动，通过第二转动装置带动所述打磨盘转动，以通过所述打磨盘具有所述打磨纹理的区域对所述碳化硅晶片进行研磨。
[0035]优选的，在上述的加工方法中，所述支撑载体盘具有第三转速，所述打磨盘具有第四转速，所述第一转速与所述第二转速的比值为1.1：1至1.5：1；
[0036]所述第二压力为50Kg
‑
180Kg。
[0037]通过上述描述可知，本专利技术技术方案提供的打磨设备、打磨盘的加工方法以及碳化硅晶片的加工方法中，在第一转动设备上安装砂轮或支撑载体盘，在第二转动设备上安装打磨盘，通过第一转动设备带动砂轮或支承载体盘转动，通过第二转动设备带动打磨盘转动，以对打磨盘的表面进行打磨，使打磨盘表面形成非规律性的几何纹理。本专利技术方案通
过在打磨盘表面增加非规律性几何纹理，使碳化硅晶片表面在机械研磨或抛光时，在碳化硅晶片表面达到均匀研磨，减弱特定位置出现的特定浅而宽的沟槽，提升碳化硅晶片表面品质，提高产成率。
附图说明
[0038]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0039]本说明书附图所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本专利技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本专利技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。
[0040]图1为本专利技术实施例提供的一种打磨设备的切面图；
[0041]图2为本专利技术实施例提供的另一种打磨设备的切面图；
[0042]图3为本专利技术实施例提供的第一转动设备的结构示意图；
[0043]图4为本专利技术实施例提供的一种砂轮的切面图；
[0044]图5为本专利技术实施例提供的一种砂轮的俯视本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种打磨设备，其特征在于，所述打磨设备包括：第一转动设备，所述第一转动设备用于安装砂轮，且能够带动所述砂轮转动，或所述第一转动设备用于安装支撑载体盘，且能够带动所述支撑载体盘转动；所述支撑载体盘用于安装碳化硅晶片；第二转动设备，所述第二转动设备用于放置打磨盘，能够带动所述打磨盘沿其圆心轴线转动。2.根据权利要求1所述的打磨设备，其特征在于，所述打磨设备用于在所述打磨盘背离所述第二转动设备的表面形成打磨纹理；所述第一转动设备安装所述砂轮，使得所述砂轮与所述打磨盘的表面抵接，为所述打磨盘施加第一压力，控制所述砂轮以第一转速转动；其中，所述第二转动设备在所述打磨盘的表面与所述砂轮抵接时，控制所述打磨盘以第二转速转动。3.根据权利要求2所述的打磨设备，其特征在于，所述打磨设备用于基于具有所述打磨纹理的打磨盘，对碳化硅晶片进行研磨；所述第一转动设备安装所述支撑载体盘，所述支撑载体盘朝向所述打磨盘的表面固定有所述碳化硅晶片，所述第一转动设备带动所述支撑载体盘与所述打磨盘的表面抵接，为所述打磨盘施加第二压力，控制所述支撑载体盘以第三转速转动；其中，所述第二转动设备在所述打磨盘的表面与所述碳化硅晶片抵接时，控制所述打磨盘以第四转速转动。4.根据权利要求1所述的打磨设备，其特征在于，所述第一转动设备包括：压头，所述压头具有安装凹槽，所述安装凹槽用于安装固定所述砂轮或是所述支撑载体盘。5.根据权利要求1所述的打磨设备，其特征在于，所述砂轮包括：砂轮底座，所述砂轮底座具有相对的第一表面和第二表面；其中，所述第一表面具有用于安装固定在所述第一转动设备的凸起部，所述第二表面安装有多个磨砂块。6.根据权利要求5所述的打磨设备，其特征在于，所述磨砂块为圆柱体，一端固定在所述砂轮底座中，另一端露出所述砂轮底座。7.根据权利要求6所述的打磨设备，其特征在于，所述磨砂块露出所述砂轮底座的端面具有金刚石颗粒、碳化硅颗粒或是金属颗粒。8.根据权利要求5所述的打磨设备，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张雨晨，张平，邹宇，彭同华，杨建，李换换，谢桂林，
申请(专利权)人：北京天科合达半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：