【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体材料，尤其涉及一种uv固化有机硅/sio2材料对碳化硅晶片的表面处理方法。
技术介绍
1、碳化硅具有宽的禁带宽度，高热导率以及高的击穿电压，使得其在高频、高功率、抗辐射、极端条件下工作的器件有广泛应用。是一种极具潜力的半导体材料。
2、高质量的碳化硅晶片表面对制造高质量的外延片至关重要，进而决定半导体器件的性能。碳化硅单晶的莫氏为9.2，自然界中仅次于金刚石，对其进行物理加工难度非常高，这大大增加了物理机械抛光(dmp)和清洗过程中去除表面颗粒和金属的难度。
3、鉴于碳化硅材料的加工难度，目前常用的碳化硅晶片加工和清洗方法主要是双面或单面研磨、抛光、化学机械抛光和标准rca清洗，存在的主要问题是：加工晶片的翘曲度(warp)、弯曲度(bow)、面型(ttv和ltv)较差，表面颗粒和金属污染物无法很好的去除；对于前道切割工序产生的较大的变形没有修复能力；加工步骤繁琐，自动化程度低下，晶片表面质量和稳定性难以保证。晶片表面的上述缺陷会在外延生长和器件制备的过程中放大，导致芯片良率大大降低，是影响芯片良率的首要因素。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种uv固化有机硅/sio2材料对碳化硅晶片的表面处理方法，该方法处理的碳化硅晶片表面粗糙度低，平整度高，表面翘曲度低。
2、本专利技术提供了一种uv固化有机硅/sio2材料对碳化硅晶片的表面处理方法，包括以下步骤：
3、将uv固化有机硅/sio2杂化涂料
4、固定a表面，对碳化硅晶片b表面打磨；
5、去除树脂膜，固定打磨后的b表面，并对a表面进行打磨，得到双面打磨的碳化硅晶片。
6、优选地，所述树脂膜的硬度为65～72.1ha。
7、优选地，所述uv固化有机硅/sio2杂化涂料的制备为：
8、在15～30℃下，向正硅酸乙酯的无水乙醇溶液中滴加盐酸-超纯水溶液，反应25～35min后，再依次滴加无水乙醇-盐酸-水混合溶液、甲基三乙氧基硅烷、二苯基二甲氧基硅烷、γ-(甲基丙烯酰氧基)丙基三甲氧基硅烷，反应1～2h，升温至65～75℃，冷凝回流反应4.5～5.5h后停止反应，最后加入光引发剂。
9、优选地，无水乙醇、盐酸、水与正硅酸乙酯中si的摩尔比为(1.8～2.2)：(0.0018～0.0022)：(2.4～2.6)：1。
10、优选地，固化的光源强度为800～1200w，固化的时间为30～40s。
11、优选地，所述涂敷分步进行；
12、第一次涂敷的时间为1～2min，第一次涂敷后加热的温度为50～90℃，加热的时间为55～65s；
13、第一次涂敷后进行第二次涂敷；第二次涂敷的时间为1～2min，第二次涂敷后加热的温度为50～90℃，加热的时间为55～65s。
14、优选地，打磨包括粗磨和精磨；
15、所述粗磨的目数为500～3000目；
16、所述精磨的目数为500～6000目。
17、优选地，采用砂轮进行打磨；
18、打磨时承片台倾角值为-20～20。
19、优选地，打磨时，碳化硅晶片在吸附装置的带动下进行转动，吸附装置的真空值<-75kpa。
20、优选地，打磨去掉碳化硅晶片的表面损伤层为2μm～50nm。
21、本专利技术提供了一种uv固化有机硅/sio2材料对碳化硅晶片的表面处理方法，包括以下步骤：将uv固化有机硅/sio2杂化涂料涂敷在碳化硅晶片a表面，固化，得到树脂膜；固定a表面，对碳化硅晶片b表面打磨；去除树脂膜，固定打磨后的b表面，并对a表面进行打磨，得到双面打磨的碳化硅晶片。采用上述方法加工的碳化硅单晶片，表面翘曲度小于35μm，-5μm＜弯曲度<30μm；平整度小于2μm，局部平整度小于1.5μm；1μm<表面粗糙度<0.1nm；缺陷数量小于200个/片。
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1.一种UV固化有机硅/SiO2材料对碳化硅晶片的表面处理方法，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的表面处理方法，其特征在于，所述树脂膜的硬度为65～72.1HA。
3.根据权利要求1所述的表面处理方法，其特征在于，所述UV固化有机硅/SiO2杂化涂料的制备为：
4.根据权利要求3所述的表面处理方法，其特征在于，无水乙醇、盐酸、超纯水与Si的摩尔比为(1.8～2.2)：(0.0018～0.0022)：(2.4～2.6)：1；
5.根据权利要求1所述的表面处理方法，其特征在于，固化的光源强度为800～1200W，固化的时间为30～40s。
6.根据权利要求1所述的表面处理方法，其特征在于，所述涂敷分步进行；
7.根据权利要求1所述的表面处理方法，其特征在于，打磨包括粗磨和精磨；
8.根据权利要求1所述的表面处理方法，其特征在于，采用砂轮进行打磨；
9.根据权利要求1所述的表面处理方法，其特征在于，打磨时，碳化硅晶片在吸附装置的带动下进行转动，吸附装置的真空值<-75KPa。p>
10.根据权利要求1所述的表面处理方法，其特征在于，打磨去掉碳化硅晶片的表面损伤层为2μm～50nm。
...【技术特征摘要】
1.一种uv固化有机硅/sio2材料对碳化硅晶片的表面处理方法，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的表面处理方法，其特征在于，所述树脂膜的硬度为65～72.1ha。
3.根据权利要求1所述的表面处理方法，其特征在于，所述uv固化有机硅/sio2杂化涂料的制备为：
4.根据权利要求3所述的表面处理方法，其特征在于，无水乙醇、盐酸、超纯水与si的摩尔比为(1.8～2.2)：(0.0018～0.0022)：(2.4～2.6)：1；
5.根据权利要求1所述的表面处理方法，其特征在于，固化的光源强度为800...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭钰，眭旭，魏福源，刘春俊，彭勇，曾江，彭同华，杨建，
申请(专利权)人：北京天科合达半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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