制造多个半导体器件的方法和设备技术

本发明专利技术涉及制造多个半导体器件的方法和设备。一种方法，包括提供包括多个腔体的载体的步骤；在每个腔体内布置至少一个半导体元件；使用封装材料填充多个腔体；以及移除该载体。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及制造多个半导條件。 背景狱封装，例如集成电路封装，是半导條件制造的最后阶段。封装也可以提供从电路，例如ic ac成电路)或半导体元件到支撑体例如衬底或印刷电路 板(PCB)的互连。而且，封装提供理想的机械保护，并且保护不受环境影响 以确保器件的可靠性和性能。
技术实现思路
根据不同的实施例，方法包括提供包括多个腔体的载体；在每个腔体内 布置至少一个半导体元件；使用封装材料填充多个腔体；并且移除该载体。附图说明随后，将参照附图更加详细的解释实施例，其中 图1A至1C示出了传统的半导体封装工艺； 图2A至2G示出了根据实施例的制造多个半导條件的方法； 图3A至3M示出了根据形成TSLP的另一个实施例，制造多个半导,件 的方法；图4示出了根据实施例第隨多个半导條件的设备的立体图； 图5A至5C示出了另一个实施例；图6A至6C示出了由不同封装材料桥连接半导 件的示意亂以及 图7至17描述了使用铜分离器托盘的另一个实施例。具体实施方式根据其它实施例， 一种用于制造多个半导皿件的设备，可以包括第一高 度，其包括多个腔体，每个腔体由侧壁确定，侧壁具有等于或大于第一高度的 第二高度。根据另一实施例， 一种用于制造多个半导皿件的设备，可以包括第一高 度，其包括多个腔体，每个腔体由具有第一高度的侧壁确定，其中侧壁的至少—部分具有低于第一高度的第二高度。通常，集成半导 件可以包括准备芯片步骤，在这个过程中切割晶片以 得到单独的集成电路或芯片。准备芯片之后的步骤将随后参照示出制造半导体器件封装的传统工艺的图1进行描述。该工艺包括芯片连接或键合步骤A，其中芯片102连接到在支撑体或载体 结构106提供的芯片垫104,例如半导條件的铜弓战架上。铜引线框106上也 提供接触垫108。该接触垫108皿与封装的电子端子的连接。下一个步骤是引 线键合步骤B，其中在芯片104与接触垫108之间形成键M接112,由此允许 芯片104连接到外部。随后JiM装步骤C，通常使用塑料模制，其提供用于物 理和化学保护的半导体器件的封装的主体114。步骤C提到的模制也可以包括 固化模制的封装。为了清魏见，图1在各妙骤中仅示出一个芯片102。然而， 在实际的封装工艺中，可以在弓战架106上布置多个芯片。通常，这里所称的 模土央模制，与例如，在引线框带或引线框阵列上的芯片或半导体元件被封装在 单个模制体中的多个芯片一致。更为具体地，为了制造多个半导^l件，常规方法需要向芯片键合机器提供弓l线框带。该芯片键合机器从晶片上提取芯片并 将芯片连接到(参见步骤A)弓l导条(headrace strip)。在随后的步骤中芯片经 历导线键合(参见步骤B)以及模制和固化(参见步骤C)。随后的步骤给出了 封装的最终形奴夕卜观，例如DTFS (DTFS-去闪;tKDeflash)/微调(Trim) /形 成(Form)雄个化(Singulation)),封装彼此不同。像标记和弓l线加工的工序使得产品具有i鄉胜瓶高可靠性。图l的实例中，激光标记步骤D在步骤C之后，在模子(mold) 114的外 表面上设置i湖iJ标记、J 鹏丰斜己或区另iJ标记116。除了激光标iB^^墨水丰斜己。 接下来，如步骤E中所示，制作有多个半导^^件的引线框106,其经历懒ij 以便移除弓践框106。正如，到的，M移除引线框106,暴露出了芯片垫104 和接触垫108的下表面104a和104b (如图1中所示)。之后，在步骤F中，在 芯片垫104的暴露表面104a以及接角礎108的暴露表面108a上淀积金层124a 和124b。在下一步骤G中模子114被倒置，并层压到叠置层或带126上，以备 随后的切割或单个化。之后，例如i!31切害ij模子114，在步骤H中单个化封装。 图1中步骤H示出了切割后的情况,B卩，切割槽128a和128b延伸贯通模子114， 但不贯通叠置带126。 一旦如图1步骤H所^配完，该封装的电g^本上准备好被舰c然而，由于缺陷，装配的器件并不总育跑作用。在生产过程中可发生多种 问题，例如，与缺陷相关的晶片制造、或装配过程中芯片开裂、或引线键合连 接欠佳或完全未连接。因此，半导#^件封装进一步通常经历目视检测、随后电子检测。更为具体地，步骤H中单体化之后，在步骤I中，例如通过照相机 130进行可视检测。进一步，通过经由第一探针132a向芯片垫104施加M^ 号，并舰接触垫108和第二探针132b接收响应信号，在步骤J中执行电子检 测。舰外鹏测电路估算响应，以确定被检测器件ilMa是^131测试。步骤K中，被检查和测试的器件经历由UV灯134衝共的UV辐射。该UV 灯134辐照i^置带126以移除相同形式的模子114,以便独立的单个化的半导 体封装可S5i在步骤L中向容器带或载体带138的M凹穴136中itA它们而 ^#寸装。舰棘配半导体单元有利于在制iti^呈中，自动查找并在PCB上安 装该半导体元件。图步骤C中描述的模制工艺通常模制整个引线框。结果，工艺流程需要 步骤H中的切割工艺，例如，从芯片中切割出单个半导体器件封装。需要在步 骤G中的层压工艺，因为层压的引线框带用于在步骤H中切割之后，支撑该单 个的半导体封装。之后在步骤L带装1B^前，需要步骤K中的UV辐射。因此，考虑到工艺速度、工艺成本和工艺成品率，希望减少封装工艺的步 骤数目。实施例涉及一种封装半导体器件的方法，其不必为了得到多个封装的半导 #而切割容纳有多个芯片的封装材料的模审赎块。现在参考图2，将描述根据一个实施例的用于帝i腊多个半导^^件的方法。 如图2A中所示，提供具有多个腔体202a至202c的载体200。尽管仅示出了三 个腔体，但应注意到，通常可以提供两个或多于三个的腔体。可以以二维阵列 腔体的形式提供腔体。该载体200包括底面部分200a,舰它多个侧壁部分200b 朝上延伸以确定出腔体202a至202c。例如，侦蝰部分200b可以m51传统生长 工艺从底面部分200a生长。该载体200的底面部分200a可为铜引线框。该载 体200也可以由铝、塑料、橡胶、纸卡片形成。该载体可以JW性或刚性。向腔体202a至202c内相应OT半导体元件204a至204c，如图2B所示。 该半导体元件204a至204c可以通OT或带附着到载体200的底面部分200a。另外，可以将半导体元件204a至204c电连接到导电部分。财卜，虽然注意到 图2中示出向各自腔体内提供单个半导体元件204a至204c，但是依据将形成的 器件，也可以将多于一个的半导体元件204a至204c提供到一个或多个或全部'如图2C所示并由箭头210指示，容纳半导体元件204a至204c的多^H卩近 腔体202a至202c被填充有封装材料206，以便得到多个半导 |件。可以看出， 封装材料被Jlf共有第一高度hsc。 i^t装材料206可为传统模审附料，例如，聚 合物，如树脂。通常模制材料被填充有Si02以便根据半导^^件的CTE调整模 制材料的热膨胀系数(CTE)。如图2D所示，^ffi封装材料206填充腔体之后，并且固4tt后，移除载体 200以便获得各自分离的半导体器件208a至208c。上面描述的载体200可由可 蚀刻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：提供包括多个腔体的载体；在每个腔体内布置至少一个半导体元件；使用封装材料填充多个腔体；以及移除该载体。

【技术特征摘要】
US 2007-3-12 11/6848491. 一种方法，包括提供包括多个腔体的载体；在每个腔体内布置至少一个半导体元件；使用封装材料填充多个腔体；以及移除该载体。2、 权利要求1的方法，其中提供载体包括形成多个腔体。3、 权利要求2的方法，其中形成多个腔体包括生长侧壁材料。4、 权利要求3的方法，其中形成多个腔体包括从电镀工艺、沉积工艺和光 刻工艺的组中选择的工艺。5、 权利要求l的方法，其中使用封装材料填充多个腔体包括填充1M体以 使得多个被填充的腔体M^装材料连接。6、 权利要求5的方法，包,除该载体之后，分离被填充的腔体。7、 权禾腰求5的方法，其中多WP近的被填充的腔体ilil^装材料连接。8、 权利要求5的方法，其中提供载体包括将侧壁材料选择地生长至第一高 度和第二高度，織二高度低于織一高度。9、 权利要求8的方法，其中形成多个腔体包括从包括电镀工艺、沉积工艺 和光刻工艺的组中选择的工艺。10、 权利要求5的方法，其中提供载体包括将侧壁材料生长至第一高度， 并选择性地将该侧壁材料从该第一高度斷氏至第二高度。11、 权利要求5的方法，其中选择性地降低该侧壁材料包括从包括切割工 艺、皿工艺和亥'她工艺的组中选择的工艺。12、 权利要求1的方法，其中移除该载体包括从包括刻蚀该载体、从被填 充的腔体中剥离该载体、施加温度冲击和从该载体上折断该被填充的腔体的组 中选择的工艺。13、 权利要求1的方法，其中该载体为刚性部件或柔性部件。14、 权利要求1的方法，其中该载体是由选自包括铜、铝、塑料、橡胶、 纸和卡片的组中的材料形成的。15、 权利要求1的方法，进一步包括接触在針腔体中都布置的至少一个半导体元fK16、 一种方法，包括提供包括多个腔体的载体； 在^腔体内布置至少一个半导体元件；使用封装材料填充多个腔体，以使得多^K卩近的被填充的腔体通过封装材 料连接；以及 移除该载体。17、 权利要求16的方法，进一步包括分离该被填充的腔体。18、 权利要求17的方法，其中提供载体包括将侧壁材料通过电镀工艺选择 性地生长至第一高度和第二高度，该第二高度低于该第一高度。19、 权利要求17的方法，其中提供载体包括将侧壁材料生长至第一高度， 并选择性地将该侧壁材料从该第一高度斷氐至第二高度。20、 权利要求17的方法，其中载体为由铜构成的刚性部件，并且其中移除 载体包括刻蚀该载体。21、 权利要求17...

【专利技术属性】
技术研发人员：BH姜，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]