半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供待刻蚀层结构，待刻蚀层结构包括待刻蚀层，位于待刻蚀层上的核心层和位于核心层的两侧的侧墙，侧墙的顶面为弧面；在侧墙的顶面上形成补充结构以完全覆盖弧面，补充结构的顶面为平整的平面。因补充结构和侧墙共同作为刻蚀掩膜时顶面为平整的平面而非弧面，避免了侧墙作为刻蚀掩膜时因侧墙顶面为弧面造成形成于待刻蚀层的图形的深浅不同，有利于在待刻蚀层上形成结构线深相同的图形，提高了图形转移的精确度和稳定性；且本发明专利技术实施例所提供的半导体结构的形成方法适用于任何需要进行图形转移的制程，工艺简单，提高了实用性。提高了实用性。提高了实用性。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]在半导体集成电路制造工艺中，会采用一系列的工序，例如淀积、光刻、刻蚀和平坦化工艺等，从而形成半导体结构。其中，光刻和刻蚀是半导体制造过程中主要的图形化手段。
[0003]光刻工艺通常是在一个基底上形成光敏材料层(例如：光刻胶层)，然后将掩膜板(mask)上的图形通过曝光转移至光敏材料层上，从而在所述光敏材料层内形成图形，以形成图形化的掩膜层，定义出待刻蚀区域；而刻蚀工艺通常是以所述掩膜层为掩膜，对待刻蚀层中的待刻蚀区域进行刻蚀，从而将所述掩膜层内的图形转移至待刻蚀层中，进而在所述待刻蚀层内形成所需的结构。
[0004]随着超大集成电路的不断发展，半导体器件的关键尺寸(critical dimension，CD)不断减小，光刻工艺对器件性能的影响越来越明显。因此，在关键尺寸越来越小的情况下，如何提高图形转移的精准度和稳定性成为业界的研究热点。

技术实现思路

[0005]本专利技术实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀层结构，所述待刻蚀层结构包括待刻蚀层，位于所述待刻蚀层上的核心层和位于所述核心层的两侧的侧墙，所述侧墙的顶面为弧面；在所述侧墙的顶面上形成补充结构以完全覆盖所述弧面，所述补充结构的顶面为平整的平面。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述补充结构的形成工艺为离子注入工艺，离子注入的方向与所述待刻蚀层表面法线的夹角范围为30
°-
60
°
。3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，离子注入的离子包括锗离子，硅离子，硼离子，碳离子，磷离子中的一者或者至少二者的组合。4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述核心层第一侧的侧墙的弧面与所述核心层第二侧的侧墙的弧面关于所述核心层对称，所述在所述侧墙的顶面上形成补充结构，所述补充结构的顶面为平整的平面的步骤包括：在位于所述核心层第一侧的侧墙的顶面上形成第一补充结构，所述第一补充结构的顶面为平整的平面；在位于所述核心层第二侧的侧墙的顶面上形成第二补充结构，所述第二补充结构的顶面为平整的平面。5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述在所述侧墙的顶面上形成补充结构，所述补充结构的顶面为平整的平面的步骤之后还包括：对所述侧墙和所述补充结构进行刻蚀，以使所述侧墙和所述补充结构具有预定宽度。6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述侧墙和所述补充结构的刻蚀气体包括氧气和二氧化硫中的至少一者。7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述在所述侧墙的顶面上形成补充结构，所述补充结构的顶面为平整的平面后，还包括：去除所述核心层。8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述去除所述核心层后，还包括：以所述侧墙和所述补充结构为掩膜刻蚀所述待刻蚀层，形成目标图形结构。9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述待刻蚀层包括栅极材料结构层，所述以所述侧墙和所述补充结构为掩膜刻蚀所述待刻蚀层，形成目标图形结构的步骤包括：以所述侧墙和所述侧墙上的补充结构为掩膜刻蚀所述栅极材料结构层，形成栅极结构，以所述栅极...

【专利技术属性】
技术研发人员：王智东，张昕哲，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：