形成平坦化层的方法以及使用其的图案形成方法技术

一种形成平坦化层的方法，包括：设置包括沟槽的衬底；在沟槽的表面之上涂覆预减薄物；在沟槽中形成间隙填充材料；在间隙填充材料之上涂覆后减薄物；以及执行旋压工艺以旋转衬底。底。底。

【技术实现步骤摘要】
形成平坦化层的方法以及使用其的图案形成方法
相关申请的交叉引用
[0001]本申请要求于2020年5月26日提交的申请号为10
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2020
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0062914的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。


[0002]本专利技术的各个实施例涉及一种用于制造半导体器件的方法，并且更具体地，涉及一种形成平坦化层的方法。本专利技术的各个实施例还涉及一种使用该平坦化层形成方法来形成图案的方法。

技术介绍

[0003]在用于制造半导体器件的过程中形成多个图案。采用一般的光刻工艺，在使图案的临界尺寸最小化方面存在限制。因此，需要开发新的方法，以实现超越光刻的临界分辨率的临界尺寸。
[0004]此外，当使用间隙填充材料来填充图案之间的间隙时，间隙填充材料的添加可能会根据晶片上的位置或图案而形成得不均匀。例如，当将间隙填充材料用作硬掩模等时，可能会由于图案之间的厚度差异而在对下部进行图案化时出现问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的各个实施例涉及一种形成平坦化层的方法。该方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成平坦化层的方法，所述方法包括：设置包括沟槽的衬底；在所述沟槽的表面之上涂覆预减薄物；在所述沟槽中形成间隙填充材料；在所述间隙填充材料之上涂覆后减薄物；以及执行旋压工艺以旋转所述衬底。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述在所述沟槽中形成间隙填充材料的步骤是通过旋涂来执行的。3.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述间隙填充材料之上涂覆后减薄物之后，执行烘烤工艺。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述间隙填充材料包括含碳材料。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述含碳材料包括旋涂碳或光致抗蚀剂。6.一种形成图案的方法，所述方法包括：在刻蚀目标材料之上形成第一线；在所述第一线之间形成间隙填充材料，所述间隙填充材料的上表面位于比至少所述第一线的上表面高的水平处；通过刻蚀所述间隙填充材料，沿与所述第一线交叉的方向形成第二线；在所述第二线之间间隙填充硬掩模，所述硬掩模的上表面位于与至少所述第一线相同的水平处；刻蚀所述第二线和由所述硬掩模暴露出的所述第一线；去除所述第二线；以及通过利用所述第一线和所述硬掩模来刻蚀所述刻蚀目标材料，形成彼此分离的多个岛状开口，其中，在所述形成间隙填充材料的步骤之前和之后形成减薄物涂层。7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述在所述第一线之间形成间隙填充材料的步骤包括：在所述第一线之上涂覆预减薄物；在所述预减薄物之上形成间隙填充材料；在所述间隙填充材料之上涂覆后减薄物；执行旋压工艺以旋转衬底；以及执行烘烤工艺。8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述在所述第一线...

【专利技术属性】
技术研发人员：李知石，李晟求，沈载熙，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：