半导体结构的处理方法及形成方法技术

本发明专利技术实施例提供一种半导体结构的处理方法及形成方法，半导体结构的处理方法，包括：提供半导体基底，半导体基底上设置有特征部，特征部顶部设置有掩膜层；对半导体结构进行灰化处理，半导体结构包括半导体基底、特征部以及掩膜层；去除掩膜层；对半导体结构进行清洗处理，对特征部进行清洗处理后，特征部的表面生成氧化层；对半导体结构进行干燥处理；去除氧化层；其中，在干燥处理过程中，至少相邻的一组特征部中一特征部向相邻特征部的方向倾斜，且在干燥处理之后，倾斜的特征部与相邻特征部的间距小于在干燥处理之前二者的间距。有效的改善了高深宽比结构倾斜的问题，且工艺流程简单、成本低廉。成本低廉。成本低廉。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的处理方法及形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构的处理方法及形成方法。

技术介绍

[0002]在半导体制造过程中通常需要多重处理工序，例如材料沉积、平坦化、特征图案化、蚀刻、清洗等。随着集成电路制程持续缩小，制造工艺日益复杂，高深宽比结构愈发重要。由于制程的缩小，特征部深度不变或深度变深且宽度变小，导致了特征部的深宽比变大。高深宽比结构(HAR)的工艺极易产生侧向弯曲、顶部CD和底部CD的变化、颈缩、倾斜及图形扭曲等问题。如何提高HAR结构的质量，防止HAR结构倾斜是一个亟需解决的问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种半导体结构的处理方法及形成方法，有效的改善了高深宽比结构倾斜的问题，且流程简单、成本低廉。
[0004]为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供了一种存储器的形成方法，包括：提供半导体基底，半导体基底上设置有特征部，特征部顶部设置有掩膜层；对半导体结构进行灰化处理，半导体结构包括半导体基底、特征部以及掩膜层；去除掩膜层；对半导体结构进行清洗处本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的处理方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底上设置有特征部，所述特征部顶部设置有掩膜层；对半导体结构进行灰化处理，所述半导体结构包括所述半导体基底、所述特征部以及所述掩膜层；去除所述掩膜层；对所述半导体结构进行清洗处理，对所述特征部进行清洗处理后，所述特征部的表面生成氧化层；对所述半导体结构进行干燥处理；去除所述氧化层；其中，在所述干燥处理过程中，至少相邻的一组特征部中一所述特征部向相邻所述特征部的方向倾斜，且在所述干燥处理之后，倾斜的特征部与相邻特征部的间距小于在所述干燥处理之前二者的间距。2.根据权利要求1所述的半导体结构的处理方法，其特征在于，所述对所述半导体结构进行灰化处理，包括：采用不含氧的第一混合气体对所述半导体结构进行灰化处理。3.根据权利要求2所述的半导体结构的处理方法，其特征在于，所述第一混合气体至少包括氢气和氮气。4.根据权利要求1所述的半导体结构的处理方法，其特征在于，所述对所述半导体结构进行灰化处理，包括：采用含氧的第二混合气体对所述半导体结构进行灰化处理。5.根据权利要求1所述的半导体结构的处理方法，其特征在于，所述对所述半导体结构进行干燥处理，包括：采用第一温度的异丙醇对所述特征部表面进行干燥；在对所述特征部表面进行干燥的同时，采用第二温度的去离子水对所述半导体基底底部进行干燥。6.根据权利要求1所述的半导体结构的处理方法，其特征在于，所述对所述半导体结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：郗宁，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：