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半导体结构的处理方法及形成方法技术
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文档序号:31724004
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本发明实施例提供一种半导体结构的处理方法及形成方法,半导体结构的处理方法,包括:提供半导体基底,半导体基底上设置有特征部,特征部顶部设置有掩膜层;对半导体结构进行灰化处理,半导体结构包括半导体基底、特征部以及掩膜层;去除掩膜层;对半导体结构...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
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