一种UV固化有机硅/SiO2材料对碳化硅晶片的表面处理方法技术

本发明专利技术提供了一种UV固化有机硅/SiO2材料对碳化硅晶片的表面处理方法，包括以下步骤：将UV固化有机硅/SiO2杂化涂料涂敷在碳化硅晶片A表面，固化，得到树脂膜；固定A表面，对碳化硅晶片B表面打磨；去除树脂膜，固定打磨后的B表面，并对A表面进行打磨，得到双面打磨的碳化硅晶片。采用上述方法加工的碳化硅单晶片，表面翘曲度小于35μm，‑5μm＜弯曲度<30μm；平整度小于2μm，局部平整度小于1.5μm；1μm<表面粗糙度<0.1nm；缺陷数量小于200个/片。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体材料，尤其涉及一种uv固化有机硅/sio2材料对碳化硅晶片的表面处理方法。

技术介绍

1、碳化硅具有宽的禁带宽度，高热导率以及高的击穿电压，使得其在高频、高功率、抗辐射、极端条件下工作的器件有广泛应用。是一种极具潜力的半导体材料。

2、高质量的碳化硅晶片表面对制造高质量的外延片至关重要，进而决定半导体器件的性能。碳化硅单晶的莫氏为9.2，自然界中仅次于金刚石，对其进行物理加工难度非常高，这大大增加了物理机械抛光(dmp)和清洗过程中去除表面颗粒和金属的难度。

3、鉴于碳化硅材料的加工难度，目前常用的碳化硅晶片加工和清洗方法主要是双面或单面研磨、抛光、化学机械抛光和标准rca清洗，存在的主要问题是：加工晶片的翘曲度(warp)、弯曲度(bow)、面型(ttv和ltv)较差，表面颗粒和金属污染物无法很好的去除；对于前道切割工序产生的较大的变形没有修复能力；加工步骤繁琐，自动化程度低下，晶片表面质量和稳定性难以保证。晶片表面的上述缺陷会在外延生长和器件制备的过程中放大，导致芯片良率大大降低，是影响芯片良率的首要因素。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种UV固化有机硅/SiO2材料对碳化硅晶片的表面处理方法，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的表面处理方法，其特征在于，所述树脂膜的硬度为65～72.1HA。

3.根据权利要求1所述的表面处理方法，其特征在于，所述UV固化有机硅/SiO2杂化涂料的制备为：

4.根据权利要求3所述的表面处理方法，其特征在于，无水乙醇、盐酸、超纯水与Si的摩尔比为(1.8～2.2)：(0.0018～0.0022)：(2.4～2.6)：1；

5.根据权利要求1所述的表面处理方法，其特征在于，固化的光源强度为800～1200W，固化的时间为30～40s。...

【技术特征摘要】

1.一种uv固化有机硅/sio2材料对碳化硅晶片的表面处理方法，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的表面处理方法，其特征在于，所述树脂膜的硬度为65～72.1ha。

3.根据权利要求1所述的表面处理方法，其特征在于，所述uv固化有机硅/sio2杂化涂料的制备为：

4.根据权利要求3所述的表面处理方法，其特征在于，无水乙醇、盐酸、超纯水与si的摩尔比为(1.8～2.2)：(0.0018～0.0022)：(2.4～2.6)：1；

5.根据权利要求1所述的表面处理方法，其特征在于，固化的光源强度为800...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭钰，眭旭，魏福源，刘春俊，彭勇，曾江，彭同华，杨建，
申请(专利权)人：北京天科合达半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：