一种改善NAND闪存有源区光刻显影缺陷的方法技术

本发明专利技术提供了一种改善NAND闪存有源区光刻显影缺陷的方法，应用于半导体领域，所述方法通过在核心有源区的高深宽比的侧墙间隙中填充有机介电层，避免光刻胶与侧墙直接接触，从而在有机介电层上涂覆光刻胶，并进行曝光显影以形成图案化的光刻胶层时，避免对光刻胶显影后产生遗留在侧墙间隙中的显影残留物，进而可避免光刻胶显影缺陷的产生。进一步地，使有机介电层的顶面与所述侧墙的顶面齐平，进而在后续可以以等高的侧墙和有机介电层为掩膜继续向下刻蚀，由此保证待图形化层中形成的图形的质量。的质量。的质量。

【技术实现步骤摘要】
一种改善NAND闪存有源区光刻显影缺陷的方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种改善NAND闪存有源区光刻显影缺陷的方法。

技术介绍

[0002]NAND flash(闪存)存储器阵列通常由多个块组成，每个块又包含若干根字线以及选择管，具有容量大、寿命长、非易失性及成本低等优点，因此广泛应用于汽车、电子、生活产品中。为满足存储容量日益增长的需求，随着技术的进步，字线的尺寸不断微缩。因此对工艺要求也越来越高。
[0003]在19纳米及以下技术节点的二维平面NAND flash产品工艺开发的过程中，用于制作核心有源区的存储阵列的侧墙的深宽比较大，当外围区使用光刻胶进行曝光和显影时，核心有源区覆盖有光刻胶的位置容易显影不充分，造成侧墙之间存有残留物，而且因侧墙的深宽比较大，这些残留物即使经过后续清洗工艺也难以去除干净，成为后续工艺的缺陷源头。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种改善NAND闪存有源区光刻显影缺陷的方法，可避免核心有源区因侧墙之间的间隙的深宽比较大而造成显影残留物遗留在侧墙本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善NAND闪存有源区光刻显影缺陷的方法，其特征在于，包括：S1，提供一具有核心有源区和外围区的半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成待图形化层和无定形硅层，并在所述核心有源区的无定形硅层上形成多个间隔设置的侧墙；S2，在所述核心有源区和所述外围区的无定形硅层上覆盖有机介电层，所述有机介电层还填充在所述侧墙的间隙中；S3，在所述有机介电层上涂覆光刻胶，并进行曝光显影以形成图案化的光刻胶层，定义出外围区中所需的光刻胶图形；S4，以所述图案化的光刻胶层为掩膜，刻蚀所述有机介电层至所述无定形硅层表面，以去除核心有源区的有机介电层并在外围区保留所需的有机介电层；S5，去除所述图案化的光刻胶层，并以所述侧墙和剩余的机介电层为掩膜，刻蚀所述无定形硅层和所述待图形化层，以在所述待图形化层中形成所需图形。2.如权利要求1所述的改善NAND闪存有源区光刻显影缺陷的方法，其特征在于，在步骤S1中形成的所述待图形化层包括自下而上依次层叠的浮栅层、栅极氧化层和硬掩膜层，所述待图形化层用于形成所述NAND快闪存储器的存储单元；在步骤S5中，刻蚀停止在所述栅极氧化层的表面上。3.如权利要求1所述的改善NAND闪存有源区光刻显影缺陷的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，在所述核心有源区的无定形硅层上形成多个间隔设置的侧墙的步骤包括：S1.1，在所述核心有源区的无定形硅层上形成有多个间隔...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘天舒，巨晓华，王奇伟，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：